压敏粘合剂组合物和包含其的表面保护片制造技术

本发明专利技术涉及压敏粘合剂组合物和包含其的表面保护片。公开了一种具有高的低积垢性和防污性的丙烯酸系压敏粘合剂(PSA)组合物，其包含通过自由基聚合生产的丙烯酸系聚合物，其中丙烯酸系聚合物的重均分子量(M

【技术实现步骤摘要】
压敏粘合剂组合物和包含其的表面保护片


[0001]本专利技术涉及含有通过自由基聚合(FRP)生产的丙烯酸系聚合物的压敏粘合剂(PSA)组合物，其可以用于具有优异的低积垢性和防污性的保护带，还涉及压敏粘合剂(PSA)组合物的制备方法。
[0002]本专利技术的进一步的方面包括包含压敏粘合剂(PSA)组合物的表面保护片，及其例如在带施用期间和/或在带去除之后保护具有高的低积垢和防污要求的表面例如物理气相沉积涂层(如low
‑
E涂层玻璃)、高光泽涂层、医疗应用或芯片切割用硅晶片等的用途。

技术介绍

[0003]压敏粘合(PSA)带，当带去除后肉眼看不到宏观上的残留物时，通常被分类为低残留物型带(low
‑
residue type tape)。例如，此类PSA带的实例公开于JP 4525811 B2、JP 2014
‑
224208 A、EP 1375621 A1、EP 3029121 A2、US 2016/0177151 A1、US 2019/0016935 A1、US 2019/0338164 A1、CN 110183981 A等中。
[0004]然而，还能够减少微小残留物量的PSA组合物或带在性质上是不同的。例如，所谓的
‘
低污染
’
或
‘
防污
’
PSA材料的制备通常需要特别受控的聚合技术如可逆加成
‑
断裂链转移(reversible addition
‑
fragmentation chain
‑
transfer,RAFT)(参见，例如WO 2011/152511 A1或EP 3 006 533 A1)、阴离子聚合(如EP 3 006 533 A1)和碲化物介导的聚合(Telluride
‑
mediated polymerization,TERP)，如在WO 2018/016407 A1等中所公开的。然而，此类方法不仅复杂，而且需要特殊的设备和/或特殊的催化剂，这导致生产成本高。
[0005]获得低残留物粘合剂的另一策略是基于通过聚焦于具有高分子量的构成聚合物的制备来排除或减少低分子量物质的含量(参见，例如EP 2457967 A1、US 6,602,599 B1、EP 2457968 A1、EP 1108770 A2和US 2016/0185083 A1)。然而，该方法导致PSA组合物具有高粘度，这导致工程化和涂布困难和/或需要大量溶剂，从而使产品及其制造方法变得昂贵且不可持续。
[0006]其它方法需要特殊的处理以避免带去除后的残留物。例如，EP 2033996 A1和US 2017/0278739 A1建议在剥离带之前施加UV辐射。其它公报记载了通过加热(WO 2020/006387 A1、US 2016/0194516 A1)或洗涤(US 6,682,773 B2)处理带去除后的基底表面。然而，此类技术需要特殊的设备和来自终端用户的复杂作业并严格限制所生产的带的适用性，特别是因为该处理可能不被受保护的基底所耐受。
[0007]WO 2017/216108 A1提出了调整低粘合强度以减少基底的积垢，然而其不适用于可能需要高粘合强度的表面保护应用。
[0008]在这些情况下，本专利技术的目的是提供一种PSA组合物和表面保护片，其可以环境友好的方式廉价地生产，不需要任何特殊的化学品、设备或方法，同时在去除时在被粘物(如基底)上不留下或仅留下很少量的残留物。

