一种复合电极结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电极，尤其是一种设置在胶膜上的电极。主要是在一载体上开设具有高深宽比的槽/孔，并于所开设的槽/孔内填入铜、银，或铜

【技术实现步骤摘要】
一种复合电极结构


[0001]本专利技术涉及封装胶膜
，尤其是一种涉及一种设置于封装胶膜上的复合电极结构。

技术介绍

[0002]随着传统能源的日益枯竭以及环境污染问题的日益严重，绿色能源
‑
光伏发电技朮则愈来愈受到重视以及关注，此则因为这种发电方式被认为是重要的可再生清洁能源。而提高光伏电池的光电转换效率、降低发电成本，使其与传统的电网发电成本相比具有竞争力是光伏产业的目标。
[0003]目前产业化晶体硅太阳电池前表面电极是利用丝网印刷银浆并烧结工艺或者电镀工艺来形成图案化的栅线(电极)；而丝网印刷栅线或电极以及之后的烧结工艺虽然简单，且产能也高，但丝网印刷的成品率会受到丝网、导电浆料性质的影响，丝网印刷电极的线宽范围在30μm～100μm，很难突破技朮屏障来降低线宽，这就造成了具有较宽线宽所形成的导线(电极)会造成下列的二个缺失：
[0004]1.电浆用量大，导致成本居高不下；
[0005]2.电极(导线)对硅片的覆盖率大，造成电池光电转换效率的低下。
[0006]因此，如何降低表面电极的线宽、减少导电电浆的用量和提高光电转换效率
‑
增加电池的收光效率(面积)都再再的成为行业中重要的课题；同时，利用电镀工艺形成表面电极则需要经过涂胶、曝光、蚀刻、电镀...等，光序复杂，成本高，且对环境造成巨大的负担，而且，裸露的铜也容易在空气中形成氧化。
[0007]在CN216958047U中，其提到了相邻第一转印凹槽组之间的距离为第一距离,相邻第二转印凹槽组之间的距离为第二距离，相邻第一转印凹槽之间的距离为第三距离，相邻第二转印凹槽之间的距离为第四距离。优选地，第一距离大于第三距离，第二距离大于第四距离。在一些实施例中，第一转印凹槽和第二转印凹槽的宽度范围为2μm
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50μm，第一转印凹槽和第二转印凹槽的深度范围为2μm
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40μm。在这前案中，其提及藉由此种方式设置的电极，可以
[0008]1.大大降低电极的宽度；
[0009]2.提高太阳能电池的透过率；
[0010]3.降低了导电材料层材料的用量。
[0011]其中，也提及了一电极薄膜是和太阳能电池模组通过层压贴合，亦即是说，在此前案中，其是利用一预置的电极模组来和太阳能电池来结合。而在其详细说明书中，此预置的电极则是利用着第一距离、第二距离、第三距离以及第四距离来实施一种类似交错排列的梯度电极，换句话说，在现有技术中，藉由亲疏排列的方式来达到减少导电电浆的使用量，而且，由于具有亲疏的不同排列，对于光的遮蔽也就较之以往的结构来的小，以致其光电转换效率也较往常的结构来的好。

