【技术实现步骤摘要】
一种研磨垫调整器及研磨垫的调整方法
[0001]本专利技术涉及晶圆抛光研磨
,具体涉及一种研磨垫调整器及研磨垫的调整方法。
技术介绍
[0002]化学机械研磨过程主要取决于研磨垫的表面状况,在进行晶圆研磨时,研磨垫的表面很快被研磨碎屑填满,使表面磨光打滑,形成釉面,这意味着研磨垫的表面不粗糙,无法再对晶圆进行研磨,并可能使晶圆表面产生细微划痕。为了调整研磨垫的研磨表面的粗糙度,现有的做法是通过研磨垫调整器来调整研磨垫的粗糙度。常规的研磨垫调整装器包括一个调整盘,调整盘通过压抵研磨垫的研磨表面的方式调整研磨垫,以保证研磨垫表面的粗糙度。
[0003]但是,现有研磨垫调整器通过单一调整盘对研磨垫进行调整的方式比较单一,在晶圆的化学机械研磨过程中,研磨垫表面的化学腐蚀液和晶圆表面金属反应后会产生相应的副产物,这些副产物会淀积于研磨垫的沟槽中,从而对晶圆造成一定程度上的产品缺陷,影响晶圆的表面平整度。
技术实现思路
[0004]因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的研磨垫调整器的调整方式单 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种研磨垫调整器,其特征在于,包括调整盘(110)和位于所述调整盘(110)外周的调整环(120),所述调整盘(110)和所述调整环(120)均具有适于调整研磨垫(200)的修整面;所述调整盘(110)在第一驱动机构作用下绕自身轴向做旋转运动、并在第一升降机构作用下做竖向升降运动,所述调整环(120)在第二驱动机构作用下绕自身轴向做旋转运动、并在第二升降机构作用下做竖向升降运动。2.根据权利要求1所述的研磨垫调整器,其特征在于,所述调整盘(110)呈圆形,所述调整盘(110)和所述调整环(120)之间具有间隙。3.根据权利要求1所述的研磨垫调整器,其特征在于,所述间隙的大小为3-5mm。4.根据权利要求1所述的研磨垫调整器,其特征在于,所述调整盘(110)和所述调整环(120)的修整面上均设有调整颗粒,所述调整颗粒为金刚石颗粒。5.根据权利要求1所述的研磨垫调整器,其特征在于,所述第一驱动机构包括第一旋转电机(131)、第一主动轮(132)、第一从动轮(133)和第一传动带(134),所述第一传动带(134)套设在所述第一主动轮(132)和所述第一从动轮(133)之间,所述第一主动轮(132)固定连接有第一旋转轴(135),所述第一从动轮(133)固定连接有第一支撑杆(111),所述第一旋转轴(135)连接在所述第一旋转电机(131)的输出端上,所述调整盘(110)连接在所述第一支撑杆(111)上随所述第一支撑杆(111)的转动绕自身轴向做旋转运动。6.根据权利要求5所述的研磨垫调整器,其特征在于,所述第二驱动机构包括第二旋转电机(151)、第二主动轮(142)、第二从动轮(143)和第二传动带(154),所述第二传动带(154)套设在所述第二主动轮(142)和所述第二从动轮(143)之间,所述第二主动轮(142)固定连接有第二旋转轴(155),所述第二从动轮(143)固定连接有第二支撑杆(121),所述第二旋转轴(155)连接在所述第二旋转电机(151)的输出端上,所述调整环(120)连接在所述第二支撑杆(121)上随所述第二支撑杆(121)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋锡兵,唐强,
申请(专利权)人:北京晶亦精微科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。