谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法技术

技术编号:37447696 阅读:15 留言:0更新日期:2023-05-06 09:19
本发明专利技术提供了一种谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法,所述谐振频率适配电路,包括:预放大单元、匹配单元和功率放大器;所述预放大单元的输出端电连所述匹配单元的输入端,所述匹配单元的输出端电连所述功率放大器的输入端;所述预放大单元用于对射频信号进行预放大处理,并将经过预放大处理后的射频信号传输至所述匹配单元;所述匹配单元用于根据所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容,增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩。本发明专利技术通过补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩,以降低寄生电容对于射频信号的功率的影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路射频发射机设计
,尤其涉及一种谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法。

技术介绍

[0002]1分贝压缩输出功率点(P1dB)是表征发射机输出功率的性能参数。P1dB越高,意味着发射机可用的线性输出功率越高。P1dB是指与在很低的功率时相比增益减少1dB时的输入(或输出)功率点。
[0003]当发射机的驱动级的发射信号接近饱和时,发射机的驱动级和放大级之间的寄生电容会变大,这会导致发射机驱动级和放大级之间的谐振频率变小;另外随着发射信号接近饱和,由于非线性效应,叠加发射机放大级的非线性效应导致的增益压缩,会显著降低发射机的1分贝压缩输出功率(P1dB),可能会导致发射机的信号失真。发射机的驱动级指得是在混频器和功率放大器之间的器件,发射机的放大级指的是功率放大器。
[0004]因此,本专利技术提出了一种谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法,以降低寄生电容对于发射机的输出功率的影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种谐振频率适配电路、发射机及谐振频率的调节方法,以解决现有技术中由于寄生电容随着发射机的发射功率的增大而增大所导致的发射机的增益压缩的技术问题。
[0006]第一方面,本专利技术提供一种谐振频率适配电路,包括:预放大单元、匹配单元和功率放大器;所述预放大单元的输出端电连所述匹配单元的输入端,所述匹配单元的输出端电连所述功率放大器的输入端;所述预放大单元用于对射频信号进行预放大处理,并将经过预放大处理后的射频信号传输至所述匹配单元;所述匹配单元用于根据所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容,增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩;所述功率放大器用于接收经过预放大处理后的射频信号,并对经过预放大处理后的射频信号进行放大处理。
[0007]本专利技术所提供的谐振频率适配电路的有益效果在于:本专利技术通过所述预放大单元对所述射频信号进行预放大处理,以使得在所述预放大单元和所述功率放大器之间的射频信号的大小的差距缩小,可以很好地抑制所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容的增长;本专利技术通过所述匹配单元增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩,以降低寄生电容对于射频信号的功率的影响。
[0008]可选地,所述预放大单元包括:第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管和第四N型晶体管;所述第一N型晶体管的源极连接所述第二N型晶体管的源极、所述第一N型晶体管的源极接地,所述第一N型晶体管的漏极连接所述第三N型晶体管的源极;所述第二N
型晶体管的漏极连接所述第四N型晶体管的源极;所述第三N型晶体管的栅极连接所述第四N型晶体管的栅极,所述第三N型晶体管的漏极连接所述匹配单元的第一输入端;所述第四N型晶体管的漏极连接所述匹配单元的第二输入端。其有益效果在于:本专利技术所提供的预放大单元在保证功能实现的前提下,设计简单,所占用面积小,避免资源浪费。
[0009]可选地,所述匹配单元包括:可调电容、第一电感和第二电感;所述可调电容的第一端连接所述第一电感的第一端、以及所述预放大单元的第一输出端;所述可调电容的第二端连接所述第一电感的第一端、以及所述所述预放大单元的第二输出端;根据所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容,调节所述可调电容的有效电容值,以增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点;所述第二电感的第一端连接所述功率放大器的第一输入端,所述第二电感的第二端电连所述功率放大器的第二输入端。其有益效果在于:本专利技术所提供的所述匹配单元的结构简单,易于实现。
[0010]第二方面,本专利技术提供一种发射机,包括:如第一方面中任一项所述的谐振频率适配电路。
