【技术实现步骤摘要】
晶粒图像的拼接方法，装置，电子设备
[0001]本申请涉及图像拼接领域，具体而言，涉及一种晶粒图像的拼接方法，装置，电子设备。
技术介绍
[0002]针对单个晶粒(Die)的检测，不同晶粒的尺寸在相机的不同倍镜下的实际视场图像可能并不一致，导致相机单次拍摄不能覆盖整个晶粒，因此，需要将单个晶粒划分为多个视场进行拍摄，最后，再将多个视场对应多张图像进行拼接，得到用于检测的完整晶粒图像。多个视场对应的多张图像之间的特征区域会存在高度重复或者特征较少的现象，不利于完成最终的完整的晶粒的拼接。
[0003]相关技术中，在拼接时一般会基于待拼接图像采用相位相关法进行拼接，即利用求解的互功率谱图像的最高频率响应所对应的位置作为拼接偏移位置进行拼接，但是对于某些类型的晶粒，例如，对于CIS这种类型的晶粒重叠区域重复较多的图像，其最高频率响应不唯一，因此，容易导致拼接的图像出现错位。
[0004]针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供了一种晶粒图像的拼接方法，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶粒图像的拼接方法，其特征在于，包括：获取晶粒图像的各个待拼接子图像；确定各个所述待拼接子图像的分布情况，并根据所述分布情况确定初始锚区；获取各层外围闭环图像，各层所述外围闭环图像为以所述初始锚区为中心依次由内向外辐射分布的多个待拼接子图像拼接得到；将所述初始锚区与各层所述外围闭环图像拼接后形成目标晶粒图像，其中，所述初始锚区与相邻的所述外围闭环图像拼接融合后，再与邻近所述外围闭环图像拼接融合，依次拼接直至与最外层所述外围闭环图像拼接形成目标晶粒图像。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取各层外围闭环图像，包括：依据各相邻待拼接子图像的理论重叠量，对各相邻待拼接子图像拼接获得闭环图像；获取闭环图像的多组备选量，基于每组备选量优化，确定相邻重叠区的确定相对偏移向量；依据相邻重叠区的确定相对偏移向量，将相邻待拼接子图像的重叠区融合，获取外围闭环图像。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取闭环图像的多组备选量，基于每组备选量优化，确定相邻重叠区的确定相对偏移向量，包括：获取闭环图像的多组备选量，其中每组备选量存在N个相对偏移向量，N为自然数；选定各组备选量内的目标偏移向量，使得闭环图像的相对偏移之和趋于0，其中，目标偏移向量为相邻重叠区的确定相对偏移向量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，选定各组备选量内的目标偏移向量，包括：调用路径规划算法求解所述各组备选量中路径最小的相对偏移向量；确定所述路径最小的相对偏移向量为所述目标相对偏移向量。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述初始锚区与各层所述外围闭环图像拼接后形成目标晶粒图像，包括：获取所述初始锚区与相邻的所述外围闭环图像的多对边界重叠区域；获取各所述重叠区域的最佳拼接偏移，以使得重叠图像像素差异最小；依据各所述最佳拼接偏移，将所述外围闭环图像与所述初始锚区的多对重叠区融合，作为第一锚区，所述第一锚区用以与其邻近外围闭环图像拼接。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，获取所述初始锚区与相邻的所述外围闭环图像的多对边界重叠区域前，还包括：将所述初始锚区放置于相邻的所述外围闭环图像的内接框的中心；控制所述初始锚区与所述外围闭环图像沿各个方向的重叠面积或者比例的差值在预设范围内。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在得到目标晶粒图像之后，所述方法还包括：获取所述目标晶粒图像对应的样本模板，其中，所述样本模板上沿对角方向设置有用于定位尺寸的两个特征模板，所述两个特征模板之间沿横轴方向的距离为第一距离，沿纵轴方向的距离为第二距离；获取所述两个特征模板在所述目标晶粒图像中对应的位置，确定所述两个特征模板在
所述目标晶粒图像中沿横轴方向的第三距离，以及沿纵轴方向的第四距离；求取所述第一距离与所述第三距离之间的第一差值，基于所述第一差值优化所述目标晶粒图像沿横轴方向的尺寸；求取所述第二距离与第四距离之间的第二差值，基于所述第二差值优化所述目标晶粒图像沿所述纵轴方向的尺寸。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，基于所述第一差值优化所述目标晶粒图像沿横轴方向的尺寸，包括：以所述目标晶粒图像中第一列各个待拼接子图像所在位置为基准位置，确定所述目标晶粒图像...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，张彩红，陈思乡，曾兵兵，潘剑凯，
申请(专利权)人：长川科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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