逻辑门电路制造技术

本申请涉及一种逻辑门电路，包括：上拉电阻和铁电晶体管，铁电晶体管内部由上至下依次设置有主栅极、沟道和背栅极，其中，沟道的两端分别设置有源极和漏极，主栅极和沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层，沟道和背栅极之间由上至下依次设置有阻绝氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；上拉电阻与漏极连接。通过本申请，解决了相关技术中逻辑门电路工作能耗高的问题，降低了逻辑门电路的工作能耗。降低了逻辑门电路的工作能耗。降低了逻辑门电路的工作能耗。

【技术实现步骤摘要】
逻辑门电路


[0001]本申请涉及芯片存储器存储
，特别是涉及一种逻辑门电路。

技术介绍

[0002]当前大数据时代，数据量的高速增长对芯片算力与能效提出了更高的要求，而传统存算分离的冯
‑
诺伊曼架构限制了算力与能效的进一步提升。因此，亟需发展出基于新型非易失性存储器的新型存算架构。铁电存储器是利用铁电材料的极化翻转实现0/1存储的存储技术，其基本构成单元为铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor，FeFET)。图1是相关技术中铁电晶体管的结构示意图，如图1所示，铁电晶体管由栅极、沟道和衬底构成，沟道的两端分别设置有源极和漏极，栅极和沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层。在栅极上施加正电压或负电压，且施加在铁电材料上的电压超过矫顽电压Vc时，会导致铁电极化正向或负向翻转，铁电材料中的极化电荷会在沟道吸引电性相反的电荷，改变晶体管的阈值电压，铁电晶体管在进行编程和擦除时的极化状态如图1中的(a)、(b)所示。在对铁电晶体管进行编程或擦除操作后，通过改变铁电晶体管衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种逻辑门电路，其特征在于，包括：上拉电阻和铁电晶体管，所述铁电晶体管内部由上至下依次设置有主栅极、沟道和背栅极，其中，所述沟道的两端分别设置有源极和漏极，所述主栅极和所述沟道之间由上至下依次设置有铁电层和界面层，所述沟道和所述背栅极之间由上至下依次设置有阻绝氧化层、电荷俘获层和隧穿氧化层；所述上拉电阻与所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的逻辑门电路，其特征在于，制成所述阻绝氧化层的材料包括Al2O3，制成所述电荷俘获层的材料包括Si3N4，制成所述隧穿氧化层的材料包括SiO2。3.根据权利要求2所述的逻辑门电路，其特征在于，所述阻绝氧化层通过原子层沉积法生长一层Al2O3形成；所述电荷俘获层通过化学气相沉积法生长一层Si3N4形成；所述隧穿氧化层通过原子层沉积法生长一层SiO2形成。4.根据权利要求1所述的逻辑门电路，其特征在于，制成所述铁电层的材料包括HfZrO
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，制成所述界面层的材料包括SiO2。5.根据权利要求4所述的逻辑门电路，其特征在于，所述铁电层通过原子层沉积法生长一层HfZrO
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【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉诚，金成吉，顾佳妮，陈冰，刘欢，玉虓，韩根全，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：