[0011]第三方面,本专利技术提供一种谐振频率的调节方法,应用于如第一方面中任一项所述的谐振频率适配电路或者如第二方面所述的发射机,包括:提供如第一方面中任一项所述的谐振频率适配电路;预放大单元对射频信号进行预放大处理,并将经过预放大处理后的射频信号传输至匹配单元;匹配单元根据预放大单元和功率放大器之间的寄生电容,增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩;功率放大器接收经过预放大处理后的射频信号,并对所述射频信号进行放大处理。
[0012]本专利技术所提供的谐振频率的调节方法的有益效果在于:本专利技术通过所述预放大单元对所述射频信号进行预放大处理,以使得在所述预放大单元和所述功率放大器之间的射频信号的大小的差距缩小,可以很好地抑制所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容的增长;本专利技术通过所述匹配单元增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩,以降低寄生电容对于射频信号的功率的影响。
[0013]可选地,匹配单元根据预放大单元和功率放大器之间的寄生电容,增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,包括:调节所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以使得当所述预放大单元和功率放大器之间的寄生电容变化时,所述功率放大器对经过预放大处理后的射频信号进行放大处理后的信号的频率大小落在理想范围内,所述理想范围指代所述功率放大器所输出的信号的频率大小符合关于所述功率放大器的线性预期。其有益效果在于:调节所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以使得当所述预放大单元和功率放大器之间的寄生电容变化时,所述功率放大器对经过预放大处理后的射频信号进行放大处理后的信号的频率大小落在理想范围内,以降低寄生电容对于射频信号的功率的影响。
[0014]可选地,所述匹配单元包括:可调电容、第一电感和第二电感;所述可调电容的第一端连接所述第一电感的第一端、以及所述预放大单元的第一输出端;所述可调电容的第二端连接所述第一电感的第一端、以及所述所述预放大单元的第二输出端;所述第二电感的第一端连接所述功率放大器的第一输入端,所述第二电感的第二端电连所述功率放大器
的第二输入端;通过减小所述可调电容的有效电容值,以增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以使得当所述预放大单元和功率放大器之间的寄生电容增大时,所述功率放大器对经过预放大处理后的射频信号进行放大处理后的信号的频率大小落在所述理想范围内。
附图说明
[0015]图1为本专利技术提供的一种谐振频率适配电路实施例结构示意图;
[0016]图2为本专利技术提供的一种匹配单元实施例结构示意图;
[0017]图3为本专利技术提供的一种谐振频率的调节方法实施例流程图;
[0018]图4为本专利技术提供的一种寄生电容的变化情况的实施例示意图;
[0019]图5为本专利技术提供的一种预放大单元的输出功率随着预放大单元的输入功率的变化情况实施例本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振频率适配电路,其特征在于,包括:预放大单元、匹配单元和功率放大器;所述预放大单元的输出端电连所述匹配单元的输入端,所述匹配单元的输出端电连所述功率放大器的输入端;所述预放大单元用于对射频信号进行预放大处理,并将经过预放大处理后的射频信号传输至所述匹配单元;所述匹配单元用于根据所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容,增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点,以补偿所述功率放大器对于所述射频信号的增益压缩;所述功率放大器用于接收经过预放大处理后的射频信号,并对经过预放大处理后的射频信号进行放大处理。2.根据权利要求1所述的谐振频率适配电路,其特征在于,所述预放大单元包括:第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管和第四N型晶体管;所述第一N型晶体管的源极连接所述第二N型晶体管的源极、所述第一N型晶体管的源极接地,所述第一N型晶体管的漏极连接所述第三N型晶体管的源极;所述第二N型晶体管的漏极连接所述第四N型晶体管的源极;所述第三N型晶体管的栅极连接所述第四N型晶体管的栅极,所述第三N型晶体管的漏极连接所述匹配单元的第一输入端;所述第四N型晶体管的漏极连接所述匹配单元的第二输入端。3.根据权利要求1所述的谐振频率适配电路,其特征在于,所述匹配单元包括:可调电容、第一电感和第二电感;所述可调电容的第一端连接所述第一电感的第一端、以及所述预放大单元的第一输出端;所述可调电容的第二端连接所述第一电感的第一端、以及所述所述预放大单元的第二输出端;根据所述预放大单元和所述功率放大器之间的寄生电容,调节所述可调电容的有效电容值,以增大所述预放大单元和所述功率放大器之间的谐振频率的峰值点;所述第二电感的第一端连接所述功率放大器的第一输入端,所述第二电感的第二端电连所述功率放大器的第二输入端。4.一种发射机,其特征在于,包括:如权利要求1~3任一项所述的谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭毅宋飞叶嘉义邓昊培汝嘉耘张京华
申请(专利权)人:芯翼信息科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1