暂态基板及LED芯片转移方法技术

本发明专利技术提供了一种暂态基板及LED芯片转移方法，该暂态基板包括第一基板、第二基板、液晶分子、公共电极及多个对位结构；第一基板和第二基板对盒设置，液晶分子填充在两者之间，公共电极形成在第一基板上，多个对位结构间隔形成在第二基板上，对位结构包括形成在第二基板的一侧的驱动电极、形成在第二基板远离第一基板的一侧的光敏部，形成在第二基板远离第一基板的一侧的第一电极和第二电极，光敏部的至少部分与驱动电极相接触，第一电极与光敏部相接触，第二电极与光敏部和驱动电极间隔设置，第一电极的顶面和第二电极的顶面均设置有光解胶层。本发明专利技术的暂态基板能够实现对发光正常的LED的选择性转移。LED的选择性转移。LED的选择性转移。

【技术实现步骤摘要】
暂态基板及LED芯片转移方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种暂态基板及LED芯片转移方法。

技术介绍

[0002]在微型发光二极管显示装置制备过程中，需要将生长基板上形成的发光二极管LED芯片转移到驱动背板上。常用的转移方法是先将生长基板的LED芯片转移至暂态基板，再由转移基板拾取LED芯片转移至驱动背板。然而现有的转移方法无法在转移过程中对LED芯片进行检测，并且转移基板无法选择性地拾取正常工作的LED芯片，在批量转移过程中使得异常LED芯片连同正常LED芯片一起被转移至驱动背板，异常LED芯片绑定到驱动背板后再进行去除和修复具有很高的难度，处理不当还会损伤驱动背板。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种暂态基板及LED芯片转移方法，旨在实现在转移过程中对LED芯片进行检测并基于检测结果实现对发光正常的LED的选择性转移。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]在本专利技术的一个技术方案中，本专利技术提供一种暂态基板，所述暂态基板包括第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种暂态基板，其特征在于，包括第一基板、第二基板、液晶分子、公共电极及多个对位结构；所述第一基板和所述第二基板对盒设置，所述液晶分子填充在所述第一基板和所述第二基板之间，所述公共电极形成在所述第一基板上，所述多个对位结构间隔形成在所述第二基板上，所述对位结构用于与待转移的LED芯片一一对应，且所述对位结构包括：驱动电极，形成在所述第二基板的一侧，并与所述公共电极相对设置；光敏部，形成在所述第二基板远离所述第一基板的一侧，且所述光敏部的至少部分与所述驱动电极相接触；第一电极和第二电极，形成在所述第二基板远离所述第一基板的一侧，所述第一电极与所述光敏部相接触，所述第二电极与所述光敏部和所述驱动电极间隔设置，所述第一电极的顶面和所述第二电极的顶面均设置有光解胶层，以用于通过所述光解胶层与LED芯片的两电极一对一连接。2.根据权利要求1所述的暂态基板，其特征在于，所述光解胶层包括光解胶主体和导电粒子，所述导电粒子填充于所述光解胶主体内；其中，所述第一电极和所述第二电极通过所述光解胶主体与LED芯片的两电极一对一粘接，所述第一电极和所述第二电极通过所述导电粒子与LED芯片的两电极一对一导电连接。3.根据权利要求2所述的暂态基板，其特征在于，所述导电粒子包括导电内核和绝缘外壳，所述绝缘外壳包覆所述导电内核，其中，位于所述第一电极和所述第二电极顶面上的导电粒子的绝缘外壳能够在所述LED芯片的两电极与所述第一电极和所述第二电极一对一对位连接时受到对位压力而发生破裂，以使所述导电内核裸露，所述第一电极和所述第二电极与LED芯片的两电极一对一通过所述导电内核电连接。4.根据权利要求3所述的暂态基板，其特征在于，所述光解胶层整层设置，并覆盖各所述对位结构的第一电极和第二电极。5.根据权利要求1所述的暂态基板，其特征在于，相邻所述对位结构之间设置有遮光挡墙；所述遮光挡墙在所述第二基板上的正投影位于相邻所述对位结构的驱动电极在所述第二基板上的正投影之间；且所述遮光挡墙的顶面高于所述第一电极和所述第二电极的顶面。6.根据权利要求1所述的暂态基板，其特征在于，所述驱动电极形成在所述第二基板远离所述第一基板的一侧；其中，所述驱动电极与所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层，且所述绝缘层具有露出所述驱动电极的部分区域的过孔；所述光敏部的第一部分位于所述绝缘层远离所述第二基板的一侧并与所述第一电极相接触，所述光敏部的第二部分位于所述过孔内并与所述驱动电极相接触。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲洋，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：