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一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法,涉及12吋半导体晶棒金刚线领域,切割过程包括以下三个阶段:S1、从切割开始直至切割深度达到第一预设深度时,保持接片槽的排水通道畅通,切割过程中由切割机的给水机构向金刚线供水;S2、切割深度从第一预设深度...该专利属于麦斯克电子材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过麦斯克电子材料股份有限公司授权不得商用。
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一种12吋半导体晶棒金刚线切割的方法,涉及12吋半导体晶棒金刚线领域,切割过程包括以下三个阶段:S1、从切割开始直至切割深度达到第一预设深度时,保持接片槽的排水通道畅通,切割过程中由切割机的给水机构向金刚线供水;S2、切割深度从第一预设深度...