谐振LC结构制造技术

一种谐振线圈结构可以包括：多个导体，所述多个导体包括具有第一端和第二端的第一导体、具有第三端和第四端的第二导体、具有第五端和第六端的第三导体以及具有第七端和第八端的第四导体；以及将第一端电耦合至第五端并且将第四端电耦合至第八端的至少一个电耦合导体。导体。导体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振LC结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.119(e)要求于2020年7月15日提交的美国临时申请63/052,265的优先权，该美国临时申请的全部内容在此通过引用并入本文。
[0003]背景
1.

[0004]本文所描述的装置和技术涉及谐振电感/电容(LC)结构。
[0005]2.相关技术的讨论
[0006]能够处理高频(HF)交流电(AC)而不发生高损耗的电磁部件对于构建高性能的磁性部件(例如，在用于电力转换的电感器和变压器以及RF和微波电路中使用的磁性部件)是有用的。电磁部件可以生成用于无线电力传输、感应加热和磁性热疗等应用的外部磁场。

技术实现思路

[0007]一种谐振线圈结构可以包括：多个导体，所述多个导体包括具有第一端和第二端的第一导体、具有第三端和第四端的第二导体、具有第五端和第六端的第三导体以及具有第七端和第八端的第四导体；以及将第一端电耦合至第五端并且将第四端电耦合至第八端的至少一个电耦合导体。
[0008]谐振线圈结构还可以包括：在第一导体与第二导体之间的第一绝缘层，在第二导体与第三导体之间的第二绝缘层，以及在第三导体与第四导体之间的第三绝缘层。
[0009]第一导体、第二导体、第三导体和/或第四导体可以包括多个匝。
[0010]多个导体还可以包括电耦合至电耦合导体的第五导体，所述第五导体具有与第一端对齐的第九端和与第二端对齐的第十端，并且谐振线圈结构还可以包括将第一导体与第五导体分隔开的高损耗电介质。
[0011]多个导体还可以包括电耦合至电耦合导体的第六导体，所述第六导体具有与第三端对齐的第十一端和与第四端对齐的第十二端，并且谐振线圈结构还可以包括将第二导体与第六导体分隔开的高损耗电介质。
[0012]多个导体还可以包括电耦合至电耦合导体的第七导体，所述第七导体具有与第五端对齐的第十三端和与第六端对齐的第十四端，并且谐振线圈结构还可以包括将第三导体与第七导体分隔开的高损耗电介质。
[0013]多个导体还可以包括电耦合至电耦合导体的第八导体，所述第八导体具有与第七端对齐的第十五端和与第八端对齐的第十六端，并且谐振线圈结构还可以包括将第四导体与第八导体分隔开的高损耗电介质。
[0014]高损耗电介质可以包括印刷电路板衬底。
[0015]至少一个电耦合导体可以将第一端、第四端、第五端和第八端中的每个端彼此电耦合。
[0016]谐振线圈结构可以电感耦合至激励导体以电感激励多个导体。
[0017]至少一个电耦合导体可以包括将第一端与第五端电耦合的第一电耦合导体和将第四端与第八端电耦合的第二电耦合导体。
[0018]第一导体至第四导体中的任一导体可以形成在导体层中。
[0019]第一导体至第四导体中的任一导体可以包括箔。
[0020]导体层可以具有C形边缘缠绕形状。
[0021]导体层可以具有桶形缠绕形状。
[0022]多个根据权利要求1所述的谐振线圈结构可以相互连接。
[0023]多个谐振线圈结构可以相互串联连接。
[0024]多个谐振线圈结构的串联连接可以具有环形状，并且每个谐振线圈结构可以延伸至多部分环周。
[0025]多个谐振线圈结构的串联连接可以延伸超过环周的距离的25％。
[0026]多个谐振线圈结构的串联连接可以延伸超过环周的距离的50％。
[0027]第一导体、第二导体、第三导体和第四导体可以彼此电感耦合。
[0028]第一导体、第二导体、第三导体和第四导体中的相邻导体可以彼此电容耦合。
[0029]电耦合导体可以包括镀有或填充有一种或更多种导电材料的一个或更多个导孔、通孔和/或槽。
[0030]至少一个电耦合导体可以将第九端、第十二端、第十三端和第十六端中的每个端彼此电耦合。
[0031]一种低频谐振结构可以包括：围绕中心点布置并且彼此电感耦合的多个堆叠的导体层，多个堆叠的导体层中的连续导体通过相应的电介质层彼此电容耦合，多个堆叠的导体层中的每个导体层具有第一端和第二端；以及电耦合导体，其在多个堆叠的导体层中的第一导体层的第一端处连接至第一导体层，并且在多个堆叠的导体层中的第二导体层的第二端处连接至第二导体层，其中，多个堆叠的导体层围绕中心点形成闭合电流环。
[0032]一种谐振结构可以包括：围绕中心点布置并且彼此电感耦合的多个堆叠的导体层，多个堆叠的导体层中的连续导体通过相应的电介质层彼此电容耦合，多个堆叠的导体层中的每个导体层具有第一端和第二端；在多个堆叠的导体层中的第一导体层的第一端处连接第一导体层的第一导体；以及在多个堆叠的导体层中的第二导体层的第二端处连接第二导体层的第二导体。
[0033]上述概要通过说明性方式提供，而并非意在进行限制。
