一种背接触太阳能电池及光伏组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；第一半导体层至少具有位于第一导电区上的第一部分；第二半导体层至少具有位于第二导电区上的第二部分；预留块在第一表面上的第一投影落在绝缘隔离区中，第一投影的面积小于绝缘隔离区的面积，且第一投影和第一导电区、第二导电区均具有间隙。该预留块基本没有受到激光刻蚀，该预留块所覆盖的部分基本没有受到激光刻蚀，减少了激光损伤，提升了开路电压和填充因子，提升了电池的可靠性。了电池的可靠性。了电池的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种背接触太阳能电池及光伏组件


[0001]本技术涉及光伏
，特别是涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池能将光能直接转换为电能用于生产生活中，具备高效、清洁、独立、可持续等优点，对于解决能源危机和生态危机具有重要的战略意义，因此具有广阔的应用前景。
[0003]虽然有多种类型的太阳能电池，例如由化合物半导体或有机材料制成的太阳能电池，但目前主流的是由晶体硅制成的太阳能电池。太阳能电池按其结构形式分为：双面电极结构的太阳能电池，其中电极分别设置在入射光的主要接收表面和与入射光的主要接收表面相对的背光面上。以及具有仅在背光面设置电极的结构。具有背面电极结构的太阳能电池的优点在于，因为在入光面上不存在电极，所以可以增加入射太阳光的量，减少因入光面电极遮挡导致的电流损失。然而现有的背接触太阳能电池背面的正负极栅线的间隙在制成的过程中容易发生过刻，降低了背接触太阳能电池产品性能和良率。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种背接触太阳能电池及光伏组件，旨在提升现有的背接触太阳能电池的电池性能及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底包括第一表面，所述硅基底第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；所述第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；所述第一半导体层至少具有位于所述第一导电区上的第一部分；所述第二半导体层至少具有位于所述第二导电区上的第二部分；所述预留块在所述第一表面上的第一投影落在所述绝缘隔离区中，所述第一投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积，且所述第一投影和所述第一导电区、所述第二导电区之间均具有间隙。2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一半导体层还具有位于所述绝缘隔离区上的第三部分；所述太阳能电池还包括位于所述第三部分上的介电阻挡层；所述第二半导体层还具有位于所述介电阻挡层上的第四部分；所述第四部分在所述第一表面上的第二投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第二投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第四部分。3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括位于所述绝缘隔离区上的绝缘层；所述第二半导体层还具有位于所述绝缘层上的第五部分，以及位于所述第一部分上的第六部分；所述第五部分在所述第一表面上的第三投影落在所述绝缘隔离区中，且所述第三投影的面积小于所述绝缘隔离区的面积；所述预留块包括至少局部所述第五部分。4.根据权利要求2或3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二半导体层的厚度，大于或等于所述第一半导体层的厚度；所述厚度所在的方向和第一方向平行；所述第一方向为沿着远离所述硅基底的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐喜颜，孙召清，周生厚，邓小玉，叶枫，方亮，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：