一种片上变压器及半导体器件制造技术

一种片上变压器及半导体器件，包括：基底；设置于基底上且呈“8”字型的第一线圈和第二线圈，第一线圈由第一导线缠绕而成，第一线圈包括第一交叉区域和分别位于第一交叉区域两侧的第一部分和第二部分，流过第一线圈的第一部分的电流在第一旋转方向上螺旋，流过第一线圈的第二部分的电流在第二旋转方向上螺旋，第一旋转方向和第二旋转方向为相反的旋转方向；介质层，设置于第一线圈上；第二线圈由第二导线缠绕而成，第二线圈包括第二交叉区域和分别位于第二交叉区域两侧的第一部分和第二部分，流过第二线圈的第一部分的电流在第二旋转方向上螺旋，流过第二线圈的第二部分的电流在第一旋转方向上螺旋。本申请的片上变压器能够抵消外界磁场的电磁干扰。外界磁场的电磁干扰。外界磁场的电磁干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种片上变压器及半导体器件


[0001]本申请涉及数字隔离器
，具体而言涉及一种片上变压器及半导体器件。

技术介绍

[0002]线圈耦合的数字隔离器应用场景包括：组件保护、用户安全、信号电平转换和遵守安全规定的系统要求。通过片上变压器的方式来实现两侧信号隔离的技术，可以实现片上变压器相对耐压值达数千伏。在高电压大电流的恶劣工作环境中面临电磁干扰(EMI)问题，如何最大限度抑制EMI成为人们关心的问题。
[0003]目前磁隔离采用的耦合线圈通常是由两层螺旋线圈(主线圈和次线圈)组成，这种线圈的主要问题是容易受到恶劣的电磁环境干扰(EMI)，外界的磁场在线圈中感应出电流，干扰线圈中的信号电流，最终导致产生误码。在特定的情况下耦合线圈泄露的磁场也会干扰其他电路的工作。
[0004]因此有必要提出一种新的片上变压器及半导体器件，以至少部分解决上述问题。

技术实现思路

[0005]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上变压器，其特征在于，包括：基底；第一线圈，设置于所述基底上，所述第一线圈呈“8”字型，所述第一线圈经由第一导线缠绕而成，所述第一线圈包括第一交叉区域、和分别位于所述第一交叉区域两侧的第一部分和第二部分，所述第一线圈的形状构造成：使得流过所述第一线圈的第一部分的电流在第一旋转方向上螺旋，并使得流过所述第一线圈的第二部分的电流在第二旋转方向上螺旋，所述第一旋转方向和所述第二旋转方向为相反的旋转方向；介质层，设置于所述第一线圈上；第二线圈，设置于所述介质层上，所述第二线圈呈“8”字型，所述第二线圈经由第二导线缠绕而成，所述第二线圈包括第二交叉区域、和分别位于所述第二交叉区域两侧的第一部分和第二部分，所述第二线圈的形状构造成：使得流过所述第二线圈的第一部分的电流在第一旋转方向上螺旋，并使得流过所述第二线圈的第二部分的电流在第二旋转方向上螺旋；其中所述介质层位于所述第一线圈与所述第二线圈之间，所述第一线圈和所述第二线圈在与所述基底表面垂直的方向上交叠。2.根据权利要求1所述的片上变压器，其特征在于，所述第一线圈的第一部分和所述第二线圈的第一部分在与基底表面垂直的方向上交叠，所述第一线圈的第二部分和所述第二线圈的第二部分在与基底表面垂直的方向上交叠，外界干扰磁场在所述第一线圈的第一部分和所述第二线圈的第一部分中产生第一电动势，外界干扰磁场在所述第一线...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仁豪，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：