Fuse修正判断电路及E-Fuse读写电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种Fuse修正判断电路及E

【技术实现步骤摘要】
Fuse修正判断电路及E
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Fuse读写电路


[0001]本技术属于芯片设计
，具体涉及一种Fuse修正判断电路及E
‑
Fuse读写电路。

技术介绍

[0002]Trimming(修正)是在芯片设计中调整输出结果的方式之一，其应用不仅限于调整电压或电流，亦可调整各种芯片功能或区分不同版本芯片使用，因为实际的工艺、电压、温度造成芯片设计的结果变化，尤其是类比电路设计，经常因为以上原因使得制造出来的芯片与仿真结果不同，故需要一种调整的电路或器件将偏差的结果修正至可接受的范围，本技术中针对的是E
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Fuse(一次可编程存储器)。
[0003]E
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Fuse作为调整输出结果的核心器件，其最大的特性是方便且简易使用，通过Fuse(熔线)本身的烧断与否，或电阻值的开路或短路决定是否调整，主要藉由读写电路将结果传送给其他电路，再利用其数值判断是否作电路数值或功能的调整，但较大的缺点在于只有一次性使用与容易误烧或烧不断，当Fuse无法完全被读写电路判断，将造成整体芯片的规格错误或功能失效，严重的话，甚至造成芯片的烧毁，故读写电路的实践尤其重要，其扮演Trimming是否成功的重要角色，现有技术多为基本的比较原理，无论是电压或电流的比较，主体都是比较Fuse电阻值的开路或短路，进而判别是否Trimming成功，也因为使用的方式是最基本且简易的，存在着在理论上可行但实务上有落差的状况，所以造成的结果往往不如预期，整体来说，就是Trimming不完全的电阻，会因为读写电路的增益或敏感性的不足，使得读写结果不理想。当然，Fuse本身或许存在着不理想的特性，但这不在本技术的讨论范围，本技术着重在读写电路的特性改善。
[0004]因此，针对上述技术问题，有必要提供一种Fuse修正判断电路及E
‑
Fuse读写电路。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种Fuse修正判断电路及E
‑
Fuse读写电路，以提升读写判断的成功率。
[0006]为了实现上述目的，本技术一实施例提供的技术方案如下：
[0007]一种Fuse修正判断电路，所述电路包括：
[0008]电流源单元，包括用于提供第一电流的第一电流源及用于提供第二电流的第二电流源；
[0009]Fuse单元，包括用于修正的第一Fuse及固定阻值的第二Fuse；
[0010]电流源单元，包括电性连接于第一电流源和第一Fuse之间的第一MOS管及电性连接于第二电流源和第二Fuse之间的第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管共栅连接；
[0011]信号输出单元，用于根据第二电流源和第二MOS管之间节点的电压，输出修正信号。
[0012]一实施例中，所述第一电流源的第一端和第二电流源的第一端分别与电源电压相
连；
[0013]所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，且第一MOS管的栅极与漏极相连，第一MOS管的漏极与第一电流源的第二端相连，第二MOS管的漏极与第二电流源的第二端相连，第一MOS管的源极与第一Fuse的第一端相连，第二MOS管的源极与第二Fuse的第一端相连；
[0014]所述第一Fuse的第二端和第二Fuse的第二端分别与地电位相连。
[0015]一实施例中，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。
[0016]一实施例中，所述电流镜单元的增益大于1。
[0017]一实施例中，所述信号输出单元包括反相器，反相器的输入端与第二电流源和第二MOS管之间节点相连，输出端用于输出修正信号。
[0018]一实施例中，所述Fuse修正电路于第一状态下，RFuse＜RFuse_th，反相器的输入端电压大于反相器的电压阈值，反相器输出判定Fuse未修正的第一信号，所述第一信号为低电平信号；
[0019]所述Fuse修正电路于第二状态下，RFuse＞RFuse_th，反相器的输入端电压小于反相器的电压阈值，反相器输出判定Fuse已修正的第二信号，所述第二信号为高电平信号；
[0020]其中，RFuse为第一Fuse的阻值，RFuse_th为第一Fuse的判断阈值。
[0021]一实施例中，所述第一Fuse的判断阈值RFuse_th＝I2/I1*RFuseD，I1和I2分别为第一电流和第二电流的大小，RFuseD为第二Fuse的阻值。
[0022]本技术另一实施例提供的技术方案如下：
[0023]一种E
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Fuse读写电路，所述E
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Fuse读写电路包括上述的Fuse修正判断电路。
[0024]本技术具有以下有益效果：
[0025]本技术通过高增益电流镜，配合Fuse电阻，相较直接与Fuse比较更有调整空间；提高增益能够降低误判的可能性，且能降低对电源或杂讯的敏感性，大幅提高读写判断的成功率。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本技术一对比例中Fuse修正判断电路的电路图；
[0028]图2为本技术一实施例中Fuse修正判断电路的电路图；
[0029]图3为本技术一实施例中Fuse修正判断方法的流程图。
具体实施方式
[0030]为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都应当属于本技术保护的范围。
[0031]为了方便理解本技术实施例，首先在此介绍本技术实施例描述中会引入的几个要素。
[0032]E
‑
Fuse：一次可编程存储器。
[0033]Fuse：熔线，E
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Fuse中用于编程的熔丝。
[0034]Trimming：调整输出的一种方式，不仅限于调整电压或电流，亦可调整各种芯片功能或区分不同版本芯片使用。
[0035]增益：输出信号相对输入信号的比例。
[0036]敏感性：物件对于信号的反应程度。
[0037]电流镜：将一电流复制到另一侧的架构，电流可以相同，也可以放大或缩小。
[0038]参图1所示为本技术一比较例中Fuse修正判断电路的电路图，其包括：
[0039]电流源，用于提供第一电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Fuse修正判断电路，其特征在于，所述电路包括：电流源单元，包括用于提供第一电流的第一电流源及用于提供第二电流的第二电流源；Fuse单元，包括用于修正的第一Fuse及固定阻值的第二Fuse；电流源单元，包括电性连接于第一电流源和第一Fuse之间的第一MOS管及电性连接于第二电流源和第二Fuse之间的第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管共栅连接；信号输出单元，用于根据第二电流源和第二MOS管之间节点的电压，输出修正信号。2.根据权利要求1所述的Fuse修正判断电路，其特征在于，所述第一电流源的第一端和第二电流源的第一端分别与电源电压相连；所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，且第一MOS管的栅极与漏极相连，第一MOS管的漏极与第一电流源的第二端相连，第二MOS管的漏极与第二电流源的第二端相连，第一MOS管的源极与第一Fuse的第一端相连，第二MOS管的源极与第二Fuse的第一端相连；所述第一Fuse的第二端和第二Fuse的第二端分别与地电位相连。3.根据权利要求2所述的Fuse修正判断电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。4.根据权利要求1所述的Fuse修正判断电路，其特征在于，所述电流源单...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐玮廷，何仪修，
申请(专利权)人：江阴市新际科技有限公司，
类型：新型
国别省市：