驱动装置、驱动方法及电力转换装置制造方法及图纸

提供一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置，对SiC

【技术实现步骤摘要】
驱动装置、驱动方法及电力转换装置


[0001]本公开涉及一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置。

技术介绍

[0002]传统上，存在将串联连接的两个开关元件与直流电源并联连接的电力转换电路。如下述的专利文献1所示，已知该类电力转换电路在死区期间将两个开关元件的栅极电压均向负方向偏置，以使开关元件不会同时导通。
[0003]<现有技术文献>
[0004]<专利文献>
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
51049号公报

技术实现思路

[0006]<本专利技术要解决的问题>
[0007]SiC
‑
MOSFET存在如果电流流向体二极管则特性会劣化的问题。如果将专利文献1的驱动方法应用于SiC
‑
MOSFET的驱动，则电流会在死区时间流向SiC
‑
MOSFET的体二极管，有可能会使SiC
‑
MOSFET的劣化恶化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动装置，隔着用于使串联连接的第一SiC
‑
MOSFET和第二SiC
‑
MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC
‑
MOSFET和所述第二SiC
‑
MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC
‑
MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC
‑
MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC
‑
MOSFET的栅极电压设定为高于第二负电源电压且低于所述第二SiC
‑
MOSFET的第二阈值电压的第二中间电压。2.根据权利要求1所述的驱动装置，其中，在所述死区时间是紧接在所述第一SiC
‑
MOSFET的导通指令期间之后且紧接在所述第二SiC
‑
MOSFET的导通指令期间之前的第一死区时间时，所述第一驱动电路在所述第一死区时间开始时，将所述第一SiC
‑
MOSFET的栅极电压从第一正电源电压变更为所述第一中间电压，并在所述第一死区时间结束时，将所述第一SiC
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MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一负电源电压，所述第二驱动电路在所述第一死区时间开始时，将所述第二SiC
‑
MOSFET的栅极电压从所述第二负电源电压变更为所述第二中间电压，并在所述第一死区时间结束时，将所述第二SiC
‑
MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为第二正电源电压。3.根据权利要求2所述的驱动装置，其中，在所述死区时间是紧接在所述第二SiC
‑
MOSFET的导通指令期间之后且紧接在所述第一SiC
‑
MOSFET的导通指令期间之前的第二死区时间时，所述第一驱动电路在所述第二死区时间开始时，将所述第一SiC
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MOSFET的栅极电压从所述第一负电源电压变更为所述第一中间电压，并在所述第二死区时间结束时，将所述第一SiC
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MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一正电源电压，所述第二驱动电路在所述第二死区时间开始时，将所述第二SiC
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MOSFET的栅极电压从所述第二正电源电压变更为所述第二中间电压，并在所述第二死区时间结束时，将所述第二SiC
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MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为所述第二负电源电压。4.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：田久保扩，木口龙雅，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：