III族元素氮化物半导体基板制造技术

本发明专利技术提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，通过肉眼观察容易区别第一面和第二面，利用光学传感器容易检测出端部，能够确保有效面积(可用于器件制作的面积)较大，整个基板的翘曲减少。本发明专利技术的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面为镜面，该第二面具有第二面中央区域和第二面外周区域，该第二面中央区域为镜面，该第二面外周区域为非镜面。第二面外周区域为非镜面。第二面外周区域为非镜面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】III族元素氮化物半导体基板


[0001]本专利技术涉及III族元素氮化物半导体基板。更详细而言，涉及表背两面镜面型的III族元素氮化物半导体基板，该III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，并且，仅将第二面的外周区域进行了非镜面精加工。

技术介绍

[0002]作为各种半导体器件的基板，采用氮化镓(GaN)晶片、氮化铝(AlN)晶片、氮化铟(InN)晶片等III族元素氮化物半导体基板(例如专利文献1等)。
[0003]半导体基板具备第一面和第二面。将第一面设为主面，将第二面设为背面时，主面通常进行镜面精加工。另一方面，背面根据用途而进行镜面精加工或粗面精加工(例如专利文献2－4等)。
[0004]对背面进行了镜面精加工的情况下，主面和背面均为镜面，因此，通过肉眼观察很难区别出主面和背面。因此，除了形成通常的定位边(orientation flat)以外，还形成副定位边(sub
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orientation flat)，由此通过肉眼观察来区别主面和背面。
[0005]但是，如果除了形成通常的定位边(or本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于，该第一面为镜面，该第二面具有第二面中央区域和第二面外周区域，该第二面中央区域为镜面，该第二面外周区域为非镜面。2.根据权利要求1所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述第二面外周区域的宽度为5mm以下。3.根据权利要求2所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述第二面外周区域的宽度为3mm以下。4.根据权利要求3所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述第二面外周区域的宽度为1mm以下。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述第二面外周区域的表面粗糙度Ra为100nm以上。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述第二面中央区域的表面粗糙度Ra为10nm以下。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井克宏，坂井正宏，小林弘季，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：