一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，根据以下步骤进行，步骤一、将引脚嵌入到基材的内部；步骤二、在基材的内部涂抹导热硅脂，且引脚的顶部同样通过硅脂与金刚石导热组件相接触；步骤三、依次安装底层金刚石散热片、中层金刚石散热片和顶层金刚石散热片；步骤四、向顶层金刚石散热片的侧边注入粘接剂，该制备方法采用三层的金刚石导热组件，从而进一步提高了功率模块传递到金刚石材料上热量的导出效率，同时也能够以多种方式与外部的散热设备对接，安装更加灵活，通过将引脚部分向上引入，按压在内凸台上，也能够同时对每个引脚部分产生的热量同时向外导出，提高了对引脚部分的散热效果。了对引脚部分的散热效果。了对引脚部分的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体为一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅功率器件是电力电子设备的关键组成部分，主要进行功率处理，具有处理高电压、大电流能力的效果，还能够实现包括变频、变压、变流、功率管理等作用。而碳化硅功率器件需要在表面设置散热结构，从而将运行时内部产生的热量及时向外导出，确保能够在低温高效的环境下运行，现有技术中通过常规的金属散热结构对碳化硅功率器件进行散热处理，该方式散热效率较低，在碳化硅功率器件的表面具有较大的热阻，从而在极端高温环境中就难以快速的实现散热效果，限制了功率器件的可正常运行极限环境范围。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足，本专利技术目的是提供一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题,本专利技术提供了新的金刚石散热方案，散热效果好，稳定性高。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，其特征在于：根据以下步骤进行，步骤一、将引脚(2)嵌入到基材(1)的内部，引脚(2)设置有多个，且每个引脚(2)的顶端均在基材(1)的内侧与顶部的金刚石导热组件(5)相接触；步骤二、在基材(1)的内部涂抹导热硅脂(16)，且引脚(2)的顶部同样通过硅脂(16)与金刚石导热组件(5)相接触；步骤三、依次安装底层金刚石散热片(14)、中层金刚石散热片(13)和顶层金刚石散热片(11)；步骤四、向顶层金刚石散热片(11)的侧边注入粘接剂，通过粘接剂将顶层金刚石散热片(11)进行固定。2.根据权利要求1所述的一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，其特征在于：在步骤二中，所述硅脂(16)涂装过程中，需要将硅脂(16)依附在基材(1)内部的侧壁上，且将底层金刚石散热片(14)按压在硅脂(16)的顶部后，通过外部刮除设备将从底层金刚石散热片(14)边缘处溢出的硅脂(16)进行去除。3.根据权利要求1所述的一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，其特征在于：所述基材(1)的顶部安装有支架(3)，所述支架(3)的内侧以及端部均设置有粘接机构(6)，所述基材(1)的内壁上安装有内凸台(9)，所述金刚石导热组件(5)放置在内凸台(9)的表面，所述支架(3)的侧边设置有散热孔(4)，所述引脚(2)从基材(1)的侧边向内穿入。4.根据权利要求3所述的一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，其特征在于：所述金刚石导热组件(5)包括两个顶层金刚石散热片(11)、一个中层金刚石散热片(13)和两个底层金刚石散热片(14)，所述顶层金刚石散热片(11)通过侧边的粘接机构(6)进行固定。5.根据权利要求4所述的一种基于金刚石散热的碳化硅功率器件制备方法，其特征在于：两个所述顶层金刚石散热片(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，熊凤，
申请(专利权)人：湖南擎舟芯源电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：