TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法。本发明专利技术通过特定的工艺流程监测电池生产中“隧穿氧化层钝化接触”这一工艺的稳定性，具体流程包括选用电阻率为1.2

【技术实现步骤摘要】
TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法。

技术介绍

[0002]TOPCon电池具有良好的稳定性和更高的效率潜能，采用TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）技术制备。TOPCon技术是一种新型钝化接触技术，该技术通过在电池硅基底表面镀一层超薄的氧化硅层和掺杂薄膜硅来实现钝化作用。超薄的氧化硅层可减少电池表面较低的隧穿电阻，掺杂薄膜硅层可提供场钝化并使载流子选择性透过，从而与硅基底形成良好的钝化接触结构。
[0003]目前利用TOPCon技术制备太阳能电池常采用“碱制绒
→
硼扩散
→
湿法刻蚀
→
背面抛光
→
隧穿氧化层钝化接触
→
背面磷掺杂
→
湿法刻蚀
→
去绕镀清洗
→
氧化铝钝化
→
正背面镀膜
→<br/>丝网印刷...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：S1、对电阻率为1.2
‑
1.8Ω
•
cm的单晶原硅片进行抛光处理；S2、在完成抛光处理的所述单晶原硅片表面依次制备隧穿氧化层和多晶硅钝化层，之后进行磷掺杂；S3、在完成磷掺杂的所述单晶原硅片表面镀氮化硅减反射膜；S4、高温烧结；S5、Sinton测试，若理想开路电压iVoc≥740mV，反向饱和电流密度J0≤5fA/cm2，则表示所述隧穿氧化层钝化接触工艺稳定。2.如权利要求1所述的TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法，其特征在于，S1中所述单晶原硅片的电阻率为1.4
‑
1.6Ω
•
cm。3.如权利要求1所述的TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法，其特征在于，S1中对所述单晶原硅片进行双面碱抛光处理，抛光所用的药液中含有碱和抛光添加剂，所述碱为氢氧化钾和/或氢氧化钠，浓度为1.0
‑
1.5wt%；抛光温度为50
‑
60℃。4.如权利要求1所述的TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法，其特征在于，S1中抛光至硅片的表面反射率不小于42%。5.如权利要求1所述的TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法，其特征在于，S...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，吝占胜，李倩，张东升，李青娟，李志彬，魏双双，张红妹，陈晨，刘伟，王志国，刘新玉，刘莉丽，张雷，何广川，张树骞，于波，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：