【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2021年10月28日提交的日本专利申请号2021
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176262的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。
[0003]本专利技术涉及一种半导体器件及其制造技术，并且例如涉及一种有效地应用于作为逆变器的构成元件的半导体器件的技术及其制造技术。
技术介绍
[0004]下面列出了公开的技术。
[0005][专利文献1]日本未审查专利申请公开号2018
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121035
[0006][专利文献2]日本未审查专利申请公开号2009
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200338
[0007]日本未审查专利申请公开号2018
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121035(专利文献1)描述了与用作逆变器的构成元件的半导体器件的封装结构有关的技术。
[0008]日本未审查专利申请公开号2009
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200338(专利文献2)描述了在半导体器件中经由以焊料或银膏为代表的导电材料将板状...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：管芯焊盘；半导体芯片，包括第一电极和覆盖所述第一电极的周边部分的保护膜，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘上；引线，与所述半导体芯片相邻设置并且与所述管芯焊盘分开；板状构件，相互且电气地连接所述第一电极和所述引线；以及密封体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述密封体密封所述半导体芯片和所述板状构件，使得所述管芯焊盘的一部分从所述第一表面暴露并且使得所述引线的一部分暴露，其中所述板状构件经由第一导电材料电气连接到所述第一电极并且经由第二导电材料电气连接到所述引线，其中所述板状构件包括：第一部分，所述第一导电材料与所述第一部分接触；第二部分，所述第二导电材料与所述第二部分接触；以及第三部分，位于所述第一部分与所述第二部分之间，其中在从所述保护膜暴露的所述第一电极的表面上形成与所述保护膜相比朝向所述第二表面突出的突出构件，并且其中所述第一部分与所述突出构件接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极的平面形状是多边形，所述多边形具有：第一边，在平面图中与所述第三部分相交；以及第二边，在所述第一边的相对侧，以及其中在平面图中，所述突出构件设置在与所述第二边相比更靠近所述第一边的位置。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中在从所述第一边和所述第二边中的任一边向另一边延伸的第一方向上，所述第一电极的表面具有：第一区域，与所述第一电极的中心线相比更靠近所述第一边定位；以及第二区域，与所述第一电极的所述中心线相比更靠近所述第二边定位，并且其中所述突出构件设置在所述第一区域中并且与所述第二区域与所述第一区域之间的作为所述中心线的边界分开。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在截面图中，第一部分倾斜使得所述第一部分与所述第二表面之间的距离随着所述第一部分更靠近所述第三部分而缩短。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述突出构件是绝缘构件。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述保护膜包括第一聚酰亚胺树脂膜，并且其中所述突出构件包括：所述第一聚酰亚胺树脂膜；以及
第二聚酰亚胺树脂膜，形成在所述第一聚酰亚胺树脂膜上。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述突出构件由永久抗蚀剂制成。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述突出构件的数目为多个。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述板状构件是由铜制成的夹持件。10.一种半导体器件，包括：管芯焊盘；半导体芯片，包括第一电极和覆盖所述第一电极的周边部分的保护膜，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘上；引线，与所述半导体芯片相邻设置并且与所述管芯焊盘分开；板状构件，相互且电气地连接所述第一电极和所述引线；以及密封体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述密封体密封所述半导体芯片和所述板状构件，使得所述管芯焊盘的一部分从所述第一表面暴露并且使得所述引线的一部分暴露，其中所述板状构件经由第一导电材料电气连接到所述第一电极并且经由第二导电材料连接到所述引线，其中所述板状构件包括：第一部分，所述第一导电材料与所述第一部分接触；第二部分，所述第二导电材料与所述第二部分接触；以及第三部分，位于所述第一部分与所述第二部分之间，以及其中在...
【专利技术属性】
技术研发人员：关川宏昭，中柴康隆，佐佐木英树，林本肇，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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