形成图案化特征的方法技术

公开了形成图案化特征的方法和包括图案化特征的结构。示例性方法包括在结构的侧壁上选择性地形成表面能改性表面和/或在衬底的表面上形成表面能可调层。表面能改性表面可以通过沉积材料和/或通过处理侧壁表面和/或通过处理邻近侧壁表面的表面来形成。处理邻近侧壁表面的表面来形成。处理邻近侧壁表面的表面来形成。

【技术实现步骤摘要】
形成图案化特征的方法


[0001]本公开总体涉及在衬底表面上形成图案化特征的方法。更具体地，本公开涉及使用表面能改性层和/或表面能可调层形成图案化特征的方法，以及使用这种方法形成的结构。

技术介绍

[0002]在电子器件的制造过程中，通过图案化衬底表面并从图案化表面蚀刻材料或者在图案化表面上选择性沉积材料，可以在衬底表面上形成特征的精细图案。随着衬底上器件密度的增加，越来越希望形成尺寸更小的特征。
[0003]在蚀刻之前，光致抗蚀剂通常用于图案化衬底的表面。可以通过以下步骤在光致抗蚀剂中形成图案：将光致抗蚀剂层施加到衬底表面，掩蔽光致抗蚀剂的表面，将光致抗蚀剂的未掩蔽部分暴露于辐射，例如紫外光，并去除光致抗蚀剂的一部分(例如未掩蔽或掩蔽部分)，同时在衬底表面上留下光致抗蚀剂的一部分。虽然传统的光致抗蚀剂技术在许多应用中工作良好，但随着器件特征尺寸的不断减小，已经开发了另外的图案化技术。
[0004]最近，已经开发了定向自组装(DSA)技术，与通常使用传统光致抗蚀剂技术获得的图案化特征的间距相比，减小了衬底表面上的图案化特征的间距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成图案化特征的方法，该方法包括以下步骤：提供包括底层和衬底表面上的图案化结构的衬底；在图案化结构的侧壁上选择性地形成表面能改性层；以及将定向自组装材料沉积到衬底上，其中，表面能改性层促进定向自组装材料的第一和第二组分中的一种或多种的取向。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述自组装材料包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含第一嵌段聚合物和第二嵌段聚合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一嵌段聚合物对应于所述第一组分，所述第二嵌段聚合物对应于所述第二组分。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法，其中，所述第一组分具有第一侧壁表面能和第一底层表面能，所述第一侧壁表面能小于所述第一底层表面能。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其中，所述第二组分具有第二侧壁表面能和第二底层表面能，所述第二侧壁表面能大于所述第二底层表面能。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的方法，其中，所述底层包括硅和碳。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述表面能改性层包括碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅和无定形碳中的一种或多种。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的方法，其中，在所述图案化结构的侧壁上选择性形成表面能改性层的步骤包括选择性沉积所述表面能改性层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，选择性形成表面能改性层的步骤包括循环沉积过程。10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，选择性形成表面能改性层的步骤包括原子层沉积过程。11.一种形成图案化特...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y汤姆恰克，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：