技术实现思路

[0012]为克服现有技术中心存在的缺陷，本专利技术提供了一种复合电极结构，主要是藉由不同的方式来迖到现有技术相同的效益。
[0013]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于受限结构楼盖下旋转钢梯分段平移安装方法，包括：
[0014]载体，所述载体上定义有复数槽，且所述复数槽的每一槽的深宽比大于1.5。
[0015]较佳地，所述复数槽的每一槽可以是矩形、梯形、椭圆形、三角形或其中之混合，且所述复数槽的每一槽間隔小于1厘米。
[0016]较佳地，所述载体包括了一胶层和一支撑层。
[0017]较佳地，所述支撑层选自PET、PEN、PCT、PC、PETG、PMMA、PE、PP、PVA、离聚物透明片材或任何透明并具有预定硬度的塑料体。
[0018]较佳地，所述复数槽的每一槽具有10um
‑
200um的宽度以及15um
‑
300um的深度。
[0019]较佳地，所述复数槽内具有导电材料。
[0020]较佳地，所述导电材料为一复合材料。
[0021]较佳地，所述导电材料选自铜、银、导电胶、铝、錫
‑
鉍合金、石墨、銅合金、銀合金、铜
‑
银混合物或铜
‑
镍混合物其中的一种或是多种的混合。
[0022]较佳地，所述复数槽是选择性地设置在所述载体的一平面或是相对的二平行面上。
[0023]较佳地，所述复数槽是设置在所述载体的相对的二平行面上，且所述复数槽内具有导电材料。
[0024]较佳地，所述载体上定义有复数贯通所述载体的通孔，且所述复数通孔的每一通孔的深宽比大于1.5。
[0025]较佳地，所述复数通孔的每一通孔可以是矩形、梯形、椭圆形、三角形或其中之混合，且所述复数通孔的每一通孔間隔小于1厘米。
[0026]较佳地，所述载体包括了一胶层和一支撑层。
[0027]较佳地，所述支撑层选自PET、PEN、PCT、PC、PETG、PMMA、PE、PP、PVA、离聚物透明片材或任何透明并具有预定硬度的塑料体。
[0028]较佳地，所述复数通孔的每一通孔具有10um
‑
200um的宽度以及15um
‑
300um的深度。
[0029]较佳地，所述复数通孔内具有导电材料。
[0030]较佳地，所述导电材料选自铜、银、导电胶、铝、锡合金、錫
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鉍合金、石墨、铜
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银混合物或铜
‑
镍混合物、铜合金、银合金其中的一种或是多种的混合。
[0031]较佳地，所述载体包括了一胶层和一支撑层，所述导电材料的一自由端是具有一焊带，且所述焊带是选自锡/铋合金、锡合金、银浆或导电胶。
[0032]较佳地，所述导电材料的另一自由端，且相对于所述焊带处是具有油墨。
[0033]较佳地，尚包括一层设置在所述胶层上，且和所述胶层直接接触的保护层。
[0034]较佳地，尚包括一层设置在所述胶层上，且和所述胶层直接接触的保护层。
[0035]较佳地，尚包括一层设置在所述油墨一侧，且和所述载体直接接触的粘结层。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1是电极结构第一实施例的结构示意剖視图。
[0038]图2是电极结构第二实施例的结构示意剖視图。
[0039]图3是电极结构第三实施例的结构示意剖視图。
[0040]图4是电极结构第四实施例的结构示意剖視图。
[0041]图5是电极结构第五实施例的结构示意剖視图。
[0042]图6是电极结构第六实施例的结构示意剖視图。
[0043]图7是电极结构第七实施例的结构示意剖視图。
[0044]图8是电极结构第八实施例的结构示意剖視图。
具体实施方式
[0045]为了能够更清楚地理解本专利技术的
技术实现思路
，特举以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合电极结构，其特征在于，包括载体，所述载体上定义有复数槽，且所述复数槽的每一槽的深宽比大于1.5。2.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数槽的每一槽可以是矩形、梯形、椭圆形、三角形或其中之混合，且所述复数槽的每一槽間隔小于1厘米。3.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述载体包括了一胶层和一支撑层。4.如权利要求2或3所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述支撑层选自PET、PEN、PCT、PC、PETG、PMMA、PE、PP、PVA、离聚物透明片材或任何透明并具有预定硬度的塑料体。5.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数槽的每一槽具有10um
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200um的宽度以及15um
‑
300um的深度。6.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数槽内具有导电材料。7.如权利要求6所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述导电材料为一复合材料。8.如权利要求6或7所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述导电材料选自铜、银、导电胶、铝、錫
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鉍合金、石墨、銅合金、銀合金、铜
‑
银混合物或铜
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镍混合物其中的一种或是多种的混合。9.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数槽是选择性地设置在所述载体的一平面或是相对的二平行面上。10.如权利要求9所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数槽是设置在所述载体的相对的二平行面上，且所述复数槽内具有导电材料。11.如权利要求1所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述载体上定义有复数贯通所述载体的通孔，且所述复数通孔的每一通孔的深宽比大于1.5。12.如权利要求11所述的一种复合电极结构，其特征在于：所述复数通孔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李民，
申请(专利权)人：上海海优威应用材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：