传感器装置和传感器装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种传感器装置，其包括半导体基板、玻璃基板、物理量传感器及与物理量传感器电连接的焊盘部，设置于半导体基板和玻璃基板中的至少一方的凹部通过玻璃基板中的第1接合部与半导体基板中的第2接合部相接合而被密封，物理量传感器和焊盘部被配置在由半导体基板和玻璃基板所密封的密封空间中，玻璃基板在第1接合部中具有阳离子浓度比玻璃基板的阳离子浓度要小的阳离子缺乏层。子浓度要小的阳离子缺乏层。子浓度要小的阳离子缺乏层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器装置和传感器装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及传感器装置和传感器装置的制造方法。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了“抑制物理量传感器中的真空压力气氛的偏差”(摘要)。专利文献2中记载了“通过简单的步骤抑制可动电极与固定电极的粘贴，并在此基础上实现阳极接合”(摘要)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2014
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173961号公报专利文献2：日本专利特开2010
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171203号公报

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0003]传感器装置中，优选为能简单且可靠地密封传感器。
技术实现思路

[0004]本专利技术的第1方式中，提供一种传感器装置。传感器装置包括半导体基板、玻璃基板、物理量传感器以及与物理量传感器电连接的焊盘部。设置于半导体基板和玻璃基板中的至少一方的凹部通过将玻璃基板中的第1接合部与半导体基板中的第2接合部相接合而被密封。物理量传感器和焊盘部配置在由半导体基板和玻璃基板所密封的密封空间中。玻璃基板在第1接合部中具有阳离子浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种传感器装置，其特征在于，包括：半导体基板；玻璃基板；物理量传感器；以及与所述物理量传感器电连接的焊盘部，设置于所述半导体基板和所述玻璃基板中的至少一方的凹部通过将所述玻璃基板中的第1接合部与所述半导体基板中的第2接合部相接合而被密封，所述物理量传感器和所述焊盘部被配置在由所述半导体基板和所述玻璃基板所密封的密封空间中，所述玻璃基板在所述第1接合部中具有阳离子浓度比所述玻璃基板的阳离子浓度要小的阳离子缺乏层。2.如权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，所述半导体基板在所述第2接合部中具有氧和所述半导体基板中所包含的半导体的氧化物层。3.如权利要求1或2所述的传感器装置，其特征在于，俯视时，所述玻璃基板中，在与所述焊盘部重叠的位置处设有贯通孔，所述玻璃基板具有设置于所述贯通孔的侧壁的金属膜，所述焊盘部由金属形成，所述金属膜与所述焊盘部相接。4.如权利要求3所述的传感器装置，其特征在于，所述金属膜具有从所述贯通孔的侧壁延伸到所述玻璃基板的与所述密封空间相接的下表面而设置的延伸部，所述延伸部与所述焊盘部相接。5.如权利要求4所述的传感器装置，其特征在于，俯视时，所述焊盘部被所述金属膜所包围。6.如权利要求5所述的传感器装置，其特征在于，所述延伸部包含与所述密封空间相接的金属膜外周部，所述金属膜外周部的下表面配置在所述焊盘部的上表面的下方。7.如权利要求4所述的传感器装置，其特征在于，俯视时，所述金属膜被所述焊盘部所包围。8.如权利要求7所述的传感器装置，其特征在于，所述焊盘部包含与所述密封空间相接的焊盘外周部，所述焊盘外周部的上表面配置在所述延伸部的下表面的上方。9.如权利要求4至8中任一项所述的传感器装置，其特征在于，所述焊盘部的厚度和所述延伸部的厚度之和比俯视时与所述焊盘部重叠的位置处的所述密封空间的高度要大。10.如权利要求9所述的传感器装置，其特征在于，所述半导体基板的面内方向上的、从所述玻璃基板的内侧面到所述焊盘部为止的距离比所述密封空间的高度要大...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下浩二，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：