包括偏置电压发生器的设备制造技术

一种设备，所述设备包括：共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供应电压范围的电压范围。第一供应电压范围的电压范围。第一供应电压范围的电压范围。

【技术实现步骤摘要】
包括偏置电压发生器的设备


[0001]本公开涉及一种包括共源共栅布置和偏置电压发生器的设备。具体地说，本公开涉及被配置成从电池接收其电力的共源共栅布置和被配置成为此类共源共栅布置提供偏置电压的偏置电压发生器。

技术介绍

[0002]许多电池供电的装置利用包括晶体管的射频(RF)放大器。包括呈共源共栅布置的晶体管的放大器可用于此类电池供电的装置。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供一种设备，所述设备包括：
[0004]共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及
[0005]偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成至少使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供应电压范围的电压范围。
[0006]在一个或多个例子中，所述偏置电压发生器被配置成将所述偏置电压施加到至少两个晶体管中的第一晶体管，其中至少两个晶体管中的第一晶体管还耦合到所述供应电压端，例如直接耦合。
[0007]在一个或多个例子中，第一供应电压范围与第二供应电压范围之间的边界处于来自电池的电压的工作范围内(在一些例子中，可包括电池充电时)并且基于共源共栅布置的两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管的性质。
[0008]在一个或多个例子中，所述共源共栅布置包括两个晶体管，所述两个晶体管包括：
[0009]第一晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第一端被配置成耦合到所述供应电压端；
[0010]第二晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第一端耦合到所述第一晶体管的所述第二端，并且所述第二晶体管的所述第二端被配置成耦合到所述接地端；并且其中
[0011]所述偏置电压发生器被配置成将所述偏置电压提供到所述第一晶体管的所述控制端。
[0012]在一个或多个实施例中，所述共源共栅布置包括至少三个晶体管，所述至少三个晶体管包括：
[0013]第一晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的所述第一端被配置成耦合到所述供应电压端；
[0014]第二晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦合到所述第一晶体管的所述第二端；以及
[0015]第三晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第三晶体管的所述第一端耦合到所述第二晶体管的所述第二端，并且所述第三晶体管的所述第二端被配置成耦合到所述接地端；并且其中
[0016]所述偏置电压发生器被配置成将所述偏置电压提供到所述第一晶体管的所述控制端和所述第二晶体管的所述控制端中的一者或两者。
[0017]在一个或多个实施例中，在第一供应电压范围中，所述偏置电压相对于所述供应电压单调地增加。
[0018]在一个或多个实施例中，在第二供应电压范围中，所述偏置电压相对于所述供应电压单调地增加。
[0019]在一个或多个实施例中，第一供应电压范围包括在2V与4V之间的电压范围。在一个或多个实施例中，第二供应电压范围包括高于3V、3.1V、3.2V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V、3.7V、3.8V、3.9V或4V的电压范围。在一个或多个例子中，第二供应电压范围包括高于4V或高于5V的电压范围。
[0020]在一个或多个实施例中，所述第一供应电压范围和所述第二供应电压范围不重叠并且彼此连续。
[0021]在一个或多个例子中，供应电压可由一次电池或二次电池提供。在一个或多个例子中，供应电压可由用于二次电池的充电电路提供。
[0022]在一个或多个例子中，第一供应电压范围对应于包括阈值电压的电压范围，所述阈值电压对应于偏置电压所施加到的共源共栅布置的晶体管的击穿电压。
[0023]在一个或多个例子中，第一电压范围限定其中将共源共栅布置的晶体管或多个晶体管偏置以提供线性性能的电压范围。
[0024]在一个或多个例子中，第二供应电压范围包括高于所述偏置电压所施加到的共源共栅布置的晶体管的击穿电压的电压。
[0025]在一个或多个实施例中，偏置电压发生器被配置成提供偏置电压，使得至少在第二供应电压范围中，供应电压端处的电压与偏置电压之间的电压差低于预定阈值。
[0026]在一个或多个例子中，所述预定阈值由所述偏置电压所施加到的共源共栅布置的晶体管的击穿电压限定。
[0027]在一个或多个实施例中，所述偏置电压发生器另外包括至少两个电流源布置，并且其中
[0028]所述至少两个电流源布置包括：
[0029]第一电流源布置，其被配置成提供根据第一函数取决于所述供应电压的第一输出电流；以及
[0030]第二电流源布置，其被配置成提供根据不同于所述第一函数的第二函数取决于所述供应电压的第二输出电流；以及
[0031]所述偏置电压发生器另外包括电流到电压转换器，所述电流到电压转换器被配置成生成所述偏置电压，其中所述偏置电压基于由所述至少两个电流源布置提供到所述电流到电压转换器的第一电流和第二电流的总和。
[0032]在一个或多个例子中，所述至少两个电流源布置中的一者或两者包括第一电流源和第二电流源。
[0033]在一个或多个实施例中，第一输出电流根据第一函数取决于供应电压包括第一电流源布置被配置成提供所述第一输出电流以使得所述第一输出电流随着增加的供应电压而增加。因此，第一函数可包括基本上线性函数。
[0034]在一个或多个实施例中，第二输出电流根据第二函数取决于供应电压包括第二电流源布置被配置成提供第二输出电流以使得所述第二输出电流随着增加的供应电压而增加，其中仅在达到阈值供应电压设定点之后将所述第二输出电流提供为高于标称电平，其中所述阈值供应电压设定点大于零。
[0035]在一个或多个例子中，第一电流源布置的第一电流源和第二电流源被配置成提供第一输出电流和第二输出电流，并且其中第二电流源布置的第一电流源和第二电流源被配置成提供第三输出电流和第四输出电流。
[0036]在一个或多个例子中，阈值供应电压设定点高于第一供应电压范围。
[0037]在一个或多个实施例中，
[0038]所述第一电流源布置包括被配置成提供所述第一输出电流的温度相关电流源和供应电压相关电流源，并且
[0039]所述第二电流源布置包括被配置成提供所述第二输出电流的温度相关电流源和供应电压相关电流源。
[0040]在一个或多个例子中，第一电流源布置是被配置成提供第一输出电流的温度相关电流源布置，并且第二电流源布置是被配置成提供第二输出电流的供应电压相关电流源布置。
[0041]在一个或多个实施例中，第一电流源布置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其特征在于，包括，共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成至少使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供应电压范围的电压范围。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述共源共栅布置包括至少三个晶体管，所述至少三个晶体管包括：第一晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的所述第一端被配置成耦合到所述供应电压端；第二晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦合到所述第一晶体管的所述第二端；以及第三晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第三晶体管的所述第一端耦合到所述第二晶体管的所述第二端，并且所述第三晶体管的所述第二端被配置成耦合到所述接地端；并且其中所述偏置电压发生器被配置成将所述偏置电压提供到所述第一晶体管的所述控制端和所述第二晶体管的所述控制端中的一者或两者。3.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其特征在于在所述第一供应电压范围中，所述偏置电压相对于所述供应电压单调地增加。4.根据在前的任一项权利要求所述的设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：