一种MOS芯片的封装结构以及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种MOS芯片的封装结构以及封装方法，所述封装结构包括：封装基板，具有互连电路；与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。所述封装结构提升了可靠性。封装结构提升了可靠性。封装结构提升了可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS芯片的封装结构以及封装方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，更具体的说，涉及一种MOS芯片的封装结构以及封装方法。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现各种功能的主要部件是芯片，为了保证芯片的可靠性、使用寿命以及避免外部因素损坏，芯片需要进行封装保护。
[0003]MOS(金属氧化物半导体型场效应管)芯片是一种常见半导体芯片，属于场效应管中的绝缘栅型。在电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
[0004]现有的MOS芯片封装结构中，多个MOS单元位于同一平面，该结构存在可靠性问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术技术方案提供了一种MOS芯片的封装结构以及封装方法，方案如下：
[0006]一种MOS芯片封装结构，所述封装结构包括：
[0007]封装基板，具有互连电路；
[0008]与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；
[0009]所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；
[0010]所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。
[0011]优选的，在上述封装结构中，所述第一MOS单元包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底一个表面的第一外延层；位于所述第一半导体衬底背离所述第一外延层一侧表面的所述第一漏极；位于所述第一外延层背离所述第一半导体衬底一侧表面内的所述第一栅极和所述第一源极；
[0012]所述第二MOS单元包括：第二半导体衬底；位于所述第二半导体衬底一个表面的第二外延层；位于所述第二半导体衬底背离所述第二外延层一侧表面的所述第二漏极；位于所述第二外延层背离所述第二半导体衬底一侧表面内的所述第二栅极和所述第二源极。
[0013]优选的，在上述封装结构中，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有所述互连电路；
[0014]所述第一源极与所述第一栅极均与所述第一表面相对固定，且分别与所述互连电路连接。
[0015]优选的，在上述封装结构中，所述第二源极和所述第二栅极通过导电部件与所述
互连电路连接。
[0016]优选的，在上述封装结构中，还包括：塑封层，所述塑封层包围所述MOS模块，且覆盖所述封装基板的至少部分。
[0017]优选的，在上述封装结构中，所述封装基板具有与所述互连电路连接的外接引脚，用于和外部电路连接。
[0018]优选的，在上述封装结构中，所述封装基板为PCB板或是金属框架。
[0019]优选的，在上述封装结构中，所述封装基板包括：相对的第一表面和第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的容纳孔；
[0020]所述MOS模块的至少部分位于所述容纳孔内，所述第一漏极与所述第二漏极相对的表面平行于所述第一表面和所述第二表面。
[0021]优选的，在上述封装结构中，所述互连电路包括：位于所述第一表面的第一子互连电路和位于所述第二表面的第二子互连电路；
[0022]所述第一源极和所述第一栅极通过第一导电部件与所述第一子互连电路连接；
[0023]所述第二源极和所述第二栅极通过第二导电部件与所述第二子互连电路连接。
[0024]本专利技术还提供了一种芯片的封装方法，所述封装方法包括：
[0025]提供一封装基板，具有互连电路；
[0026]在所述封装基板上固定连接MOS模块；
[0027]其中，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。
[0028]优选的，在上述封装方法中，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有所述互连电路；
[0029]固定连接所述MOS模块的方法包括：
[0030]在所述第一表面固定所述第一MOS单元，所述第一源极与所述第一栅极均与所述第一表面相对固定，且分别与所述互连电路连接；
[0031]在所述第一MOS单元背离所述第一表面的一侧固定所述第二MOS单元。
[0032]优选的，在上述封装方法中，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有所述互连电路；
[0033]固定连接所述MOS模块的方法包括：
[0034]将所述第一MOS单元与所述第二MOS单元固定连接；
[0035]将所述第一源极与所述第一栅极均与所述第一表面相对固定，且分别与所述互连电路连接。
[0036]优选的，在上述封装方法中，所述封装基板包括：相对的第一表面和第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的容纳孔；所述互连电路包括：位于所述第一表面的第一子互连电路和位于所述第二表面的第二子互连电路；
[0037]固定连接所述MOS模块的方法包括：
[0038]将所述MOS模块的至少部分置于所述容纳孔内，所述第一漏极与所述第二漏极相
对的表面平行于所述第一表面和所述第二表面；
[0039]将所述第一源极和所述第一栅极通过第一导电部件与所述第一子互连电路连接，将所述第二源极和所述第二栅极通过第二导电部件与所述第二子互连电路连接。
[0040]通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的MOS芯片封装结构以及封装方法中，第一MOS单元和第二MOS单元以第一漏极与第二漏极相对固定连接的方式形成MOS模块，MOS模块内电流由第二源极经由第二外延层、第二半导体衬底，第二漏极、第一漏极、第一半导体衬底，第一外延层流至第一源极导通。对于整个芯片来说，通过MOS模块与封装基板上的互连电路连接实现芯片的正常运行。本专利技术所述的技术方案解决了由于平面封装结构电流问题导致的可靠性问题，提高了器件的可靠性。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0042]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有互连电路；与所述封装基板固定连接的MOS模块，所述MOS模块与所述互连电路连接；所述MOS模块具有固定连接的第一MOS单元和第二MOS单元；所述第一MOS单元朝向所述第二MOS单元的表面具有第一漏极，背离所述第二MOS单元的表面具有第一栅极和第一源极；所述第二MOS单元朝向所述第一MOS单元的表面具有第二漏极，背离所述第一MOS单元的表面具有第二栅极和第二源极；所述第二漏极与所述第一漏极相对固定连接。2.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述第一MOS单元包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底一个表面的第一外延层；位于所述第一半导体衬底背离所述第一外延层一侧表面的所述第一漏极；位于所述第一外延层背离所述第一半导体衬底一侧表面内的所述第一栅极和所述第一源极；所述第二MOS单元包括：第二半导体衬底；位于所述第二半导体衬底一个表面的第二外延层；位于所述第二半导体衬底背离所述第二外延层一侧表面的所述第二漏极；位于所述第二外延层背离所述第二半导体衬底一侧表面内的所述第二栅极和所述第二源极。3.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有所述互连电路；所述第一源极与所述第一栅极均与所述第一表面相对固定，且分别与所述互连电路连接。4.根据权利要求3所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述第二源极和所述第二栅极通过导电部件与所述互连电路连接。5.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层包围所述MOS模块，且覆盖所述封装基板的至少部分。6.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板具有与所述互连电路连接的外接引脚，用于和外部电路连接。7.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板为PCB板或是金属框架。8.根据权利要求1所述的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板包括：相对的第一表面和第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的容纳孔；所述MOS模块的至少部分位于所述容纳孔内，所述第一漏极与所述第二漏极相对的表面平行于所述第一表面和所述第二表面。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐元俊，曹烨，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：