一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法技术

一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法，涉及12吋半导体晶棒金刚线领域，切割过程包括以下三个阶段：S1、从切割开始直至切割深度达到第一预设深度时，保持接片槽的排水通道畅通，切割过程中由切割机的给水机构向金刚线供水；S2、切割深度从第一预设深度直到第二预设深度的过程中，封堵接片槽的排水通道，使金刚线浸没于接片槽的冷却水中对半导体晶棒进行切割，并在切割过程中以先升后降的鼓泡压空压力向冷却水鼓泡；S3、切割深度从第二预设深度直到切割完成时，停止向冷却水鼓泡，保持金刚线浸没于接片槽的冷却水中切割。本发明专利技术用于解决12寸半导体晶棒在切割过程中的不易散热，进而引起弯翘曲超标的技术问题。起弯翘曲超标的技术问题。起弯翘曲超标的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法


[0001]本专利技术涉及12吋半导体晶棒金刚线领域，具体的说是一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法。

技术介绍

[0002]半导体晶圆是芯片制造的衬底材料，尤其是12吋半导体晶圆是高端芯片的主要材料，其制造过程：将多晶硅融化后通过单晶炉拉制成高品质单晶硅棒；将单晶硅棒经过截断、滚磨加工成12吋直径的晶棒；通过线切割将晶棒分割成硅片，硅片经过倒角、研磨、抛光等步骤，提高硅片表面平整度。
[0003]目前，12吋半导体晶棒常采用砂浆线或者金刚线切割的方式，其中，砂浆线切割12吋晶棒已得到广泛应用，金刚线切割6吋及6吋以下晶棒也已研发成功，但是，金刚线切割12吋晶棒处于研发初期。金刚线切割主要是利用金刚线上的金刚石粉高速撞击晶棒将其切割成硅片，12吋半导体晶棒金刚线切割相比砂浆线切割，具有以下优势：1)因为砂浆线切割产生的废砂浆处理越来越困难，不符合环保要求，而金刚线切割过程中使用的冷却液是纯水和少量金刚线切割液混合，顺应了环保的大趋势；2)切割成本降低40％以上；3)切割效率高，切割时间缩短30％以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法，首先将半导体晶棒(1)安装于切割机金刚线网(3)上方的工件板上；然后再下压工件板，同时切割机的绕线辊(5)带动金刚线运动，对半导体晶棒(1)进行切割；其特征在于，切割过程包括以下三个阶段：S1、从切割开始直至切割深度达到第一预设深度时，保持接片槽(2)的排水通道畅通，切割过程中由切割机的给水机构(4)向金刚线供水；S2、切割深度从第一预设深度直到第二预设深度的过程中，封堵接片槽(2)的排水通道，使金刚线浸没于接片槽(2)的冷却水中对半导体晶棒(1)进行切割，并在切割过程中以先升后降的鼓泡压空压力向冷却水鼓泡；S3、切割深度从第二预设深度直到切割完成时，停止向冷却水鼓泡，保持金刚线浸没于接片槽(2)的冷却水中切割。2.根据权利要求1所述的一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法，其特征在于，第一预设深度为30mm，第二预设深度为180mm。3.根据权利要求2所述的一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法，其特征在于，当切割深度在30
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180mm时，鼓泡压空压力为0.18～0.39Mpa。4.根据权利要求3所述的一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法，其特征在于，当切割深度在30
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50mm时，鼓泡压空压力为0.18
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0.22Mpa；当切割深度在50
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80mm时，鼓泡压空压力为0.27
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0.33Mpa；当切割深度在80
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120mm时，鼓泡压空压力为0.33
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0.39Mpa；当切割深度在120
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150mm时，鼓泡压空压力为0.27
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0.33Mpa；...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，胡晓亮，郭永伟，张倩，张昊，刘元涛，寇文杰，
申请(专利权)人：麦斯克电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：