一种废水处理工艺制造技术

一种废水处理工艺，依次包括以下工艺流程：均和曝气、中和混凝沉淀、高级催化氧化、冷却结晶、浓缩分离和MVR蒸发分离，通过高级催化氧化技术除去废水中的大分子有机物，通过MVR蒸发工艺对电路板废水中的盐分进行回收，从根本上解决电路板废水的问题，且不会造成二次污染。染。染。

【技术实现步骤摘要】
一种废水处理工艺


[0001]本专利技术涉及废水处理
，特别是涉及一种电路板废水处理工艺。

技术介绍

[0002]电路板废水是高盐度高有机物的有毒有害恶臭严重的工业生产废水。目前主要采用微电解法或蒸馏法预处理、大量淡水稀释后，再生化处理或者采用吸附法，但是微电解法预处理产生大量硫酸亚铁絮凝渣，生化法需要大量淡水的稀释，增加了基建投资和运行费用，且该技术处理效果稳定性差，造成二次污染；另有文献报道采用树脂吸附法处理灭多威废水，但物理吸附仅将污染物转移，并未从根本上解决该废水的问题。

技术实现思路

[0003]为了克服上述缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种废水处理工艺，对电路板高盐废水中的盐分进行回收，从根本上解决电路板废水的问题，且不会造成二次污染。
[0004]本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种废水处理工艺，依次包括以下工艺流程：均和曝气、中和混凝沉淀、高级催化氧化、冷却结晶、浓缩分离和MVR蒸发分离，其中，所述均和曝气工艺采用均和曝气池，所述均和曝气池控制空气曝气强度1～7m3/m2.h；所述中和混凝沉淀工艺采用中和混凝沉淀池，所述中和沉淀系统控制所述废水的PH值为6~9；所述高级催化氧化采用高级催化氧化系统，所述高级催化氧化系统包括在催化剂的作用下用包含氧气和臭氧的气体对电路板生产废水进行催化氧化，所述包含氧气和臭氧的气体的体积流量与所述电路板生产废水的体积流量之比为7∶1
‑
35∶1；所述冷却结晶采用结晶系统，所述冷却结晶的温度为0~10℃，得到硫酸钠固体和结晶母液；所述浓缩分离工艺，采用膜分离系统分离冷却结晶工艺得到的结晶母液，得到透过液和浓缩液；所述MVR蒸发分离工艺，采用MVR蒸发系统，将透过液通入MVR蒸发系统，得到蒸发液、氯化钠固体和残留液。
[0005]在其中一个实施例中，所述中和混凝沉淀系统与高级催化氧化系统之间设置中间水池，所述中间水池与所述催化氧化系统之间设置有保安过滤器。
[0006]在其中一个实施例中，所述催化剂包括载体和负载在该载体上的活性组分，其中载体选自活性炭或分子筛或氧化铝，活性组分由铁的氧化物、铜的氧化物、锰的氧化物、镍的氧化物、钴的氧化物或锌的氧化物中的一种或几种组成。
[0007]在其中一个实施例中，所述中和混凝沉淀池采用切断阀投加熟石灰或盐酸调节pH值。
[0008]在其中一个实施例中，所述膜分离系统包括依次连接的管式膜分离装置和反渗透膜分离装置，所述管式膜分离装置采用中空纤维超滤微滤膜，其中，中空纤维膜丝数量大于2500根。
[0009]在其中一个实施例中，所述反渗透膜分离装置包括依次设置的保安过滤器、高压泵、一段反渗透/纳滤单元、增压泵、二段反渗透/纳滤单元、循环泵、三段反渗透/纳滤单元。
[0010]在其中一个实施例中，所述MVR蒸发系统采用低温负压蒸发，蒸发温度为50
‑
90℃。
[0011]在其中一个实施例中，所述浓缩分离工艺中的浓缩液回流入结晶系统。
[0012]在其中一个实施例中，所述MVR蒸发分离工艺中得到的蒸发液冷凝收集，氯化钠固体回收，残留液回流到催化氧化系统再次循环处理。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的一种废水处理工艺具有以下有益效果：1、采用MVR蒸发系统，蒸发过程中没有废热蒸汽排放，节能效果显著，相当于10效蒸发器，极大的降低运行成本，采用低温负压蒸发，有利于防止被蒸发物料的高温变性；2、高级催化氧化系统采用在催化剂的作用下用包含氧气和臭氧的气体对电路板生产废水进行催化氧化，其中，催化剂包括载体和负载在该载体上的活性组分，其中载体选自活性炭或分子筛或氧化铝，活性组分由铁的氧化物、铜的氧化物、锰的氧化物、镍的氧化物、钴的氧化物或锌的氧化物中的一种或几种组成，臭氧、氧气和催化剂协同作用，促使COD去除率大幅度提高，处理相同的COD废水时间缩短为1/4，臭氧利用率高，催化剂使用寿命延长，极大的降低废水处理成本。
