吸气剂薄膜结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种吸气剂薄膜结构的制造方法，包括步骤：在基板的一个主面上方形成第一吸气剂薄层，在第一吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在沟槽内填充图形牺牲层，并在图形牺牲层及图形吸气剂薄膜上形成第二吸气剂薄层；去除图形牺牲层以在图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明专利技术通过在薄膜面内方向的空隙形成吸气剂薄膜的横向通道，可以有增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。该吸气剂薄膜结构可以具有足够的机械强度，使用性得到保证。对比普通吸气剂薄膜，本发明专利技术可以用较少的吸气剂达到同样的吸气效果，从而降低器件整体的成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
吸气剂薄膜结构的制造方法


[0001]本专利技术属于MEMS设计及制造领域，特别是涉及一种吸气剂薄膜结构的制造方法。

技术介绍

[0002]众所周知，某些半导体器件，特别是有些微机电系统(MEMS：Micro Electro Mechanical Systems)器件，需要封装在真空环境下工作。比如，具有高速运动(位移或振动或旋转)部件的MEMS加速度传感器、陀螺仪、真空计等，需要把运动部分封装在比较稳定的真空环境中。再比如，需要有真空腔的MEMS压力传感器，也需要真空腔内有较高的真空，且其真空度需要保持稳定。另外，一些红外传感器，同样需要把器件封装在真空度较高的真空腔体内。
[0003]一方面，实现较高真空的封装本身就具有挑战性。因为，在封装过程中，经常会有一些残留气体滞留在真空腔内。为此，常常需要在真空腔内封入吸气剂，在封装的同时激活吸气剂，或者待封装完成后再激活吸气剂，把真空腔内的残留气体吸收掉，实现满足器件工作所需要的较高的真空。吸气剂(Getter)，也叫消气剂，在真空科技领域中，是指能够有效吸附和固定某些或某种气体分子的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸气剂薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：提供一基板，在所述基板的一个主面上方形成第一吸气剂薄层，在所述第一吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在所述沟槽内填充图形牺牲层，并在所述图形牺牲层及所述图形吸气剂薄膜上形成第二吸气剂薄层；去除所述图形牺牲层以在所述图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，所述孔隙在所述图形吸气剂薄层的侧面具有开口。2.权利要求1所述的吸气剂薄膜结构的制造方法，其特征在于，包括：在所述基板上方形成第一个吸气剂薄层，在所述吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在所述图形吸气剂薄层的沟槽内填充第一个图形牺牲层；重复进行上述步骤以形成N个图形吸气剂薄层和N
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1个图形牺牲层，其中N≥2，最顶层所述图形吸气剂薄层上不需要形成图形牺牲层；去除N
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1个所述图形牺牲层以在每一个所述图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，所述孔隙在所述图形吸气剂薄层的侧面具有开口。3.权利要求2所述的吸气剂薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述孔隙在所述图形吸气剂薄层的面内方向贯通所述图形吸气剂薄层的两侧，以在所述图形吸气剂薄层的两侧形成开口。4.权利要求2所述的吸气剂薄膜结构的制造方法，其特征在于，相邻的两个图形吸气剂薄层中的孔隙在所述基板上的投影具有交叉。5.权利要求4所述的吸气剂薄膜结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭松，王诗男，彭鑫林，冯刘昊东，陈朔，季宇成，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：