一种具有减反射能力的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有减反射能力的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的顶部涂覆有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有防护层，所述硅片主体的外侧设置有防护组件；所述硅片主体包括有P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述P型单晶硅片位于N型单晶硅片的上方，所述N型单晶硅片的底部固定安装有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有吸光板；所述防护组件包括有包裹在硅片主体外部的防护框。该具有减反射能力的单晶硅片，通过耐腐层涂覆在硅片主体的表面，利用耐腐层可有效的起到防腐蚀的作用，对硅片主体进行保护，并且利用防护层可有效的对硅片主体进行保护，并且可减少光的反射，提高了硅片主体的光能吸收。提高了硅片主体的光能吸收。提高了硅片主体的光能吸收。

【技术实现步骤摘要】
一种具有减反射能力的单晶硅片


[0001]本技术涉及单晶硅片
，具体为一种具有减反射能力的单晶硅片。

技术介绍

[0002]单晶硅片为硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
[0003]现如今市面上的单晶硅片种类较多，但是仍存在单晶硅片一些问题，例如单晶硅片不能对光反射进行处理，使光能吸收率低，且防护性差，导致使用寿命短，故而提出一种具有减反射能力的单晶硅片来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]技术目的：本技术旨在解决现有技术中的缺陷，提出一种具有减反射能力的单晶硅片。
[0005]技术方案：一种具有减反射能力的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的顶部涂覆有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有防护层，所述硅片主体的外侧设置有防护组件；
[0006]所述硅片主体包括有P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述P型单晶硅片位于N型单晶硅片的上方，所述N型单晶硅片的底部固定安装有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有吸光板；
[0007]所述防护组件包括有包裹在硅片主体外部的防护框，所述防护框的内部开设有连接孔，所述硅片主体的外表面固定连接有插块，所述插块的顶部固定连接有卡块，所述卡块位于连接孔的内部。
[0008]进一步，所述耐腐层由环氧树脂料制成，所述耐腐层覆盖在硅片主体的表面。
[0009]进一步，所述防护层为钢化玻璃层，所述防护层的大小与硅片主体的大小相同。
[0010]进一步，所述防护层的上表面为凹凸形结构，所述防护层的外表面与防护框的内侧固定连接。
[0011]进一步，所述防护层的表面覆盖有减反射层，所述减反射层为氮化硅减反射薄膜。
[0012]进一步，所述耐腐层厚度在100
‑
200微米之间。
[0013]有益效果：该具有减反射能力的单晶硅片，通过耐腐层涂覆在硅片主体的表面，利用耐腐层可有效的起到防腐蚀的作用，对硅片主体进行保护，并且利用防护层可有效的对硅片主体进行保护，并且可减少光的反射，提高了硅片主体的光能吸收。
附图说明
[0014]图1为本技术结构示意图；
[0015]图2为本技术图1中A部局部结构放大图；
[0016]图3为本技术硅片主体结构剖视图；
[0017]图4为本技术结构俯视图。
[0018]图中：1硅片主体、101P型单晶硅片、102N型单晶硅片、103金属导电层、104吸光板、2耐腐层、3防护层、4防护组件、401防护框、402连接孔、403插块、404卡块。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
‑
4，本实施例中的一种具有减反射能力的单晶硅片，包括硅片主体1，硅片主体1的顶部涂覆有耐腐层2，耐腐层2由环氧树脂料制成，耐腐层2覆盖在硅片主体1的表面，耐腐层2厚度在100
‑
200微米之间，耐腐层2的顶部设置有防护层3，硅片主体1的外侧设置有防护组件4。
[0021]其中，防护层3为钢化玻璃层，防护层3的大小与硅片主体1的大小相同，防护层3的上表面为凹凸形结构，防护层3的表面覆盖有减反射层，减反射层为氮化硅减反射薄膜。
[0022]硅片主体1包括有P型单晶硅片101和N型单晶硅片102，P型单晶硅片101位于N型单晶硅片102的上方，N型单晶硅片102的底部固定安装有金属导电层103，P型单晶硅片101的顶部设置有吸光板104，利用吸光板104可提高光能的吸收率，并且吸光板的顶部。
[0023]通过耐腐层2涂覆在硅片主体1的表面，利用耐腐层2可有效的起到防腐蚀的作用，对硅片主体1进行保护，并且利用防护层3可有效的对硅片主体1进行保护，并且可减少光的反射，提高了硅片主体1的光能吸收。
[0024]防护组件4包括有包裹在硅片主体1外部的防护框401，防护框401的内部开设有连接孔402，硅片主体1的外表面固定连接有插块403，插块403的顶部固定连接有卡块404，卡块404位于连接孔402的内部。
[0025]通过硅片主体1的外表面连接有插块403，将硅片主体1嵌入到防护框401的内部，使插块403滑入连接孔402的内部，由于卡块404为橡胶块，从而可使卡块404插入连接孔402的内部，防止卡块404滑出，便于防护框401对硅片主体1进行保护。
[0026]上述实施例的工作原理为：
[0027]通过耐腐层2涂覆在硅片主体1的表面，利用耐腐层2由环氧树脂料制成，可有效的起到防腐蚀的作用，对硅片主体1进行保护，并且防护层3为钢化玻璃层，可利用防护层3可有效的对硅片主体1进行保护，由于防护层3的上表面为凹凸形结构，防护层3的表面覆盖有减反射层，减反射层为氮化硅减反射薄膜，并且可减少光的反射，提高了硅片主体1的光能吸收，由于硅片主体1嵌入到防护框401的内部，使插块403滑入连接孔402的内部，由于卡块404为橡胶块，橡胶块具有可塑性，从而可使卡块404插入连接孔402的内部，防止卡块404滑出，便于防护框401对硅片主体1进行保护。
[0028]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要
素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0029]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有减反射能力的单晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于：所述硅片主体(1)的顶部涂覆有耐腐层(2)，所述耐腐层(2)的顶部设置有防护层(3)，所述硅片主体(1)的外侧设置有防护组件(4)；所述硅片主体(1)包括有P型单晶硅片(101)和N型单晶硅片(102)，所述P型单晶硅片(101)位于N型单晶硅片(102)的上方，所述N型单晶硅片(102)的底部固定安装有金属导电层(103)，所述P型单晶硅片(101)的顶部设置有吸光板(104)；所述防护组件(4)包括有包裹在硅片主体(1)外部的防护框(401)，所述防护框(401)的内部开设有连接孔(402)，所述硅片主体(1)的外表面固定连接有插块(403)，所述插块(403)的顶部固定连接有卡块(404)，所述卡块(404)位于连接孔(402)的内部。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春成，戚建静，徐芳，
申请(专利权)人：江苏晶品新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：