红外线传感器和红外线传感器的制造方法技术

红外线传感器(100)具备第1半导体基板(1)、第2半导体基板(2)、密封框(3)和第1连接部(4)。第1半导体基板(1)包含第1主面(1a)和红外线检测元件(11)。第2半导体基板(2)包含第2主面(2a)和信号处理电路(21)。密封框(3)与第1主面(1a)、红外线检测元件(11)和第2主面(2a)包围内部空间(IS)。第1连接部(4)将红外线检测元件(11)和信号处理电路(21)电连接。内部空间(IS)通过第1主面(1a)、红外线检测元件(11)、第2主面(2a)和密封框(3)被密封为密闭状态。密封框(3)和第1连接部(4)各自被夹入到第1主面(1a)和第2主面(2a)之间。(1a)和第2主面(2a)之间。(1a)和第2主面(2a)之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】红外线传感器和红外线传感器的制造方法


[0001]本公开涉及红外线传感器和红外线传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]红外线传感器大致区分为量子型(冷却型)和热型(非冷却型)。热型红外线传感器将由红外线吸收体吸收的红外线变换成热。热型红外线传感器将由所变换的热产生的温度变化变换成电信号。红外线引起的温度变化在热型红外线传感器的红外线探测部中产生。通过红外线探测部与热型红外线传感器的基板被热隔离的绝热结构，由于红外线探测部吸收所入射的红外线而产生的红外线探测部的温度变化变大。进一步地，红外线探测部可以保持在绝热结构的成为真空的内部空间内。由此，抑制由于内部空间内的气体引起的热传导和气体的对流而绝热结构的热阻降低，因此绝热性进一步变高。
[0003]另外，已知以使红外线传感器基板和信号处理电路基板面对的方式配置的红外线传感器。绝热结构设置在红外线传感器基板和信号处理电路基板之间。绝热结构的内部空间构成为通过密封为密闭状态而绝热。红外线传感器基板具备由包含红外线检测元件的多个像素构成的像素阵列。信号处理电路基板具备处理来自各红外线检测元件的输出信号的信号处理电路。信号处理电路例如是模/数变换电路等。
[0004]作为具备上述结构的红外线传感器，例如有国际公开第2006/095834号(专利文献1)所记载的光器件(红外线传感器)。在上述公报所记载的光器件中，光电变换部(红外线检测元件)面向密封为密闭状态的空隙(内部空间)。空隙由形成有光电变换部的基板(第1半导体基板)的第1主面、光电变换部、信号电路处理部(第2半导体基板)的第2主面、密封构件、连接布线(第1连接部)密封为密闭状态。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2006/095834号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]在上述公报所记载的光器件中，在通过连接布线将基板和信号处理电路部电连接之后，基板、信号处理电路部和连接布线由密封构件密封为密闭状态。空隙是通过去掉密封构件形成的。因此，在上述公报所记载的光器件中，空隙的密封与基板和信号处理电路部的电连接是单独进行的。因此，红外线传感器的制造成本增加。
[0010]本公开是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供能够抑制制造成本的增加的红外线传感器以及红外线传感器的制造方法。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本公开的红外线传感器具备第1半导体基板、第2半导体基板、密封框和第1连接部。第1半导体基板包含第1主面和红外线检测元件。红外线检测元件配置在第1主面。第2半
导体基板包含第2主面和信号处理电路。第2主面面对第1主面。信号处理电路构成为处理红外线检测元件的信号。密封框与第1半导体基板和第2半导体基板连接。密封框与第1主面、红外线检测元件和第2主面包围内部空间。第1连接部将红外线检测元件和信号处理电路电连接。内部空间由第1主面、红外线检测元件、第2主面和密封框密封为密闭状态。密封框和第1连接部各自被夹入到第1主面和第2主面之间。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本公开的红外线传感器，能够抑制红外线传感器的制造成本的增加。
附图说明
[0015]图1是概要地示出实施方式1的红外线传感器的结构的截面图。
[0016]图2是概要地示出实施方式1的红外线传感器的结构的俯视图。
[0017]图3是概要地示出实施方式1的红外线传感器的结构的立体图。
[0018]图4是概要地示出实施方式1的变形例的红外线传感器的结构的截面图。
[0019]图5是概要地示出实施方式1的变形例的红外线传感器的结构的俯视图。
[0020]图6是概要地示出实施方式1的变形例的红外线传感器的结构的立体图。
[0021]图7是概要地示出实施方式1的红外线传感器的其他制造方法的立体图。
[0022]图8是概要地示出实施方式1的红外线传感器的结构的电路图。
[0023]图9是概要地示出实施方式1的第1半导体基板的结构的电路图。
[0024]图10是概要地示出实施方式1的第1半导体基板的电压调整电路的结构的电路图。
[0025]图11是概要地示出实施方式2的红外线传感器的结构的截面图。
[0026]图12是概要地示出实施方式3的红外线传感器的结构的截面图。
[0027]图13是概要地示出实施方式4的红外线传感器的结构的截面图。
[0028]图14是概要地示出实施方式5的红外线传感器的结构的截面图。
[0029]图15是概要地示出实施方式6的红外线传感器的结构的截面图。
[0030]图16是概要地示出实施方式6的红外线传感器的结构的截面图。
[0031](附图符记说明)
[0032]1：第1半导体基板；1a：第1主面；2：第2半导体基板；2a：第2主面；3：密封框；4：第1连接部；5：第2连接部；6：防反射膜；11：红外线检测元件；13：第1基板部；21：信号处理电路；22：第2基板部；100：红外线传感器；G：凹部；IR：红外线；IS：内部空间；IT1：第1红外线透射部；IT2：第2红外线透射部；P：第2主面部。
具体实施方式
[0033]以下，基于附图说明实施方式。另外，以下，对相同或相当的部分赋予相同的标号，不反复进行重复的说明。
[0034]实施方式1.
