一种研磨垫修整器及使用方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工工艺技术领域，具体涉及一种研磨垫修整器及使用方法。本发明专利技术提供的研磨垫修整器包括研磨垫，表面设有若干凸起，所述凸起适于在所述研磨垫旋转时摩擦晶圆；基座，位于所述研磨垫的侧部；传动组件，一端可转动的连接在所述基座上；修整组件，包括本体部和修整头，所述本体部一端连接在所述传动组件的另一端，另一端活动连接所述修整头；所述修整头靠近所述研磨垫的一端设有金刚石修整层；第一出气口，开设在所述修整头上靠近所述研磨垫的一侧。本发明专利技术提供的第一出气口增加了修整头通过吹气调整研磨垫粗糙度的方法，通过与金刚石修整层结合使用，延长了金刚石修整层的使用寿命。整层的使用寿命。整层的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种研磨垫修整器及使用方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工工艺
，具体涉及一种研磨垫修整器及使用方法。

技术介绍

[0002]化学机械抛光技术简称CMP，是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段，属于化学作用和机械作用相结合的技术。在化学机械研磨过程中，将被固定的晶圆片表面朝向具有一定转速的研磨垫，并在研磨垫上添加研磨液，通过晶圆片与研磨垫之间的相对运动来达成晶圆片平坦化的目的。由于研磨垫属于易损件，随着使用时间的增加，研磨垫表面的聚氨酯被压平导致研磨垫表面变得光滑，进而显著降低抛光速率和抛光质量。
[0003]现有技术中，为了延长研磨垫的使用寿命，通常会采用研磨垫修整器使研磨垫回复适当的粗糙度。研磨垫修整器包括修整盘和动力装置，修整盘的一面设有金刚石颗粒层，动力装置控制修整盘在研磨垫上与研磨垫相对转动，进而修整盘上的金刚石颗粒将研磨垫上被压平的聚氨酯恢复至直立状态，使得研磨垫的粗糙度增加，保证抛光速率和抛光质量。在修整盘运动的过程中，不仅恢复了研磨垫的粗糙度，同时又使得研磨垫上的研磨液均匀分布，并且保证了研磨垫的平整度。但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫修整器，其特征在于，包括：研磨垫(1)，表面设有若干凸起，所述凸起适于在所述研磨垫(1)旋转时摩擦晶圆；基座(2)，位于所述研磨垫(1)的侧部；传动组件(3)，一端可转动的连接在所述基座(2)上；修整组件(4)，包括本体部(41)和修整头(42)，所述本体部(41)一端连接在所述传动组件(3)的另一端，另一端活动连接所述修整头(42)；所述修整头(42)靠近所述研磨垫(1)的一端设有金刚石修整层；在所述传动组件(3)的带动下，所述修整头(42)具有下降至与所述研磨垫(1)摩擦并进行旋转和沿所述研磨垫(1)的中心至边缘往复运动的第一修整状态，以及上升至与所述研磨垫(1)间隔并沿所述研磨垫(1)的中心至边缘往复运动的第二修整状态；第一出气口(5)，开设在所述修整头(42)上靠近所述研磨垫(1)的一侧；所述本体部(41)内部设有一条通路，所述通路与第一泵体连接，所述第一出气口(5)与所述通路连通，并适于在所述修整头(42)处于所述第二修整状态时打开。2.根据权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述第一出气口(5)具有多个，间隔设置在所述修整头(42)上，每个所述第一出气口(5)均通过一条第一分路与所述通路连通。3.根据权利要求1或2所述的研磨垫修整器，其特征在于，还包括第二出气口(6)，设置在所述本体部(41)的侧部，且通过一条第二分路与所述通路连通；所述第二出气口(6)适于在靠近所述研磨垫(1)边缘时朝向所述研磨垫(1)的边缘出气。4.根据权利要求3所述的研磨垫修整器，其特征在于，还包括第三出气口(7)，设置在所述本体部(41)的侧部，且与所述第二出气口(6)间隔设置，通过一条第三分路与所述通路连通；所述第三出气口(7)适于在靠近研磨头(8)时朝向所述研磨头(8)出气。5.根据权利要求4所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述第二出气口(6)与所述第三出气口(7)的出气方向与所述第一出气口(5)的出气方向的夹角均为35
°
至45
°
。6.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：李婷，蒋锡兵，唐强，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：