存储设备制造技术

提供了一种具有改进的性能和效率的存储设备。一种存储设备，包括：控制器，被配置为接收来自外部设备的预处理指令命令；非易失性存储器，被配置为存储原始图形数据；以及缓冲存储器，连接到控制器和非易失性存储器，其中，控制器被配置为：从非易失性存储器加载原始图形数据，响应于预处理指令命令通过根据向量相似度对原始图形数据进行分类来生成预处理图形数据，基于预处理图形数据生成元数据，以及将预处理图形数据和元数据提供给非易失性存储器，非易失性存储器被配置为将预处理图形数据和元数据存储在数据块中，并且缓冲存储器被配置为缓冲原始图形数据、预处理图形数据和元数据。据。据。

【技术实现步骤摘要】
存储设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0143213的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]实施例涉及存储设备。

技术介绍

[0004]半导体存储器件包括易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件具有快速的读取和写入速度，并且同时，易失性存储器件在断电时可能会丢失其存储的内容。相反，由于非易失性存储器件即使在断电时也保留其存储的内容，因此非易失性存储器件用于存储需要保留的内容，而与供电无关。
[0005]例如，易失性存储器件包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件即使在断电时仍保留其存储的内容。例如，非易失性存储器件可以被分类为ROM(只读存储器)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备，包括：控制器，被配置为接收来自外部设备的预处理指令命令；非易失性存储器，被配置为存储原始图形数据；以及缓冲存储器，连接到所述控制器和所述非易失性存储器，其中：所述控制器被配置为：从所述非易失性存储器加载所述原始图形数据，响应于所述预处理指令命令通过根据向量相似度对所述原始图形数据进行分类来生成预处理图形数据，基于所述预处理图形数据生成元数据，并且将所述预处理图形数据和所述元数据提供给所述非易失性存储器，所述非易失性存储器被配置为将所述预处理图形数据和所述元数据存储在数据块中，并且所述缓冲存储器被配置为缓冲所述原始图形数据、所述预处理图形数据和所述元数据。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：基于所述缓冲存储器的数据容量和所述原始图形数据的传输速率中的至少一个，确定存储在所述非易失性存储器的所述数据块中的数据的数据容量。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中：所述数据块包括第一数据块和第二数据块，所述预处理图形数据包括第一预处理图形数据和第二预处理图形数据，所述元数据包括第一元数据和第二元数据，所述第一预处理图形数据和所述第一元数据存储在所述第一数据块中，并且所述第二预处理图形数据和所述第二元数据存储在所述第二数据块中。4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述第一元数据包括关于与所述第一数据块最接近的所述第二数据块的信息，以及关于所述第一预处理图形数据的最小值、最大值和平均值的信息。5.根据权利要求4所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：参照所述第一元数据，从所述非易失性存储器加载存储在所述第一数据块中的数据，以及从所述非易失性存储器加载存储在所述第二数据块中的数据。6.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述第一数据块的数据容量与所述第二数据块的数据容量不同。7.根据权利要求3所述的存储设备，其中，包括在所述第一预处理图形数据中的第一向量和包括在所述第二预处理图形数据中的第二向量是基于向量距离相似度来分类的。8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：响应于查询，基于所述元数据加载存储在所述非易失性存储器中的所述预处理图形数据，并且通过基于所述查询和所述预处理图形数据执行计算，输出响应信号。9.根据权利要求8所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为获得具有与所述查询最接近的向量相似度的预处理图形数据。
10.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为：使用分层可导航小世界HNSW搜索算法来生成所述预处理图形数据。11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器包括现场可编程门阵列FPGA，所述现场可编程门阵列FPGA被配置为对所述预处理图形数据进行分...

【专利技术属性】
技术研发人员：池洙荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：