技术实现思路

[0009]本专利技术利用如本文所限制的权利要求的主题解决了这些问题。将在下节中进一步详细解释本专利技术的进一步的优点。
[0010]本专利技术的第一方面涉及丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其包含通过自由基聚合生产的丙烯酸系聚合物，其中所述丙烯酸系聚合物的重均分子量(M
w
)为小于830kDa；和其中所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(peak width at half height,PWHH)为1.75以下或其中所述丙烯酸系聚合物的缠结分子量(entanglement molecular weight)(M
e
)为小于50kg/mol，所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)与参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)的比，所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)是在玻璃化转变温度(T
g
)下由所述丙烯酸系聚合物的差分DSC信号测定的，所述参照丙烯酸系聚合物是使丙烯酸乙酯和丙烯酸以100:5的重量比在10mmol/l AIBN下反应而得的，其中所述参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)以与所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)相同的方式测定，和M
e
由通过流变学方法测定的平台模量(plateau modulus)计算。
[0011]本专利技术的第二方面涉及上述限定的丙烯酸系压敏粘合剂组合物的制备方法，其包括包含丙烯酸和/或具有碳数为3以下的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的单体组合物的自由基聚合。
[0012]本专利技术的第三方面涉及表面保护片，其包括：基材层；和压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层包含上述限定的丙烯酸系压敏粘合剂组合物。
[0013]本专利技术的第四方面涉及前述表面保护片用于保护PVD系涂层、高光泽涂层、硅晶片、玻璃表面、光学构件和医疗设备的用途。
[0014]根据本专利技术的丙烯酸系压敏粘合剂组合物的优选实施方案及本专利技术的其它方面在以下说明书和权利要求书中描述。
附图说明
[0015]图1示出用于测定实施例5和比较例1的丙烯酸系聚合物的PWHH的DSC测量(衍生化热流(derivatized heat flow))。
具体实施方式
[0016]为了更完整地理解本专利技术，现参考以下对其说明性实施方案的描述：
[0017]压敏粘合剂组合物
[0018]在第一实施方案中，本专利技术涉及丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其包含通过自由基聚合生产的丙烯酸系聚合物，其中所述丙烯酸系聚合物的重均分子量(M
w
)为小于830kDa；和其中所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为1.75以下或其中所述丙烯酸系聚合物的缠结分子量(M
e
)为小于50kg/mol，所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)与参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)的比，所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)是在玻璃化转变温度(T
g
)下由所述丙烯酸系聚合物的差分DSC信号测定的，所述参照丙烯酸系聚合物是使丙烯酸乙酯和丙烯酸以100:5的重量比在10mmol/l AIBN下反应而得的，其中所述参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)以与
所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)相同的方式测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其包含通过自由基聚合生产的丙烯酸系聚合物，其中所述丙烯酸系聚合物的重均分子量(M
w
)为小于830kDa；和其中所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为1.75以下或其中所述丙烯酸系聚合物的缠结分子量(M
e
)为小于50kg/mol，所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)与参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)的比，所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)是在玻璃化转变温度(T
g
)下由所述丙烯酸系聚合物的差分DSC信号测定的，所述参照丙烯酸系聚合物是使丙烯酸乙酯和丙烯酸以100:5的重量比在10mmol/lAIBN下反应而得的，其中所述参照丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)以与所述丙烯酸系聚合物的绝对半峰宽(PWHH)相同的方式测定，和M
e
由通过流变学方法测定的平台模量计算。2.根据权利要求1所述的丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其中所述丙烯酸系聚合物的相对半峰宽(PWHH)为1.6以下，优选1.5以下，更优选小于1.4。3.根据权利要求1或2所述的丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其中所述丙烯酸系聚合物的重均分子量M
w
在120～800kDa、优选130～750kDa和进一步优选150～550kDa的范围内。4.根据权利要求1至3中任一项所述的丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其中所述丙烯酸系聚合物的缠结分子量M
e
为小于25kg/mol且优选小于20kg/mol，M
e
由通过流变学方法测定的平台模量计算。5.根据权利要求1至4中任一项所述的丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其中所述丙烯酸系聚合物包含(甲基)丙烯酸和/或具有碳数为3以下的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体组分。6.根据权利要求5所述的丙烯酸系压敏粘合剂组合物，其中所述具有碳数为3以下的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯和丙烯酸异丙酯。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：本，
申请(专利权)人：日东比利时公司，
类型：发明
国别省市：