低边驱动输出电路及芯片制造技术

技术编号:37347790 阅读:24 留言:0更新日期:2023-04-22 21:43
本发明专利技术公开了一种低边驱动输出电路及芯片,输出电路包括:低边开关管、MOS管以及钳位单元。低边开关管与感性负载相连形成输出节点;MOS管与输出节点相连,MOS管用于在低边开关管从导通状态到关断状态时,对输出节点进行钳位;钳位单元与输出节点和MOS管的隔离端相连,钳位单元用于在低边开关管从导通状态到关断状态时,对MOS管的隔离端电压进行钳位。本发明专利技术的低边驱动输出电路通过设置MOS管,使得当驱动电感负载以及低边开关管从导通状态到关断状态时,起到对输出节点处的电压进行钳位以保护输出节点的作用,同时通过钳位单元保证MOS管的隔离端的电压高于MOS管的漏极电压,避免MOS管中的寄生PN结的导通,减少漏电。减少漏电。减少漏电。

【技术实现步骤摘要】
低边驱动输出电路及芯片


[0001]本专利技术是关于集成电路领域,特别是关于一种低边驱动输出电路及芯片。

技术介绍

[0002]多数低边驱动芯片在驱动感性负载时,由于电感续流的作用,使得输出电压高于供电电压。为了达到保护作用,需要采用一种方式对低边驱动芯片的输出电压进行钳位。
[0003]如图1所示,现有技术中的一种方式是芯片通过输出端和地之间外接齐纳二极管D以达到钳位目的,但是由于流过二极管D的电流会较大,所以二极管D需要耗费较大面积。
[0004]如图2所示,现有技术中的另一种方式是芯片输出端和低边驱动MOS管MN的栅极之间内部集成两个阳极相连的二极管D1、D2(二极管D1是齐纳二极管,二极管D2是肖特基二极管),以达到在过压时打开低边驱动MOS管MN来保护输出节点,但是这样会在低边驱动MOS管MN上消耗较多能量。
[0005]综合上述,两种低边驱动输出电路的现有方案都有不同的缺点,限制了其在一些低面积和低功耗产品的应用。
[0006]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解,而不应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低边驱动输出电路,其特征在于,包括:低边开关管,与感性负载相连,所述低边开关管与感性负载相连形成输出节点;MOS管,与输出节点和电源电压相连,所述MOS管用于在所述低边开关管从导通状态到关断状态时,对输出节点的输出电压进行钳位;以及钳位单元,与输出节点和MOS管的隔离端相连,所述钳位单元用于在低边开关管从导通状态到关断状态时,对MOS管的隔离端电压进行钳位。2.如权利要求1所述的低边驱动输出电路,其特征在于,所述钳位单元用于在输出节点的输出电压升高时升高MOS管的隔离端电压,以使MOS管的隔离端电压大于输出节点的输出电压。3.如权利要求1所述的低边驱动输出电路,其特征在于,所述钳位单元包括若干第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的阳极与电源电压相连,所述第一二极管的阴极与第二二极管的阴极以及MOS管的隔离端相连,所述第二二极管的阳极与输出节点相连。4.如权利要求1所述的低边驱动输出电路,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:丛永鑫张奉江
申请(专利权)人:成都思瑞浦微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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