一种半导体发光元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明专利技术公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。同时提升半导体发光元件的发光亮度。同时提升半导体发光元件的发光亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体发光元件及其制备方法，属于半导体光电子器件与


技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因具有高的发光效率及更长的使用寿命等优点，目前已经广泛地应用在背光、照明、景观等各个光源领域。进一步提高LED芯片的发光效率仍然是当前行业发展的重点。
[0003] LED芯片的发光效率主要由两个效率决定，第一个是电子空穴在有源区的辐射复合效率，即通常说的内量子效率；第二个是光的提取效率。
[0004]欲提升发光效率可通过以下几个方式，其包括改善外延生长的品质，通过增加电子和空穴结合的几率，提升内部量子效率（IQE）。另一方面，发光二极管产生的光线若无法有效被取出，部分光线因全反射因素而局限在发光二极管内部来回反射或折射，最终被电极或发光层吸收，使亮度无法提升，因此使用表面粗化或者改变结构的几何形状等，提升外量子效率（EQE），从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率。
[0005]现有的发光二极管通过对半导体外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，包含：一基板；半导体外延叠层，位于所述基板之上，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第一导电型半导体层远离基板的一侧为出光面；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；一反射层，位于所述半导体外延叠层和基板之间；第二台面，位于所述半导体发光元件的边缘，所述第二台面位于所述反射层之上；定义所述第一台面边缘至所述侧壁的距离为第一台面的宽度D1，所述D1的范围为0.5~10μm。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第二台面形成于所述反射层之上且不与所述第二导电型半导体层不重叠的区域。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一导电型半导体层远离基板的上表面具有粗化结构。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：还存在第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，与所述第一导电型半导体层电性连接，所述第一导电型半导体层上除所述第一电极以外的区域至少具有一粗化区域。5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一导电型半导体层上的边缘区域具有粗化结构。6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一导电型半导体层上具有粗化结构的边缘区域的宽度范围为0.5~3μm。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东炎，刘文，李慧文，金超，汤国梁，潘冠甫，王笃祥，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：