图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种图像传感器及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成MOS器件；在形成所述MOS器件的侧墙之后，通过原子层沉积方式形成氧化物层，覆盖于所述衬底和所述MOS器件上；于所述氧化物层上形成第一氮化硅层，从而形成包括所述氧化物层和所述第一氮化硅层的阻挡层。本发明专利技术的技术方案在不需要增加任何新的掩膜情况下，可得到白像素较好以及光遮断黑电平较稳的图像传感器。遮断黑电平较稳的图像传感器。遮断黑电平较稳的图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor, CIS）是将光学图像转化为电信号的半导体器件。CIS包括用于感光的光电二极管（photodiode, PD）和用于将所感测的光处理为电信号的逻辑电路。
[0003]随着CIS的像素单元越来越小，先进工艺节点被采用来完成更高性能像素。例如，在90nm时，硅化物阻挡层（Salicate Block， SAB）一般采用富硅氧化物（silicon rich oxide, SRO）来完成，而SRO的反射系数（Ri）值对白像素（white pixel, WP）性能有明显的影响；而到了55nm 或更先进节点，SAB 被换成采用四乙氧化基硅烷（TEOS）和臭氧（O3）的化学气相沉积形成的氧化硅层和氮化硅（SiN）来替换，其中采用四乙氧化基硅烷（TEOS）和臭氧（O3）的化学气相沉积形成的氧化硅层相比SRO有更好的填充性，不会带来小尺寸填充不好的问题；而SiN 一般是采用P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成MOS器件；在形成所述MOS器件的侧墙之后，通过原子层沉积方式形成氧化物层，覆盖于所述衬底和所述MOS器件上；于所述氧化物层上形成第一氮化硅层，从而形成包括所述氧化物层和所述第一氮化硅层的阻挡层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述于所述氧化物层上形成第一氮化硅层之前还包括：形成张应力特性的化学层，覆盖于所述氧化物层上；去除所述张应力特性的化学层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述去除所述张应力特性的化学层之前还包括：对所述衬底进行UV照射和烘烤工艺。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅，前驱体至少包括三取代
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二甲胺基硅烷、臭氧、硼烷；反应温度为100~350℃；厚度为60~300A。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层包括氧化硅、掺杂硼的氧化硅、氧化铪、氧化钛或氧化铝中的至少一种。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：于所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层作为接触刻蚀停止层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张应力特性的化学层包括：氮化硅、掺杂碳的氮化硅或碳氮化硅中的至少一种。8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，UV照射时间为10~1000s；烘烤工艺的温度为100~300℃，时间为10~1000s。9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，去除所述张应力特性的化学层之前还包括：对所述衬底进行退火工艺；退火工艺的温度为750~1100℃，时间为10~120s。10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述张应力特性的化学层为氮化硅；所述形成张应力特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立新，陈林，许乐，付文，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：