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本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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