太阳能电池及太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及太阳能电池制备方法，太阳能电池，包括衬底和隧穿层，隧穿层设置在衬底的第一表面上，太阳能电池还包括第一钝化层、导电层和第一电极，第一钝化层和导电层层叠设置在隧穿层背离衬底的表面上，第一电极与导电层接触。本发明专利技术提供的太阳能电池及太阳能电池制备方法，能够在多晶硅的第一钝化层制备较薄的情况下，提高电池效率。提高电池效率。提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及太阳能电池制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏电池
，具体地，涉及一种太阳能电池及太阳能电池制备方法。

技术介绍

[0002]N型半导体(也称为电子型半导体)隧穿氧化层钝化接触(TunnelOxide Passivated Contact，缩写为TOPCon)太阳能电池，具有高转换效率、高可靠性及低温度系数等优势。
[0003]目前TOPCon太阳能电池的背面(背离如光的一面)通常会选用掺杂磷(P)元素的N型多晶硅(N
‑
Poly)作为钝化层，而由于薄的N型多晶硅的钝化层能够有效的减少光的寄生吸收，提升短路电流，且能够降低N型多晶硅的钝化层的成本，因此，N型多晶硅的钝化层的厚度通常较薄(例如可以为150nm)。
[0004]但是，较薄的N型多晶硅的钝化层会降低对自由载流子的收集，对电池效率成影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种太阳能电池及太阳能电池制备方法，其能够在多晶硅的第一钝化层制备较薄的情况下，提高电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括衬底和隧穿层，所述隧穿层设置在所述衬底的第一表面上，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层、导电层和第一电极，所述第一钝化层和所述导电层层叠设置在所述隧穿层背离所述衬底的表面上，所述第一电极与所述导电层接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层设置在所述隧穿层背离所述衬底的表面上，所述导电层设置在所述第一钝化层背离所述衬底的表面上，所述第一电极与所述导电层接触；或者，所述导电层设置在所述隧穿层背离所述衬底的表面上，所述第一钝化层设置在所述导电层背离所述衬底的表面上，所述第一电极贯穿所述第一钝化层与所述导电层接触。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极与所述导电层背离所述衬底的表面接触；或者，所述第一电极穿入至所述导电层内与所述导电层接触。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电层的材料包括金属、金属氧化物、硅碳化合物、硅氧碳化合物中的任意一种或多种。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电层包括多个导电子层，多个所述导电子层层叠设置。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极与任意一个或者多个所述导电子层接触。7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，每个所述导电子层的材料相同或者不同。8.根据权利要求5所述的太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成法，李汉诚，赫权贵，陆玉刚，邹杨，张帅，张雅倩，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：