[0035]使用图1和图2，说明实施方式1的红外线传感器100的结构。图1是沿图2的I
‑
I线的截面图。
[0036]红外线传感器100是用于检测入射到红外线传感器100的红外线IR的红外线传感器。本实施方式的红外线传感器100是热型红外线传感器。
[0037]如图1所示，红外线传感器100包含第1半导体基板1、第2半导体基板2、密封框3和第1连接部4。第1半导体基板1和第2半导体基板2空出间隔地重叠。密封框3和第1连接部4各自被夹入到第1半导体基板1和第2半导体基板2之间。
[0038]在本实施方式中，Z轴方向是沿第1半导体基板1和第2半导体基板2重叠的方向的方向。Z轴正方向是沿Z轴方向且从第1半导体基板1朝向第2半导体基板2的方向。Z轴负方向是沿Z轴方向且从第2半导体基板2朝向第1半导体基板1的方向。X轴方向是与Z轴方向正交且沿第1半导体基板1延伸的方向的方向。Y轴方向是与X轴方向和Z轴方向分别正交的方向。第1半导体基板1的面内方向是沿X轴方向和Y轴方向的方向。
[0039]在本实施方式中，红外线IR沿Z轴负方向入射到红外线传感器100。红外线传感器100构成为检测沿Z轴负方向入射到红外线传感器100的红外线IR。另外，在本实施方式中，红外线IR沿某个方向入射到红外线传感器100的意思是具有沿该方向的主成分的红外线IR入射到红外线传感器100。因此，红外线IR也可以具有沿与该方向不同的方向的成分。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种红外线传感器，具备：第1半导体基板，包含第1主面和配置在所述第1主面的红外线检测元件；第2半导体基板，包含面对所述第1主面的第2主面和构成为处理所述红外线检测元件的信号的信号处理电路；密封框，与所述第1半导体基板和所述第2半导体基板连接，并且与所述第1主面、所述红外线检测元件和所述第2主面包围内部空间；以及第1连接部，将所述红外线检测元件和所述信号处理电路电连接，所述内部空间通过所述第1主面、所述红外线检测元件、所述第2主面和所述密封框被密封为密闭状态，所述密封框和所述第1连接部各自被夹入到所述第1主面和所述第2主面之间。2.如权利要求1所述的红外线传感器，还具备：防反射膜，配置在相对于所述第1主面而言与所述第2半导体基板相反侧，所述防反射膜构成为防止红外线的反射。3.如权利要求1或2所述的红外线传感器，其中，所述第1半导体基板包含第1基板部和构成为比所述第1基板部更使红外线透射的第1红外线透射部，所述第1红外线透射部面对所述红外线检测元件。4.如权利要求1所述的红外线传感器，还具备：防反射膜，配置在相对于所述第2主面而言与所述第1半导体基板相反侧，所述防反射膜构成为防止红外线的反射。5.如权利要求1或4所述的红外线传感器，其中，所述第2半导体基板包含第2基板部和构成为比所述第2基板部更使红外线透射的第2红外线透射部，所述第2红外线透射部面对所述红外线检测元件。6.如权利要求1～5中的任一项所述的红外线传感器，其中，所述第2主面包含第2主面部和凹部，所述凹部被设置为在与所述红外线检测元件面对的位置处从所述第2主面部凹陷。7.如权利要求1～6中的任一项所述的红外线传感器，其中，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤泽大介，长永隆志，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：