固态成像元件和成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术提高了在比较器中设置逻辑门的固态成像元件的设计自由度。比较电路将已输入的输入电位与预定的参考电位进行比较，并输出一对输出电位中的一个作为比较结果。电平移位电路基于比较结果输出电位差大于该对输出电位的一对移位电位中的一个作为输出信号。逻辑门判断输出信号是否高于一对移位电位间的预定阈值，并输出确定结果。计数器在确定结果被反转之前的时间段内对计数值进行计数。转之前的时间段内对计数值进行计数。转之前的时间段内对计数值进行计数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像元件和成像装置


[0001]本技术涉及固态成像元件。具体地，本技术涉及针对每列设置有比较器的固态成像元件和成像装置。

技术介绍

[0002]通常，在固态成像元件等中，由于简单的结构，单斜率模数转换器(ADC)经常用于模数(AD)转换。单斜率ADC通常包括比较器和基于比较器的比较结果执行计数的计数器。例如，提出了在比较器中设置p沟道金属氧化物半导体(pMOS)晶体管、电流源和逻辑门(反相器等)的固态成像元件(例如，参见专利文献1)。pMOS晶体管和电流源串联连接到像素电路，并且pMOS晶体管将来自像素电路的像素信号与参考信号进行比较，并且经由反相器从漏极输出比较结果。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：US专利申请公开号2018/0103222

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题
[0007]在上述固态成像元件中，像素电路的电源由比较器共用，从而与其中在比较器中与像素电路分开地也设置电源的配置相比，降低了功耗。然而，像素电路、pMOS晶体管和电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态成像元件，包括：比较电路，将输入的输入电位与预定的参考电位进行比较，并输出一对输出电位中的任一个作为比较结果；电平移位电路，根据所述比较结果输出电位差大于所述一对输出电位的一对移位电位中的任一个作为输出信号；逻辑门，确定所述输出信号是否高于所述一对移位电位之间的预定阈值，并输出确定结果；以及计数器，对所述确定结果被反转之前的时间段内的计数值进行计数。2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中：所述一对移位电位中的一个是高于所述输入电位的电源电位，并且所述一对移位电位中的另一个与所述一对输出电位中的较低的一个相同。3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中：所述一对移位电位中的一个是与所述输入电位相同的电位，并且所述一对移位电位中的另一个是低于所述一对输出电位中的较低一个的标准电位。4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中：所述一对移位电位中的一个是高于所述输入电位的电源电位，并且所述一对移位电位中的另一个是低于所述一对输出电位中的较低一个的标准电位。5.根据权利要求4所述的固态成像元件，其中：所述电平移位电路包括：N型晶体管，所述N型晶体管的栅极连接到所述输入电位的垂直信号线以及所述比较结果输入所述N型晶体管的源极；电源侧预充电晶体管，将所述N型晶体管的漏极的电位初始化为所述电源电位；P型晶体管，所述P型晶体管的栅极连接至所述N型晶体管的所述漏极以及所述P型晶体管的漏极连接至所述逻辑门；以及标准侧预充电晶体管，将所述P型晶体管的所述漏极的电位初始化为所述标准电位。6.根据权利要求5所述的固态成像元件，进一步包括短路晶体管，所述短路晶体管使所述N型晶体管的栅极和源极短路。7.根据权利要求5所述的固态成像元件，其中：所述N型晶体管的背栅和源极短路。8.根据权利要求5所述的固态成像元件，其中：所述N型晶体管的背栅接地。9.根据权利要求4所述的固态成像元件，其中：所述电平移位电路包括：P型晶体管，具有输入所述比较结果的栅极和连接至所述输入电位的垂直信号线的源极；标准侧预充电晶体管，将所述P型晶体管的漏极的电位初始化为所述标准电位；N型晶体管，具有连接到所述P型晶体管的所述漏极的栅极和连接到所述逻辑门的漏极；以及电源侧预充电晶体管，将所述N型晶体管的所述漏极的电位初始化为所述电源电位。
10.根据权利要求9所述的固态成像元件，进一步包括：短路晶体管，所述短路晶体管使所述垂直信号线和...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川大辅，植野洋介，松浦浩二，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：