[0014]3. 反渗透膜分离装置采用降低单段膜通量、增加处理段数即改为一级三段，在二段和三段增设循环泵的方式，使每段反渗透/纳滤单元中的每支膜壳末端浓水流量达到一定的设定值，来提高每支膜表面流速，可以使设备稳定运行，并提高系统的回收率。
[0015]4.通过循环处理的方式，使得电路板生产废水的处理效果更好，且大大降低了排放液中的污染物，且此工艺能够将电路板生产废水中的盐分分类收集，且提纯盐的纯度高，能达到工业级用盐标准。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的一种废水处理工艺流程图。
具体实施方式
[0017]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。
[0018]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0019]请参阅图1，一种废水处理工艺，依次包括以下工艺流程：均和曝气、中和混凝沉淀、高级催化氧化、冷却结晶、浓缩分离和MVR蒸发分离，其中：均和曝气工艺采用均和曝气池，均和曝气池控制空气曝气强度1～7m3/m2.h，以使电路板生产废水充分均和；中和混凝沉淀工艺采用中和混凝沉淀池，中和沉淀系统控制废水的PH值为6~9，采用切断阀投加熟石灰或盐酸调节pH值；中和混凝沉淀系统与高级催化氧化系统之间设置中间水池，所述中间水池与所述催化氧化系统之间设置有保安过滤器，
高级催化氧化采用高级催化氧化系统，高级催化氧化系统包括在催化剂的作用下用包含氧气和臭氧的气体对电路板生产废水进行催化氧化，包含氧气和臭氧的气体的体积流量与所述电路板生产废水的体积流量之比为7∶1
‑
35∶1，高级催化氧化系统采用在催化剂的作用下用包含氧气和臭氧的气体对电路板生产废水进行催化氧化，其中，催化剂包括载体和负载在该载体上的活性组分，其中载体选自活性炭或分子筛或氧化铝，活性组分由铁的氧化物、铜的氧化物、锰的氧化物、镍的氧化物、钴的氧化物或锌的氧化物中的一种或几种组成，臭氧、氧气和催化剂协同作用，促使COD去除率大幅度提高，处理相同的COD废水时间缩短为1/4，臭氧利用率高，催化剂使用寿命延长，极大的降低废水处理成本。
[0020]冷却结晶采用结晶系统，冷却结晶的温度为0~10℃，得到硫酸钠固体和结晶母液；浓缩分离工艺，采用膜分离系统分离冷却结晶工艺得到的结晶母液，膜分离系统包括依次连接的管式膜分离装置和反渗透膜分离装置，所述管式膜分离装置采用中空纤维超滤微滤膜，其中，中空纤维膜丝数量大于2500根，所述反渗透膜分离装置包括依次设置的保安过滤器、高压泵、一段本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种废水处理工艺，其特征在于，依次包括以下工艺流程：均和曝气、中和混凝沉淀、高级催化氧化、冷却结晶、浓缩分离和MVR蒸发分离，其中，所述均和曝气工艺采用均和曝气池，所述均和曝气池控制空气曝气强度1～7m3/m2.h；所述中和混凝沉淀工艺采用中和混凝沉淀池，所述中和沉淀系统控制所述废水的PH值为6~9；所述高级催化氧化采用高级催化氧化系统，所述高级催化氧化系统包括在催化剂的作用下用包含氧气和臭氧的气体对电路板生产废水进行催化氧化，所述包含氧气和臭氧的气体的体积流量与所述电路板生产废水的体积流量之比为7∶1
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35∶1；所述冷却结晶采用结晶系统，所述冷却结晶的温度为0~10℃，得到硫酸钠固体和结晶母液；所述浓缩分离工艺，采用膜分离系统分离冷却结晶工艺得到的结晶母液，得到透过液和浓缩液；所述MVR蒸发分离工艺，采用MVR蒸发系统，将透过液通入MVR蒸发系统，得到蒸发液、氯化钠固体和残留液。2.根据权利要求1所述的一种废水处理工艺，其特征在于，所述中和混凝沉淀系统与高级催化氧化系统之间设置中间水池，所述中间水池与所述催化氧化系统之间设置有保安过滤器。3.根据权利要求1所述的一种废水处理工艺，其特征在于，所述催化剂包括载体和负...

【专利技术属性】
技术研发人员：周刚，肖熠，曾祥福，
申请(专利权)人：智恩电子大亚湾有限公司，
类型：发明
国别省市：