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本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、...
该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。

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