一种底水气藏复杂井型水侵前沿预测方法技术

技术编号:37399711 阅读:26 留言:0更新日期:2023-04-30 09:27
本发明专利技术公开了一种底水气藏复杂井型水侵前沿预测方法,属于气藏开发技术领域,为解决现今由于地层压力导致的非直线水平井见水预测、带隔板的非均质见水预测、底水上升形态表征等问题;其技术方案是:考虑不同井型的形态及生产中的重力压降,利用等渗流阻力法将对应井型在受隔板作用条件下的对气水界面的作用的耦合渗透率进行表达,计算出对应井型各微元段产能,利用等效渗透率和拟产能为特征参数,对气水界面位置进行计算,存在超过避水高度点时判断为见水,利用此时的水质点位置数据可以对水侵前沿形态变化进行表达;本发明专利技术基于C#算法进行底水气藏考虑隔板的复杂井型水侵前沿预测及气水界面上升形态表达,避免主观判断的影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
一种底水气藏复杂井型水侵前沿预测方法


[0001]本专利技术属于气藏开发领域的一种底水气藏复杂井型水侵前沿预测方法。

技术介绍

[0002]底水气藏往往连接着规模较大的水体,因此该类气藏在开发过程中,有以下一些特点:(1)储层能量丰富,可以持续为气藏开发补充能量,以保证气藏前中期稳定高产;(2)随着储层天然气被不断采出,在储层的近井地带形成压力降漏斗,底水将会发生锥进、脊进等现象,储层渗流由单相流逐渐变成气液两相流动;(3)当水体突破后,气井产能快速下降,水气比急剧攀升,若不采取有效措施,气井甚至会因为水淹而出现停躺等问题。
[0003]水侵前沿研究方面,前人也取得了较多研究成果,然而,这些成果主要集中在见水时间及临界参数求取方面,对于底水锥(脊)进过程研究方法较少,有待进一步深入。井型方面,前人的成果主要集中在直井和水平井上,对于斜井和起伏井的水侵前沿表征几乎没有,在实际的生产中,理想的水平井和直井几乎不存在,所以对复杂井型的研究是有必要的。在对复杂井型水侵前沿的形态分析基础上,考虑隔板作用,对现在开发有一定指导意义。
专利技本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底水气藏复杂井型水侵前沿预测方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:S100:准备储层静态参数、流体特征参数、生产特征参数和隔板特征参数,储层静态参数包括孔隙度、储层渗透率、地层温度、气水边界恒压界面压力、储层厚度、原始含气饱和度、束缚水饱和度等,流体特征参数包括天然气相对密度、天然气粘度,水质点位置等,生产特征参数包括井长,井径,井底半径,井内壁摩阻系数,避水高度、井底流压、倾斜角度等,隔板特征参数包括隔板长度、宽度、厚度、隔板位置、隔板渗透率、隔板形态等;S200:根据不同井型、静态参数和生产特征参数,计算各个微元段在无限大地层中所产生的势,并赋予所有微元段初始压力,单位MPa,计算各微元段的理想产能,单位;根据生产特征参数,所计算的理想产能,采用多相流模型进行计算天然气流经各微元段所产生的压降;S300:根据微元段和水质点的相对位置,计算等效渗透率和耦合渗透率,步骤如下:S3001:根据渗透率分布情况,结合每个微元段及水质点的位置关系,采用等渗流阻力法,利用公式:,求取等效渗透率,其中为水质点到微元段的距离,单位m;分别为连线上对应渗透率区域所占的长度,单位m;为微元段到水质点路径上的等效渗透率,单位mD;为各区域的渗透率,单位mD;S3002:利用加权的方法计算耦合渗透率的过程为,对应微元段到任意水质点的距离除以微元段到所有水质点的和,再乘上对应微元段到任意水质点之间的等效渗透率,再将所求取的值进行累加,得到耦合渗透率,单位mD;S400:进入压降迭代,将S200中所计算得到的压降数据和初始压力进行计算,利用公式:,得到修正后新的微元段压力,其中,为天然气粘度,单位;为每个微元段的耦合渗透率,单位mD;N为微元段数量,单位个;为微元段产能;为第i个微元段在第j个微元段中产生的势;为恒压边界压力,为井底压力,单位MPa;为天然气密度,单位;为重力加速度,单位;、分别为微元段、水质点的纵向位置,单位m;之后计算修正后的产能,重复进行步骤S200,不断修正产能数据,直到压力值与上一次计算所得差距小于万分之一时停止迭代,此时计算所得的产能数据为各微元段的耦合产能;S500:求解...

【专利技术属性】
技术研发人员:卿太雄李晓平谭晓华丁磊彭先李隆新
申请(专利权)人:成都英沃信科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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