成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与成膜室连通并对基板进行冷却的冷却室，冷却室具备：供基板移动的通路；以及冷却装置，其配置于处理容器的内壁，包括与通路相对的表面积扩大构造部、以及冷却剂的冷却剂流路。表面积扩大构造部包括从处理容器的内壁朝向通路突出设置的多个突出部，冷却剂流路沿着突出部形成。着突出部形成。着突出部形成。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置


[0001]本专利技术涉及一种成膜装置。

技术介绍

[0002]在(日本)特开2003
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247067号公报中，公开了一种在真空容器中配置的基板上形成膜的真空成膜装置。在该真空容器中，设有由能够开关的挡板24划分的基板配置部和成膜材料滞留部。在真空容器的内部的基板配置部，设有进行朝向基板的膜的形成的成膜区域、和配置于成膜区域的两端、使基板从成膜区域退出并进行基板的冷却处理的冷却区域。
[0003]在冷却区域中，由于成膜而温度上升的基板被夹持在有冷却水等冷却剂循环的冷却片与夹持片之间而被冷却。并且，在(日本)特开2003
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247067号公报中，记载了可以将把冷却片向基板按压来冷却的方法与基于放冷的冷却方法适当组合作为冷却方法。

技术实现思路

[0004]在(日本)特开2003
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247067号公报的真空成膜装置中，冷却区域设置于真空容器的内部，处于真空状态。在真空中，由于与在大气压力中相比，冷却效率下降，因而将基板冷却至期望的温度会耗费时间。并且，如果为了使基板在冷却区域的滞留时间变长而加长冷却室的设备长度，则设备整体会变大。
[0005]本专利技术是鉴于这样的问题而做出的，其目的在于提供一种能够提高冷却效率的成膜装置。
[0006]本专利技术的一方面所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与所述成膜室连通并对所述基板进行冷却的冷却室，所述冷却室具备：供所述基板移动的通路；以及冷却装置，其配置于所述处理容器的内壁，包括与所述通路相对的表面积扩大构造部、以及冷却剂的冷却剂流路。
[0007]另一方面所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内具备：在基板进行真空成膜的成膜室；以及冷却室，其与所述成膜室连通，比所述成膜室的压力高，对所述基板进行冷却。
[0008]另一方面所涉及的成膜装置在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与所述成膜室连通并对所述基板进行冷却的冷却室，所述冷却室具备：冷却容器，其填充有由与成膜材料相同或者包含该成膜材料的材料制成的多个金属球，以所述基板被多个所述金属球包围的状态对所述基板进行保持；以及对所述冷却容器进行冷却的冷却装置。
[0009]根据本专利技术，能够提供一种能够提高冷却效率的成膜装置。
附图说明
[0010]以下，参照附图，对本专利技术的示例性实施例的特征、优点以及技术和工业意义进行说明，其中，相同的附图标记表示相同的元件，其中：图1为示出实施方式1所涉及的成膜装置的构成的图。
图2为示出设置于图1的冷却室的冷却装置的第一例的图。图3为示出设置于图1的冷却室的冷却装置的第二例的图。图4为示出设置于图1的冷却室的冷却装置的第三例的图。图5为示出实施方式2所涉及的成膜装置的构成的图。图6为示出实施方式3所涉及的成膜装置的构成的图。图7为示出设置于图6的冷却室的冷却容器的一例的图。图8为示出在使用实施方式1～3的成膜装置的情况下的工件温度的变化的图。
具体实施方式
[0011]以下参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。为了说明的明确化，以下的记载和附图适当进行省略和简化。在各附图中，对相同要素附以相同的标记，根据需要省略重复说明。需要说明的是，权利要求书所涉及的专利技术不限于以下实施方式，以实施方式说明的构成不一定全部都是用于解决技术问题的技术方案所必需的。
[0012]实施方式1图1是示出实施方式1所涉及的成膜装置10的构成的图。成膜装置10是在真空中在工件(基板)W上形成膜的真空成膜装置。作为这样的真空成膜装置，有离子镀装置和溅镀装置等物理蒸镀装置、或者化学蒸镀装置。例如，在使用溅镀装置形成钛膜的情况下，一边向真空腔室(处理容器)内导入惰性气体(例如氩气)，一边向工件与靶材(成膜材料Ti)之间施加直流电压，使离子化的氩气与靶材相撞，从而使弹飞的钛粒子附着/堆积在工件的表面。