附图说明
[0034]在附图中，在各个附图中所示出的每个相同或几乎相同的部件由相似的附图标记表示。为了清楚起见，并非在每个附图中标记每个部件。附图不一定是按比例绘制的，而重点在于示出本文所描述的技术和装置的各个方面。
[0035]图1A示出了具有被电介质层分隔开的四个导体层的示例MCIC。
[0036]图1B示出了以边缘缠绕的方式围绕圆柱形的中心心轴或轴缠绕的MCIC。
[0037]图1C示出了通过将图1B的MCIC的端子短接在一起所形成的LFRS。
[0038]图1D示出了图1D的LFRS和电感激励线圈。
[0039]图1E示出了图1C和图1D的LFRS的侧视图。
[0040]图1F和图1G示出了图1C、图1D和图1E的结构的导体的顶视图。
[0041]图1H示出了LFRS的原型的示例。
[0042]图1I示出了针对图1H的原型的相对频率绘制的LFRS的阻抗大小。
[0043]图1J示出了桶形缠绕的LFRS的示例。
[0044]图2A示出了由围绕中心轴缠绕的MCIC串形成的具有四个导电层的LFRS的另一示例，其端子电气连接以形成闭合电流环。
[0045]图2B示出了包括具有C形、彼此分隔开相应的间隙的导体的图2A的LFRS的顶部导电层的顶视图。
[0046]图3A和图3B示出了导体的顶视图，该顶视图示出LFRS的导体可以具有多个同心匝。
[0047]图3C示出了多匝边缘缠绕的LFRS的原型。
[0048]图4A示出了C形导体层的示例。
[0049]图4B示出了修改的MCIC的示例，该修改的MCIC可以由C形导体层(例如，箔)和C形电介质层的交替对构造，其中，一个或更多个C形电介质层由高损耗材料形成。
[0050]图4C示出了修改的LFRS的示例，该修改的LFRS可以由C形导体层(例如，箔)和C形电介质层的交替对构造，其中，一个或更多个C形电介质层由高损耗材料形成。
[0051]图4D示出了图4C的LFRS在进行电连接的点处的侧视图。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振线圈结构，包括：多个导体，包括：具有第一端和第二端的第一导体；具有第三端和第四端的第二导体；具有第五端和第六端的第三导体；以及具有第七端和第八端的第四导体；以及将所述第一端电耦合至所述第五端并且将所述第四端电耦合至所述第八端的至少一个电耦合导体。2.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，还包括：在所述第一导体与所述第二导体之间的第一绝缘层，在所述第二导体与所述第三导体之间的第二绝缘层，以及在所述第三导体与所述第四导体之间的第三绝缘层。3.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述第一导体、所述第二导体、所述第三导体和/或所述第四导体包括多个匝。4.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述多个导体还包括电耦合至所述电耦合导体的第五导体，所述第五导体具有与所述第一端对齐的第九端和与所述第二端对齐的第十端，并且所述谐振线圈结构还包括将所述第一导体与所述第五导体分隔开的高损耗电介质，其中，所述多个导体还包括电耦合至所述电耦合导体的第六导体，所述第六导体具有与所述第三端对齐的第十一端和与所述第四端对齐的第十二端，并且所述谐振线圈结构还包括将所述第二导体与所述第六导体分隔开的高损耗电介质，其中，所述多个导体还包括电耦合至所述电耦合导体的第七导体，所述第七导体具有与所述第五端对齐的第十三端和与所述第六端对齐的第十四端，并且所述谐振线圈结构还包括将所述第三导体与所述第七导体分隔开的高损耗电介质，以及/或者其中，所述多个导体还包括电耦合至所述电耦合导体的第八导体，所述第八导体具有与所述第七端对齐的第十五端和与所述第八端对齐的第十六端，并且所述谐振线圈结构还包括将所述第四导体与所述第八导体分隔开的高损耗电介质。5.根据权利要求4所述的谐振线圈结构，其中，所述高损耗电介质包括印刷电路板衬底。6.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述至少一个电耦合导体将所述第一端、所述第四端、所述第五端和所述第八端中的每个端彼此电耦合。7.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述谐振线圈结构电感耦合至激励导体以电感激励所述多个导体。8.根据权利要求1至5或权利要求7中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述至少一个电耦合导体包括将所述第一端与所述第五端电耦合的第一电耦合导体和将所述第四端与所述第八端电耦合的第二电耦合导体。9.根据前述权利要求中任一项所述的谐振线圈结构，其中，所述第一导体至所述第四导体中的任一导体形成在导体层中。...

【专利技术属性】
技术研发人员：觉绍昂，阿伦，
申请(专利权)人：共鸣链有限公司，
类型：发明
国别省市：