转移基板、制备方法和LED芯片的巨量转移方法技术

本申请涉及一种转移基板，其包括：临时基板以及键合层，其中，所述键合层设置于所述临时基板上，所述键合层背对所述临时基板的一侧开设多个凹槽，所述凹槽用于容置LED芯片，从而使得所述LED芯片在所述转移基板的所述凹槽中不会出现偏移等情况，也使得弹性印模便于对所述LED芯片进行抓取转移，从而增加了所述LED芯片的巨量转移良率。本申请还提供了一种转移基板的制备方法以及一种LED芯片的巨量转移方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
转移基板、制备方法和LED芯片的巨量转移方法


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种挖孔式的转移基板、一种转移基板的制备方法以及一种LED芯片的巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)作为新一代的显示技术，与传统LED相比，其具有更高的光电效率、更高的亮度、更高的对比度以及更低的功耗。随着制程的成熟和价格的下降，近年来基于Micro LED芯片的相关显示产品越来越多，例如电视机、手机屏等。由于显示产品对于像素错误的容忍度较低，因此提升转移Micro LED芯片的良率对提高显示产品的良率尤为重要。
[0003]目前，Micro LED芯片常用的转移方法包括：静电力、范德华力、磁力、激光选择转移、流体转移以及直接转移，其中，当前使用较多的转移方式就是范德华力，范德华力使用弹性印模对Micro LED芯片进行选择性拾取转移至衬底。然而，由于Micro LED芯片与衬底紧密结合，导致Micro LED芯片无法被弹性印模抓取，因此需要将Micro L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，所述转移基板包括：临时基板以及键合层，其中，所述键合层设置于所述临时基板上，所述键合层背对所述临时基板的一侧开设多个凹槽，所述凹槽用于容置LED芯片。2.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述键合层是由多个氧化硅球体通过胶材键合形成的氧化硅层，其中，所述氧化硅球体的球径为10
‑
100um。3.如权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凹槽的刻蚀深度小于所述LED芯片的厚度。4.一种转移基板的制备方法，用于制备如权利要求1
‑
3任一项所述的转移基板，其特征在于，所述制备方法包括：提供一临时基板；在所述临时基板上制备键合层；在所述键合层背对所述临时基板的一侧开设多个凹槽。5.一种LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括：提供外延片，通过所述外延片得到多个LED芯片；制备如权利要求1
‑
3任一项所述的转移基板；将多个所述LED芯片容置于所述转移基板的凹槽内，去除所述外延片的衬底层；将所述外延片得到的多个所述LED芯片转移至背板上，多个所述LED芯片的第一电极和第二电极与所述背板电连接。6.如权利要求5所述的LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述提供外延片，通过所述外延片得到多个LED芯片，包括：提供包括多个外延结构的外延片，在所述外延片上形成多个开口，每个所述开口对应一个所述外延结构设置，且将所述外延结构形成第一区域和第二区域；在所述外延片上形成多个开槽，每个所述开槽设置于相邻的两个所述外延结构之间；在所述外延片中位于所述第一区域的第二半导体层上形成金属层；形成覆盖所述外延片和所述金属层的绝缘保...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，曹进，赵世雄，王子川，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：