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本发明实施例公开了一种图像传感器及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成MOS器件；在形成所述MOS器件的侧墙之后，通过原子层沉积方式形成氧化物层，覆盖于所述衬底和所述MOS器件上；于所述氧化物层上形成第一氮化硅层，从而形成包括所述氧化物层和...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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