I3C器件的量产测试系统技术方案

技术编号:37381851 阅读:27 留言:0更新日期:2023-04-27 07:23
本发明专利技术提供一种I3C器件的量产测试系统,I3C器件为带有I3C接口的MEMS器件,I3C器件的量产测试系统包括量产测试机和FPGA测试板卡,所述FPGA测试板卡包括:测试机接口,其连接于所述FPGA主控单元和所述量产测试机之间;FPGA主控单元,其用于通过所述测试机接口接收所述量产测试机发送的测试启动指令,并执行所述I3C器件的多个项目的测试,以得到每个项目的测试数据,通过所述测试机接口向所述量产测试机发送各个项目的所述测试数据;高速缓冲器,其与所述FPGA主控单元连接,其用于改善经过信号的失真;I3C器件载具,其与所述高速缓冲器连接,其用于放置待测的所述I3C器件。与现有技术相比,本发明专利技术能够兼容现有的慢通信时序的量产测试设备,对MEMS器件的高速I3C通信功能进行量产阶段的测试。量产阶段的测试。量产阶段的测试。

【技术实现步骤摘要】
I3C器件的量产测试系统


[0001]本专利技术涉及微机电系统器件的测试
,尤其涉及一种I3C器件的量产测试系统。

技术介绍

[0002]MEMS器件,是指具有微机电系统(Micro

Electro

Mechanical System,MEMS),且尺寸仅有几毫米乃至更小的高科技电子机械器件,其加工工艺融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工技术。
[0003]带有I3C(Improved Inter Integrated Circuit)接口的MEMS器件投入实际应用时,有许多需要高速通信的应用场景。传统的量产测试机板卡PXIE

6570在测试高速(12.5MHZ~13MHZ)I3C通信下的功能时,会出现I3C通讯时序不完整的问题,如过冲、振铃,失效率高,可靠性差,导致无法在量产环境(FT测试时)对器件高速I3C通信功能进行全面验证,很大程度上影响了产品出货的良率。
[0004]因此,亟需提出一种改进的技术方案来解决上述问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种I3C器件的量产测试系统,所述I3C器件为带有I3C接口的MEMS器件,其特征在于,其包括量产测试机和FPGA测试板卡,所述FPGA测试板卡包括:测试机接口,其连接于所述FPGA主控单元和所述量产测试机之间;FPGA主控单元,其用于通过所述测试机接口接收所述量产测试机发送的测试启动指令,并执行所述I3C器件的多个项目的测试,以得到每个项目的测试数据,通过所述测试机接口向所述量产测试机发送各个项目的所述测试数据;高速缓冲器,其与所述FPGA主控单元连接,其用于改善经过信号的失真;I3C器件载具,其与所述高速缓冲器连接,其用于放置待测的所述I3C器件。2.根据权利要求1所述的I3C器件的量产测试系统,其特征在于,所述FPGA主控单元包括:PLL单元,其用于提供基准频率;FSM状态机控制单元,其用于执行所述FPGA主控单元内部硬件电路的状态控制;I3C通信单元,其用于进行I3C通信;SPI通信单元,其用于进行SPI通信;其中,所述PLL单元与所述FSM状态机控制单元、I3C通信单元和SPI通信单元连接;所述FSM状态机控制单元与所述I3C通信单元和SPI通信单元连接;所述I3C通信单元与所述高速缓冲器连接;所述SPI通信单元与所述测试机接口连接。3.根据权利要求2所述的I3C器件的量产测试系统,其特征在于,其还包括:上位机,其与所述量产测试机连接;上料分拣机,其与所述上位机通信连接,其用于待测的所述I3C器件的上料及分拣。4.根据权利要求3所述的I3C器件的量产测试系统,其特征在于,所述PLL单元给所述I3C通信单元、所述FSM状态机控制单元和所述SPI通信单元提供基准频率;所述上料分拣机将待测的I3C器件安置于所述I3C器件载具上,所述上料分拣机上好料后通知所述上位机;所述上位机通过所述量产测试机向所述FPGA主控单元发送测试启动指令,以开始对待测的所述I3C器件的测试;所述量产测试机通过所述测试机接口和所述SPI通信单元向所述FSM状态机控制单元发送一个或多个I3C测试指令,所述FSM状态机控制单元解析所述量产测试机发送的I3C测试指令并转达给所述I3C通信单元,所述I3C通信单元基于所述I3C测试指令通过所述高速缓冲器、所述I3C器件载具与待测的所述I3C器件进行通讯,以实现对待测的所述I3C器件的I3C测试,得到基于所述I3C测试指令反馈的I3C测试数据,所述FSM状态机控制单元将所述I3C测试数据通过所述SPI通信单元发送给所述量产测试机。5.根据权利要求4所述的I3C器件的量产测试系统,其特征在于,所述FPGA主控单元还包括I2C通信单元、高阻态I/O口和选通开关,所述高阻态I/O口与所述FSM状态机控制单元连接,且所述高阻态I/O口经所述选通开关与所述高速缓冲器连接;所述I2C通信单元与所述FSM状态机控制单元连接,且所述I2C通信单元经所述选通开关与所述高速缓冲器连接,所述I2C通信单元与所述PLL单元连接;
所述I3C通信单元经所述选通开关与所述高速缓冲器连接;所述FSM状态机控制单元与所述选通开关连接,控制所述选通开关选择所述高阻态I/O口、I2C通信单元和所述I3C通信单元中...

【专利技术属性】
技术研发人员:张曦军李妍君柯亮林武
申请(专利权)人:美新半导体无锡有限公司
类型:发明
国别省市:

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