一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材。本发明专利技术IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。同时能够达到较高的致密度和导电性。

【技术实现步骤摘要】
一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体材料制备
，具体涉及一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]氧化物半导体薄膜具有高电子迁移率、高透光率和低生长温度的优异特性，有望取代传统的硅基薄膜晶体管，成为下一代显示技术驱动器件。在已知的氧化物半导体薄膜中，非晶态IZO薄膜又是最优异的材料之一。现今，IZO薄膜主要采用磁控溅射进行制备，该方法需要使用高性能的IZO靶材，而IZO靶材的相对密度、微结构等性质又对溅射薄膜性能的影响关系密切。因此，要想得到高性能的a
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IZO，首先需要获取高品质的IZO靶材。
[0003]为了改善IZO靶材中的性能，现在技术进行了多种改善；通过向IZO靶材中共掺入Ga、Sn和Nb元素，得到了更高致密度、抗压强度和导电性的靶材。
[0004]如专利CN 113651598 A公开了一种IZO掺杂靶材，所述靶材的靶胚由下列质量份数的氧化物烧结而成：In2O
3 90份、ZnO 8份、Ga2O
3 1<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅镀用IZO掺杂靶材，其特征在于，由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。2.根据权利要求1所述的一种溅镀用IZO掺杂靶材，其特征在于，所述IZO掺杂靶材的质量百分含量组成为：氧化铟95.58％～99.74％，氧化锌0.06％～4.22％，掺杂氧化物≤0.2％。3.根据权利要求1或2所述的一种溅镀用IZO掺杂靶材，其特征在于，所述IZO掺杂靶材相对密度大于98.5％，电阻率＜5mΩ﹒cm，50～300nm的气孔＜10个/2600μm2。4.权利要求1～3任一项所述的一种溅镀用IZO掺杂靶材的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：(1)将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；(2)将步骤(1)所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末；(3)将步骤(2)所得造粒粉末经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材。5.根据权利要求4所述的一种溅镀用IZO掺杂靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸系化合物、聚乙烯酸盐中的一种或多种，分散剂的加入量为氧化铟粉末和氧化锌粉末总质量的3％～10％。6.根据权利要求4所述的一种溅镀用IZO掺杂靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述粘结剂为聚乙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭洪蕾，邵学亮，李开杰，钟小华，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：