【技术实现步骤摘要】
电平转移电路及芯片
[0001]本专利技术是关于集成电路领域，特别是关于一种电平转移电路及芯片。
技术介绍
[0002]在多电源域系统中，必然会存在电源域之间的信号传递，在这个传递过程中，两个电源域之间就会产生相互干扰，严重的会引起电源轨的波动。在CMOS集成电路中，电源轨波动会带来电源噪声，如果波动更大，可能会引起内部MOS管的栅源电压过压而烧毁，或者MOS管体的寄生体二极管导通，这有可能会引起闩锁效应，同样会严重影响芯片的可靠性。在高压浮动电源域中，电源轨更容易被干扰而产生波动。
[0003]例如，如图1所示，在高低压电源域交互中，信号传递线的电压会被下拉至低于高侧浮动地的电压。这时，如果信号传递线有直接连接NMOS管的漏极，就会使NMOS管的寄生体二极管导通，从而进一步拉低高侧浮动地HVSS的电压，使得高侧浮动地HVSS与高侧浮动电源HVCC之间的压差增大。因此，需要在发现寄生体二极管导通的时候，及时给信号传递线上充电，使其电压升高，从而就不会影响侧浮动地HVSS的电压，保持电源轨的稳定。
[0004]...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电平转移电路，包括：电平输入电路和电平输出电路；所述电平输入电路接入低侧电源域、电平输出电路接入高侧电源域或者所述电平输入电路接入高侧电源域、电平输出电路接入低侧电源域，所述电平输入电路和电平输出电路通过信号传递线相连；其特征在于，所述电平转移电路还包括：稳压电路，通过信号传递线与电平输入电路、电平输出电路相连接，通过调节信号传递线上的电压实现对电平输出电路的稳压；若所述电平输入电路接入低侧电源域、电平输出电路接入高侧电源域，所述稳压电路用于在高侧电源域的高侧浮动地的电压被信号传递线上的电压拉低时升高信号传递线上的电压；若所述电平输入电路接入高侧电源域、电平输出电路接入低侧电源域，所述稳压电路用于在低侧电源域的低侧浮动电源的电压被信号传递线上的电压拉高时降低信号传递线上的电压。2.如权利要求1所述的电平转移电路，其特征在于，所述稳压电路包括：电流产生电路，用于产生电流；以及电流镜电路，用于将所述电流作用于所述信号传递线上，具体为，若所述电平输入电路接入低侧电源域、电平输出电路接入高侧电源域，所述电流镜电路用于将该电流送入信号传递线，进行充电，升高信号传递线上的电压；若所述电平输入电路接入高侧电源域、电平输出电路接入低侧电源域，所示电流镜电路用于将该电流从信号传递线中抽出，进行放电，降低信号传递线上的电压。3.如权利要求2所述的电平转移电路，其特征在于，所述电流产生电路包括第一电阻；若所述电平输入电路接入低侧电源域、电平输出电路接入高侧电源域，所述第一电阻的第一端连接高侧电源域的高侧浮动电源，所述第一电阻的第二端连接电流镜电路；若所述电平输入电路接入高侧电源域、电平输出电路接入低侧电源域，所述第一电阻的第一端连接低侧电源域的低侧浮动地，所述第一电阻的第二端连接电流镜电路。4.如权利要求2所述的电平转移电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；若所述电平输入电路接入低侧电源域、电平输出电路接入高侧电源域，所述第一MOS管的栅极和漏极短接并连接电流产生电路，所述第一MOS管的源极连接高侧电源域的高侧浮动地，所述第二MOS管和第三MOS管的栅极相连并连接第一MOS管的栅极，所述第二MOS管和第三MOS管的漏极连接高侧电源域的高侧浮动电源，所述第二MOS管和第三MOS管的源极通过信号传递线与电平输入电路和电平输出电路相连；若所述电平输入电路接入高侧电源域、电平输出电路接入低侧电源域，所述第一MOS管的栅极和漏极短接并连接电流产生电路，所述第一MOS管的源极连接低侧电源域的低侧浮动电源，所述第二MOS管和第三MOS管的栅极相连并连接第一MOS管的栅极，所述第二MOS管和第三MOS管的漏极连接低侧电源域的低侧浮动地，所述第二MOS管和第三MOS管的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘天涯，王佰平，
申请(专利权)人：成都思瑞浦微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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