包括偏置电压发生器的设备制造技术

一种设备，所述设备包括：共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供应电压范围的电压范围。第一供应电压范围的电压范围。第一供应电压范围的电压范围。

【技术实现步骤摘要】
包括偏置电压发生器的设备


[0001]本公开涉及一种包括共源共栅布置和偏置电压发生器的设备。具体地说，本公开涉及被配置成从电池接收其电力的共源共栅布置和被配置成为此类共源共栅布置提供偏置电压的偏置电压发生器。

技术介绍

[0002]许多电池供电的装置利用包括晶体管的射频(RF)放大器。包括呈共源共栅布置的晶体管的放大器可用于此类电池供电的装置。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供一种设备，所述设备包括：
[0004]共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及
[0005]偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成至少使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其特征在于，包括，共源共栅布置，其包括两个或更多个晶体管，所述共源共栅布置耦合在用于从电池接收供应电压的供应电压端与接地端之间；以及偏置电压发生器，其被配置成将偏置电压提供到所述共源共栅布置的所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管以偏置所述共源共栅布置，所述偏置电压发生器另外被配置成至少使所述偏置电压在第一供应电压范围中以第一速率随着增加的供应电压而增加以及使所述偏置电压在第二供应电压范围中以大于所述第一速率的第二速率随着增加的供应电压而增加，其中所述第二供应电压范围包括大于所述第一供应电压范围的电压范围。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述共源共栅布置包括至少三个晶体管，所述至少三个晶体管包括：第一晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第一晶体管的所述第一端被配置成耦合到所述供应电压端；第二晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦合到所述第一晶体管的所述第二端；以及第三晶体管，其具有第一端、第二端和控制端，所述第三晶体管的所述第一端耦合到所述第二晶体管的所述第二端，并且所述第三晶体管的所述第二端被配置成耦合到所述接地端；并且其中所述偏置电压发生器被配置成将所述偏置电压提供到所述第一晶体管的所述控制端和所述第二晶体管的所述控制端中的一者或两者。3.根据权利要求1或2中任一项所述的设备，其特征在于在所述第一供应电压范围中，所述偏置电压相对于所述供应电压单调地增加。4.根据在前的任一项权利要求所述的设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：