一种双关断的零功耗启动电路及其工作方法技术

一种双关断的零功耗启动电路及其工作方法，启动电路包括：第一MOS管，第二MOS管，第三MOS管，第四MOS管，第五MOS管和电容；偏置电路进入正常工作状态后，衬偏效应使得第五MOS管阈值电压增大引起第五MOS管截止，同时，第三MOS管的栅极电压增大使得第三MOS管从饱和区转换到亚阈值区，第三MOS管截止，启动电路关闭。启动电路工作总电流在nA级别，通过双支路可靠关断实现启动电路关闭，启动电路的总电流降至pA级别，静态实现零电流，最终实现零功耗；本发明专利技术提出的双关断的零功耗启动电路的电路结构简单，易于集成，特别适用于逻辑开关和存储器等的大规模集成电路。储器等的大规模集成电路。储器等的大规模集成电路。

【技术实现步骤摘要】
一种双关断的零功耗启动电路及其工作方法


[0001]本专利技术属于偏置电流源的启动电路
，具体地，涉及一种双关断的零功耗启动电路及其工作方法。

技术介绍

[0002]偏置电路是模拟集成电路领域的一类应用最为广泛，最为基本的一个模块。偏置电路有两种工作状态，一种是正常工作状态，一种是零电流工作状态。启动电路可以使偏置电路摆脱零点进入正常工作状态，但是在电路正常工作后，启动电路仍然会保持在工作状态，产生不必要的功耗，这与目前低功耗系统的设计理念不符。虽然经过不断的优化，目前偏置源的启动电路静态功耗已经做到很低，但仍然无法实现零功耗。随着低功耗芯片的市场需求越来越大，实现一种零功耗的启动电路成为了低功耗芯片设计者的追求。
[0003]现有技术中，对于零功耗启动电路的设计大都采用数字电路来实现，通过数字信号直接控制启动电路的通断，在正常工作时控制开关管导通，当偏置电路启动完成控制开关管关闭。这种启动电路需要复杂的逻辑控制电路，成本较大，性能较差，且难以与模拟电路进行集成。偏置电路做为电源管理芯片的一个基本模块，现在亟需一种采用模拟方法设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双关断的零功耗启动电路，启动电路用于使偏置电路摆脱零点进入正常工作状态；其特征在于：启动电路包括：第一MOS管，第二MOS管，第三MOS管，第四MOS管，第五MOS管，电容；其中，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均栅漏短接为MOSDiode结构；第一MOS管的源极和衬底均连接供电电压VDD，第一MOS管的漏极连接第二MOS管的漏极；第二MOS管的源极连接第三MOS管的源极和第五MOS管的栅极，第二MOS管的衬底接地；第三MOS管的栅极连接第五MOS管的源极，第三MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第三MOS管的衬底连接第五MOS管的栅极；第四MOS管的源极接地，第四MOS管的衬底接地；第五MOS管的源极连接电容的一端，第五MOS管的衬底接地；电容的另一端接地；偏置电路进入正常工作状态后，衬偏效应使得第五MOS管阈值电压增大引起第五MOS管截止，同时，第三MOS管的栅极电压增大使得第三MOS管从饱和区转换到亚阈值区，第三MOS管截止，启动电路关闭。2.根据权利要求1所述的双关断的零功耗启动电路，其特征在于：偏置电路包括：第六MOS管，第七MOS管，第八MOS管，第九MOS管，第十MOS管，第十一MOS管，第一电阻，第二电阻；第六MOS管的源极和第七MOS管的源极均连接供电电压VDD，第六MOS管的栅极和第七MOS管的栅极均连接第九MOS管的漏极；第六MOS管的衬底和第七MOS管的衬底均连接供电电压VDD；第八MOS管的源极连接第六MOS管的漏极，第九MOS管的源极连接第七MOS管的漏极；第八MOS管的栅极和第九MOS管的栅极均连接第十MOS管的漏极；第八MOS管的衬底连接第八MOS管的源极，第九MOS管的衬底连接第九MOS管的源极；第八MOS管的漏极与第五MOS管的源极、第十一MOS管的漏极、第十MOS管的栅极均连接；第九MOS管的漏极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第十MOS管的漏极；第十MOS管的源极和第十一MOS管的栅极均连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接第十MOS管的衬底；第十一MOS管的源极与衬底均接地，第十MOS管的衬底接地。3.根据权利要求1所述的双关断的零功耗启动电路，其特征在于：第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管构成电流镜。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王镇，杨淼，周俊豪，
申请(专利权)人：南京博芯电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：