发光二极管及发光装置制造方法及图纸

一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一半导体层（121）、第二半导体层（123）及介于两者之间的有源层（122），该半导体层序列具有第一台面（M1）及位于第一台面（M1）之上的第二台面（M2），第一台面（M1）邻近第二台面（M2）的位置具有电流阻断部（131）及位于电流阻断部（131）下方的电流导通部（132）；第一半导体层（121）具有一远离有源层（122）的第一表面（S1），第一台面（M1）具有远离第一表面（S1）的第二表面（S2），第二表面（S2）与第一表面（S1）的距离大于或者等于第一半导体层（121）厚度的一半，电流导通部（132）在半导体层序列的厚度方向上的高度（D2）为第一半导体层（121）厚度的1/5至1/2。该发光二极管可以提升载流子注入效率。升载流子注入效率。升载流子注入效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能量等，并且能够不同地用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。
[0003]近年来，紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值引起了人们的高度关，成为了新的研究热点。紫外LED采用含有Al组分的III族氮化物半导体材料。但是包含Al的氮化物半导体的电阻率较高，因此在用于n型半导体层的情况导致载流子注入效率低下。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于：提供一种发光二极管及发光装置，其可以有效提升发光二极管的载流子注入效率。
[0005]在一些实施例中，本专利技术提供了一种发光二极管，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，该半导体层序列具有第一台面及位于所述第一台面之上的第二台面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，该半导体层序列具有第一台面及位于所述第一台面之上的第二台面，所述第一台面邻近所述第二台面的位置具有电流阻断部及位于所述电流阻断结构下方的电流导通部，所述第二台面为发光台面；第一接触电极，形成于所述第一台面上，与所述第一半导体层形成电连接；第二接触电极，形成于所述第二台面上，与所述第二半导体层形成电连接；其特征在于：所述第一半导体层为n型掺杂的AlGaN半导体层，具有一远离所述有源层的第一表面，所述第一台面具有远离所述第一表面的第二表面，第二表面与所述第一表面的距离大于或者等于所述第一半导体层厚度的一半，所述电流导通部在所述半导体层序列的厚度方向上的高度为所述第一半导体层厚度的1/5至1/2。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二台面具有一远离所述第二表面的第三表面，所述半导体层序列具有连接第二表面和第三表面的侧壁，所述电流阻断部与所述侧壁具有一距离。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二表面与所述电流导通部的距离大于500nm。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流阻断部为连续分布或者间断式分布。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流阻断部的宽度为0.1~10μm。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述有源层为具有n型掺杂的AlGaN半导体层，其掺杂浓度为1
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/cm3以上，所述有源层的带隙低于第一半导体层的带隙。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二半导体层包含依次层叠的电子阻挡层及p型AlGaN半导体层，所述第一台面的第二表面在所述半导体层序列的叠层厚度方向上的高度介于所述有源层与所述电子阻挡层之间。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二半导体层包含依次层叠的第一高掺杂层、电子阻挡层和第二高掺杂层，其中第一高掺杂层掺杂浓度为1
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/cm3以上，电子阻挡层的掺杂浓度为1
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/cm3以上，第二高掺杂层的掺杂浓度为5
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/cm3以上。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一台面的第二表面位于所述第一高掺杂层中。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层包含具有第一掺杂浓度的第一子层和具有第二掺杂浓度的第二子层，其中第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，所述第一接触电极与所述第一子层直接接触。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层层包含具有第一掺杂浓度的第一子层和具有第三掺杂浓度的第三子...

【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，陈思河，陈功，臧雅姝，张中英，彭康伟，曾炜竣，曾明俊，龙思怡，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：