一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用技术

本申请公开了一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用，组合物以质量份计，包括：水溶性树脂20

【技术实现步骤摘要】
一种组合物、制备方法及其在晶圆激光切割中的应用


[0001]本申请属于芯片封装
，具体涉及一种组合物、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]为了避免激光切割对基底硅片造成的损伤，激光加工前需要在基底表面涂覆保护液形成保护膜，以便在加工过程中能够很好的保护芯片；现有用于激光切割的保护液粘度较大，涂布不方便，而且对含凹凸结构的倒装芯片晶圆保护不完全，不能保护凹凸结构免于被污染或被腐蚀。

技术实现思路

[0003]申请目的：本申请提供一种高固含量、低粘度的组合物，以提高半导体制造过程中的良品率和生产率；本申请的另一目的在于提供一种组合物的制备方法；本申请的另一目的在于提供一种组合物的应用。
[0004]技术方案：本申请的一种组合物，以质量份计，所述组合物包括：
[0005]水溶性树脂20
‑
35份；流平剂0.05
‑
0.3份；紫外线吸收剂0.1
‑
0.5份；缓蚀剂0.1
‑
3份；增塑剂2
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10份；有机溶剂45
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合物，其特征在于，以质量份计，所述组合物包括：水溶性树脂20
‑
35份；流平剂0.05
‑
0.3份；紫外线吸收剂0.1
‑
0.5份；缓蚀剂0.1
‑
3份；增塑剂2
‑
10份；有机溶剂45
‑
70份；去离子水15
‑
30份；其中，所述水溶性树脂包括亲水基团，所述亲水基团选自羟基、酰胺基、羧基中的至少一种。2.根据权利要求1所述的一种组合物，其特征在于，所述组合物包括：水溶性树脂25
‑
30份；流平剂0.05
‑
0.1份；紫外线吸收剂0.2
‑
0.3份；缓蚀剂1
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2份；增塑剂2
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5份；有机溶剂60
‑
70份；去离子水15
‑
20份。3.根据权利要求1所述的一种组合物，其特征在于，所述水溶性树脂由第一单体和第二单体通过共聚制得；其中，所述第一单体选自侧基含有所述羟基、所述酰胺基、所述羧基中的至少一种的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羟基、所述酰胺基、所述羧基中的至少一种的化合物。4.根据权利要求3所述的一种组合物，其特征在于，所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羟基的化合物；或者，所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述羧基的化合物；或者，所述第一单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，所述第二单体选自侧基含有所述酰胺基的化合物，且所述第二单体与所述第一单体各自为不同的化合物。5.根据权利要求4所述的一种组合物，其特征在于，所述第一单体选自苯甲酰胺、丙烯酰胺、N,N
‑
二甲基甲酰胺中的至少一种，所述第二单体选自甲基丙烯酸羟乙酯、丙烯酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，马超男，褚雨露，张楠，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：