一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，方法包括：提供包括第一掩膜层的基底，并在第一掩膜层中形成第一开口。形成第一介质层，第一介质层覆盖第一开口的侧壁及底部，并覆盖第一掩膜层的顶表面；形成填充层，填充层至少填充第一开口并覆盖第一介质层的顶表面；执行刻蚀工艺，以形成第二开口。开口。开口。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）作为一种重要的半导体器件，其可用来作为电子装置运算时的数据存储或储存程序，以进行数据处理。然而，随着动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）不断朝着小型化、高集成度的方向发展，在动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的制备过程中，仍存在许多降低半导体器件的性能的因素。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，所述制备方法包括：提供基底，所述基底包括第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层中形成第一开口；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一开口的侧壁及底部，并覆盖所述第一掩膜层的顶表面；形成填充层，所述填充层至少填充所述第一开口并覆盖所述第一介质层的顶表面；执本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基底，所述基底包括第一掩膜层；刻蚀所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层中形成第一开口；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一开口的侧壁及底部，并覆盖所述第一掩膜层的顶表面；形成填充层，所述填充层至少填充所述第一开口并覆盖所述第一介质层的顶表面；执行刻蚀工艺，去除至少部分所述填充层、至少部分所述第一介质层及部分所述第一掩膜层，以形成第二开口。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，提供基底，包括：提供衬底，所述衬底至少包括核心区；在所述衬底上形成晶体管结构，所述晶体管结构至少位于所述核心区；形成导电结构及位于所述导电结构上的目标层，所述导电结构用于连接所述晶体管结构和所述目标层；形成位于所述目标层上方的第一掩膜层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，还包括：以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述目标层。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述目标层之后，形成所述第一掩膜层之前，所述制备方法还包括：形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述目标层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二开口之后，所述制备方法，还包括：以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀位于所述第二开口下方的所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第四开口。6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一掩膜层之后，刻蚀所述第一掩膜层之前，所述制备方法还包括：在所述第一掩膜层上形成第一掩膜图案；在所述第一掩膜层中形成所述第一开口，包括：以所述第一掩膜图案为掩膜刻蚀所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层中形成第一开口；其中，部分所述第一开口在所述衬底上的正投影位于所述导电结构在所述衬底上的正投影的至少一侧。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一开口的数量为多个，在形成所述填充层之后，执行所述刻蚀工艺之前，所述制备方法还包括：在所述填充层上形成第二掩膜图案，所述第二掩膜图案暴露相邻两个第一开口之间的部分区域；执行刻蚀工艺，包括：以所述第二掩膜图案为掩膜刻蚀所述填充层，以形成第三开口，所述第三开口暴露出所述第一介质层；去除所述第二掩膜图案；刻蚀位于所述第三开口下方的第一介质层和第一掩膜层以形成所述第二开口，所述第
二开口位于相邻两个第一开口之间的部分区域。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩然，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：