采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法技术

本发明专利技术公开了采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法，包括以下步骤：S1、钨粉压坯、S2、钨坯块脱胶、S3、铜基体备料、S4、放料、S5、烧结熔渗、S6、固溶时效处理。本发明专利技术通过真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料中，Cr含量为0.025wt.％左右，超低含量的Cr能够对触头材料起到非常好的强化作用，可使触头材料硬度≥78HB，电导≥55Ms/m，在既满足铜材硬度的情况下也弥补了铬铜电导的不足。硬度的情况下也弥补了铬铜电导的不足。

【技术实现步骤摘要】
采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法


[0001]本专利技术涉及铜钨触头材料
，具体是涉及采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法。

技术介绍

[0002]目前中高压断路器中用铜钨触片及触指，用于的电压等级多为126kV及145kV，电压等级相对较低，对基体的性能要求较低，铬铜成本高，因此材质多数要求T2Y，但制备触片及触指的最佳生产工艺为整体烧结法，导致烧结后需要对毛坯再进行挤压才能满足性能要求，生产时间长，消耗人力、物力多。
[0003]CuW/TU1和CuW/T2烧结后基体为铸态组织，在电导满足情况的条件下(≥56Ms/m)，硬度在40
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50HB，CuW/T2Y材质在前者烧结后进行挤压，做专门的挤压工装，但只能使表面硬度提高至78HB以上，内部依旧是铸态组织；CuW/CuCr(Zr)材质产品硬度可达到110HB以上，但电导确只有46Ms/m；以上材质产品均在电导和硬度方面各有所欠缺。

技术实现思路

[0004]针对上述
技术介绍
指出的问题，本专利技术提供了一种采用真空烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、钨粉压坯：取钨粉，并加入相对于钨粉0.3～0.5wt.％的成型剂胶，混匀后，倒入模具中，根据所需钨坯块尺寸选定位块，在自动压机下加压压制成钨坯块；S2、钨坯块脱胶：采用烧结工艺去除S1所得钨坯块中的成型剂胶，烧结温度为980～1000℃，烧结时长为80～90min；S3、铜基体备料：以铜基体中Cr含量占比为0.025wt.％取CuCr0.1材料及纯铜进行配料，作为铜基体的材料，所述CuCr0.1材料为CuCr0.1铜棒或CuCr0.1铜板，所述纯铜为纯铜棒或纯铜板；S4、放料：将S2所得钨坯块置于坩埚底部，上面放入S3配好的纯铜棒或纯铜板，然后再放CuCr0.1铜棒或CuCr0.1铜板；S5、烧结熔渗：将S4放置好的钨坯块、铜基体材料与坩埚一起送入真空炉中，关闭炉门并启动真空泵进行抽真空，抽至真空度为6
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‑1Pa，开始烧结，烧结温度为1350℃，烧结时间为4～8h；S6、固溶时效处理：将S5烧结后所得产品在950～980℃下进行固溶1～1.5h，在480～500℃进行时效处理3.5～4h。2.根据权利要求1所述的采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法，其特征在于，所述步骤S1中，钨粉粒径选自1～100μm，将钨粉分层进行铺粉，每铺完一层钨粉进行一次压实处理，共分n层，每层钨粉的重量占比为钨粉总重量的1/n，其中，n＝3～10，按由下至上的顺序，各层钨粉中，第1层钨粉粒度最小，第n层钨粉粒度最大，第n
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1层钨粉的粒径介于第1层钨粉的粒径与第2层钨粉的粒径之间。3.根据权利要求2所述的采用真空烧结工艺熔渗超低铬铜的铜钨触头材料的方法，其特征在于，所述n＝5，各层钨粉的粒径由下至上依次为：1～5μm、20～40μm、50～80μm、6～20μm、50～100μm。通过5种粒度级别...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴，周宁，徐秀琴，杨浩浩，赵俊，杨瑞，蒋彤，
申请(专利权)人：西安斯瑞先进铜合金科技有限公司，
类型：发明
国别省市：