[0013]图1所示的例子是在线方式的成膜装置10。在该成膜装置10中，对由保持件20保持的多个工件W同时进行成膜。如图1所示，成膜装置10包含成膜室11A、11B和冷却室12。如图1中箭头所示，沿着保持件2的移动方向从上游侧依次配置有成膜室11A、冷却室12和成膜室11B。需要说明的是，虽然在这里未图示，但可以在成膜室11A的前段设置加载互锁室(
ロードロック
室)或前处理室等，可以在成膜室11B的后段设置后处理室或加载互锁室等。
[0014]成膜室11A、11B和冷却室12设置于减压后的处理容器C内。冷却室12分别与成膜室11A、11B连通。通过保持件20按图1中的箭头所示的方向移动，并经过成膜室11A和成膜室11B，从而在多个工件W上形成膜。
[0015]例如，由于在物理蒸镀装置中，以200℃～600℃左右的温度进行处理，因此工件的温度也在成膜处理过程中逐渐上升。在在线方式的真空成膜装置中，为了缩短处理时间，设置多个蒸发源13或提高蒸发源的输出功率等，从而使工件的温度上升变得显著。
[0016]在工件使用不锈钢或铝等材料的情况下，存在由于温度上升而导致锐敏化(耐腐蚀性下降)、软质化或者因晶粒的粗大化等导致的刚性下降的问题。此外，在较高工件温度下，向树脂等的成膜实际上变得困难。因此，需要在成膜处理前后使工件温度下降的时间。冷却室12是为了使这样的工件的温度下降而设置的。
[0017]一般而言，冷却室配置于相同处理容器内，与成膜室连通，并且处于真空状态。但真空状态的冷却室与保温瓶同样冷却效率较差，使工件W的温度降低至规定的温度会耗费时间。因此，需要增大(加长)冷却室，从而使包含该冷却室的处理容器(真空腔室)的设置面积变大。因此，存在设备投资费用增加，即产品处理成本增加的问题。
[0018]于是，本专利技术人设计了能够提高冷却室12的冷却效率的构成。热传递方式有(1)辐
射、(2)对流、(3)传导。能够通过这三种方法单独或者组合来使工件W的温度降低。在实施方式中，在在线方式的真空成膜装置中，在成膜室11A与成膜室11B之间设置有采用(1)～(3)的方式的冷却室12。以下对冷却室12的具体构成进行说明。
[0019]在实施方式1中，冷却室12通过辐射进行工件W的冷却。图2是示出设置在图1的冷却室12的成膜装置10的第一例的图。在图2中，示出了从上方观察成膜装置10的图。需要说明的是，在这里仅图示出成膜室11A与冷却室12。
[0020]如图2所示，在成膜室11A中设有两个蒸发源13。沿着保持件20的移动方向依次在右内壁配置有一个蒸发源13，在左内壁配置有一个蒸发源13。
[0021]冷却室12具备通路1和冷却装置2。在冷却室12中，在处理容器C的内壁配置有冷却装置2。在图2所示的例子中，从保持件20的移动方向观察，冷却装置2分别配置在左右内壁。需要说明的是，冷却装置2也可以配置于处理容器C的上下内壁，还可以以围绕通路1的方式配置于上下左右。
[0022]在冷却装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，其中在减压后的处理容器内设有在基板进行真空成膜的成膜室、以及与所述成膜室连通并对所述基板进行冷却的冷却室，其中，所述冷却室具备：供所述基板移动的通路；以及冷却装置，其配置于所述处理容器的内壁，包括与所述通路相对的表面积扩大构造部、以及冷却剂的冷却剂流路。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述表面积扩大构造部包括从所述处理容器的内壁朝向所述通路突出设置的多个突出部，所述冷却剂流路沿着所述突出部形成。3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，所述突出部包括三棱柱状的基部，所述基部的剖面呈朝向所述通路凸出的三角形，所述基部的侧面的延伸方向与从所述成膜室向所述冷却室移动的所述基板的移动方向垂直。4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，所述突出部还具备从所述基部突出的枝部。5.根据权利要求2至4中任一项所述的成膜装置，其中，所述突出部的表面被表面粗化处理。6.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述表面积扩大构造部具备包含开孔的发泡金属。7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置，其中，在所述表面积扩大构造部的所述成膜室侧的端部，设有在缩小所述通路的宽度的方向上伸出的伸出部。8.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置，其中，所述冷却室中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤贵康，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：