层积结构体及层积结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有强抗弯曲性的层积结构体及层积结构体的制造方法。在依次层积了第1钛层(L1)、铝层(L2)以及第2钛层(L3)的本发明专利技术的层积结构体(LS)中，第1钛层和第2钛层具有的结晶结构是在X射线衍射测量的密勒指数的(002)晶面和(100)晶面上具有衍射峰，(002)晶面上的衍射峰的半峰宽为1.0度以下，(100)晶面上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层积结构体及层积结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种依次层积了第1钛层、铝层、第2钛层的层积结构体及层积结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]这种层积结构体在显示器、智能手机或电子书等电子设备中，用作开关元件(薄膜晶体管)的源极/漏极(例如参见专利文献1)。另一方面，伴随近些年的具有可挠性的电子设备的开发，对具有硬度较高的钛层的层积结构体，需要高抗弯曲性。
[0003]通常，层积结构体的钛层、铝层连续在真空气氛中通过溅射法成膜(例如参见专利文献1)。例如，在钛层、铝层的成膜时，将钛材或铝材靶和基材相对配置的真空室内真空排气到规定压力后，向真空室内导入稀有气体(例如氩气)，向靶施加带负电位的直流电力形成等离子体，通过在等离子体中电离的稀有气体的离子对靶进行溅射，从靶飞散的溅射粒子附着堆积在基材上，以所需的薄膜厚度(例如第1钛层设置为50nm、铝层设置为500nm、第2钛层设置为50nm)形成钛层、铝层。此时，考虑生产效率、薄膜厚度分布而设置给靶的施加电力、稀有气体的气体导入量或成膜过程中的真空室内的总压等各种溅射条件(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种依次层积了第1钛层、铝层以及第2钛层的层积结构体，其特征在于：第1钛层和第2钛层具有的结晶结构是在X射线衍射测量的密勒指数的(002)晶面和(100)晶面上具有衍射峰，(002)晶面上的衍射峰的半峰宽为1.0度以下，(100)晶面上的衍射峰的半峰宽为0.6度以下。2.根据权利要求1所述的层积结构体，其特征在于：所述铝层具有的结晶结构是在X射线衍射测量的密勒指数的(111)晶面上具有衍射峰的结晶结构。3.一种依次层积了第1钛层、铝层以及第2钛层的层积结构体的制造方法，其特征在于：包括：通过溅射法，在基材上形成第1钛层的第1工序；在第1钛层上形成铝层的第2工序；以及在铝层上形成第2钛层的第3工序；第1工序和第3工序还包括：真空排气工序，其将配置有钛材靶和基材的真空室内真空排气分别达到氮气的分压为3.0
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【专利技术属性】
技术研发人员：氏原祐辅，若井雅文，须川淳三，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：