芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计技术

本发明专利技术提供了一种芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计，芯片磁强计光学集成方法包括：在衬底表面集成封装激光器光源以形成光源集成芯片，在衬底表面增加介质层；将芯片化的准直镜片与预置了介质层的光源集成芯片进行键合；将芯片化的偏振镜片与芯片化的准直镜片进行键合；将集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室与芯片化的偏振镜片进行键合；将光电探测芯片与集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室进行键合。应用本发明专利技术的技术方案，以解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大的技术问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计


[0001]本专利技术涉及原子磁强计
，尤其涉及一种芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计。

技术介绍

[0002]原子磁强计是一种精密测量微弱磁场的传感器。因为现有的原子磁强计结构复杂，需要将多种器件集成在一起，因此造成原子磁强计表头体积较大，限制了其应用范围。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计，能够解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大的技术问题。
[0004]根据本专利技术的一方面，提供了一种芯片磁强计光学集成方法，芯片磁强计光学集成方法包括：在衬底表面集成封装激光器光源以形成光源集成芯片，在衬底表面增加介质层；将芯片化的准直镜片与预置了介质层的光源集成芯片进行键合；将芯片化的偏振镜片与芯片化的准直镜片进行键合；将集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室与芯片化的偏振镜片进行键合；将光电探测芯片与集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室进行键合。
[0005]进一步地，在将芯片化的准直镜片与预置了介质层的光源集成芯片进行键合的过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片磁强计光学集成方法，其特征在于，所述芯片磁强计光学集成方法包括：在衬底表面集成封装激光器光源以形成光源集成芯片(10)，在所述衬底表面增加介质层；将芯片化的准直镜片(20)与预置了所述介质层的光源集成芯片(10)进行键合；将芯片化的偏振镜片(30)与所述芯片化的准直镜片(20)进行键合；将集成有加热测温芯片(50)的芯片化的原子气室(40)与所述芯片化的偏振镜片(30)进行键合；将光电探测芯片(60)与集成有加热测温芯片(50)的芯片化的原子气室(40)进行键合。2.根据权利要求1所述的芯片磁强计光学集成方法，其特征在于，在将芯片化的准直镜片(20)与预置了所述介质层的光源集成芯片(10)进行键合的过程中，对所述芯片化的准直镜片(20)与预置了所述介质层的光源集成芯片(10)进行加热及加压以使所述芯片化的准直镜片(20)与预置了所述介质层的光源集成芯片(10)粘结在一起。3.根据权利要求2所述的芯片磁强计光学集成方法，其特征在于，将芯片化的偏振镜片(30)与所述芯片化的准直镜片(20)进行键合具体包括：在所述芯片化的准直镜片(20)外圈表面预制粘结层，通过光学对位装置将所述芯片化的偏振镜片(30)与所述芯片化的准直镜片(20)进行键合。4.根据权利要求3所述的芯片磁强计光学集成方法，其特征在于，在将集成有加热测温芯片(50)的芯片化的原子气室(40)与所述芯片化的偏振镜片(30)进行键合之前，所述芯片磁强计光学集成方法还包括：将加热测温芯片(50)与所述芯片化的原子气室(40)进行片上阳极键合连接。5.根据权利要求4所述的芯片磁强计光学集成方法，其特征在于，在将集成有加热测温芯片(50)的芯片化的原子气室(40)与所述芯片化的偏振镜片(30)进行键合之前，所述芯片磁强计光学集成方法还包括：在集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦杰，谢耀，万双爱，刘栋苏，刘建丰，
申请(专利权)人：北京自动化控制设备研究所，
类型：发明
国别省市：