一种合成萘化合物的方法技术

技术编号:37462357 阅读:12 留言:0更新日期:2023-05-06 09:35
本发明专利技术属于萘合成技术领域,具体涉及一种合成萘化合物的方法,该反应通式为:其中,X为取代基,优选为氢基或卤素,所述R1为芳环或芳杂环,优选为苯基或噻吩,并提供了具体步骤。本发明专利技术解决了现有工艺的缺陷,采用碳碳三键取代基团的底物配合羟基进行萘环骨架的合成。的底物配合羟基进行萘环骨架的合成。的底物配合羟基进行萘环骨架的合成。

【技术实现步骤摘要】
一种合成萘化合物的方法


[0001]本专利技术属于萘合成
,具体涉及一种合成萘化合物的方法。

技术介绍

[0002]萘是最简单的稠环芳烃,是一种极具吸引力的结构骨架,广泛存在于各种具有生物活性的天然产物中。常见的萘化合物有萘夫西林、Cambinol、萘普生、和维帕他韦,其中,萘夫西林由于其令人满意的抗微生物作用,已被用作抗微生物药物。此外,它们还在纳米技术、电子材料、超分子化学中发挥重要作用。所以如何从简单易得的原料简洁、高效地构筑萘环骨架一直是有机和药物合成领域共同关注的重要课题之一。
[0003]在过去几年里,合成化学家们陆续开发了一些高效构筑萘环骨架的方法。我们的注意力被那些使用炔烃作为伴侣的路易斯酸催化的分子间成环所吸引,因为它们操作简单,底物易得。路易斯酸催化的(2

苯乙基)羰基和炔烃之间的分子间加成最初形成第一个C

C键。然后,原位形成的烯基碳正离子经过分子内Friedel

Crafts反应,生成萘产物。在这些串联方法中,一锅生成了两个新的C

C键和一个新的苯环。然而,由于第一个C

C键的形成困难,它们中的一些存在反应时间长和产率低的缺点。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的问题,本专利技术提供一种合成萘化合物的方法,采用碳碳三键取代基团的底物配合羟基进行萘环骨架的合成。
[0005]为实现以上技术目的,本专利技术的技术方案是:
[0006]一种合成萘化合物的方法,包括:
[0007][0008]其中,X为取代基,优选为氢基或卤素,所述R1为芳环或芳杂环,优选为苯基或噻吩。
[0009]所述促进剂采用Tf2O、TfOH、TsOH
·
H2O中的一种,优选为Tf2O。
[0010]所述溶剂采用三氯甲烷或DCM,优选为三氯甲烷。
[0011]所述温度为25

100℃,优选为80℃。
[0012]所述反应时间为0.5

4h,优选为3h。
[0013]进一步的,所述合成萘化合物的方法的具体步骤包括:
[0014]在耐压管内,把化合物1(0.2mmol,1.0equiv.)、溶剂(1.5mL)和促进剂(0.1mmol,0.5equiv.)混合,在空气氛围下油浴反应,反应结束后在反应混合物中加入5mL水并用12mL
乙酸乙酯分三次进行萃取,收集有机层;有机层用Na2SO4干燥后减压旋蒸,然后通过硅胶柱色谱用石油醚作为洗脱剂纯化得到产物2。
[0015]所述溶剂采用三氯甲烷。
[0016]所述促进剂采用三氟甲磺酸酐。
[0017]所述油浴反应的温度为80℃。
[0018]所述油浴反应的时间为3h。
[0019]从以上描述可以看出,本专利技术具备以下优点:
[0020]本专利技术解决了现有工艺的缺陷,首次采用碳碳三键取代基团的底物配合羟基进行萘环骨架的合成,不仅有效的降低了反应难度,提高反应效率,而且无需贵金属催化剂,反应条件温和。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例1中的1

甲基
‑3‑
苯基萘的核磁氢谱图;
[0022]图2是本专利技术实施例1中的1

甲基
‑3‑
苯基萘的核磁碳谱图;
[0023]图3是本专利技术实施例2中的2

(4

甲基萘
‑2‑
基)噻吩的核磁氢谱图;
[0024]图4是本专利技术实施例2中的2

(4

甲基萘
‑2‑
基)噻吩的核磁碳谱图;
[0025]图5是本专利技术实施例3中的6


‑1‑
甲基
‑3‑
苯基萘的核磁氢谱图;
[0026]图6是本专利技术实施例3中的6


‑1‑
甲基
‑3‑
苯基萘的核磁碳谱图。
具体实施方式
[0027]结合附图1至附图6,详细说明本专利技术的具体实施例,但不对本专利技术的权利要求做任何限定。
[0028]一种合成萘化合物的方法,其通用反应式为:
[0029][0030]其中,X为取代基,优选为氢基或卤素,所述R1为芳环或芳杂环,优选为苯基或噻吩。
[0031]具体步骤包括:
[0032]在耐压管内,把化合物1(0.2mmol,1.0equiv.)、溶剂(1.5mL)和促进剂(0.1mmol,0.5equiv.)混合,在空气氛围下油浴反应,反应结束后在反应混合物中加入5mL水并用12mL乙酸乙酯分三次进行萃取,收集有机层。有机层用Na2SO4干燥后减压旋蒸,然后通过硅胶柱色谱用石油醚作为洗脱剂纯化得到产物2。
[0033]s1,温度的选择:
[0034]按照上述具体步骤进行反应,其反应式如下:
[0035][0036]反应条件包括:把1a(0.1mmol,1.0equiv),Tf2O(0.05mmol,0.5equiv)在空气氛围下的CHCl3(1.5mL)中不同温度反应3小时。该反应数据如下:
[0037] 温度/℃2a产率/%12519240413605548075510064
[0038]从上述数据可以看出,在80℃下产物2的产率最高,即,油浴反应的温度优选为80℃。
[0039]s2,反应时间选择
[0040]按照上述具体步骤进行反应,反应式与s1相同,反应条件包括:把1a(0.1mmol,1.0equiv),Tf2O(0.05mmol,0.5equiv)在空气氛围下的CHCl3(1.5mL)中80℃下反应不同时间。该反应数据如下:
[0041] 时间/h2a产率/%10.5452153326043755466
[0042]从上述数据可以看出,在3h下产物2的产率最高,即,油浴反应的时间优选为3h。
[0043]s3,溶剂的选择:
[0044]按照上述具体步骤进行反应,反应式与s1相同,其反应条件包括:把1a(0.1mmol,1.0equiv),Tf2O(0.05mmol,0.5equiv)在空气氛围下的不同溶剂(1.5mL)中80℃下反应3h。该反应数据如下:
[0045] 溶剂2a产率/%1CHCl3752DCM243DMSO04DMF05THF0
[0046]从上述数据可以看出,在CHCl3和DCM下有产物2a,且CHCl3的产率较高,即,该反应的溶剂优选为CHCl3。
[0047]s4,促进剂的选择
[0048]按照上述具体步骤进行反应,反应式与s1相同,其反应条件包括:把1a(0.1mmol,1.0equiv),促进剂在空气氛围下的CHCl3(1.5mL)中80℃下反应3h。该反应数据如下本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种合成萘化合物的方法,其特征在于:包括:其中,X为取代基,优选为氢基或卤素,所述R1为芳环或芳杂环,优选为苯基或噻吩。2.根据权利要求1所述的合成萘化合物的方法,其特征在于:所述促进剂采用Tf2O、TfOH、TsOH
·
H2O中的一种。3.根据权利要求1所述的合成萘化合物的方法,其特征在于:所述溶剂采用三氯甲烷或DCM。4.根据权利要求1所述的合成萘化合物的方法,其特征在于:所述温度为25

100℃。5.根据权利要求1所述的合成萘化合物的方法,其特征在于:所述反应时间为0.5

4h。6.根据权利要求1所述的合成萘化合物的方法,其特征在于:所述合成萘化合物的方法的具体步骤包括:...

【专利技术属性】
技术研发人员:虞国棋张浙冰蔡涛罗艳娟商甜波曹瑞伟陈龙请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:浙江昌海制药有限公司
类型:发明
国别省市:

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